【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种自热效应评估方法和装置。
技术介绍
1、自热效应是指半导体器件在运行过程中，由于电流流动产生的焦耳热使其自身温度升高。当半导体器件工作时，产生的自热效应会导致器件性能发生改变，进而影响整个集成电路的性能，例如基于硅基绝缘层(silicon-on-insulator，soi)的鳍状结构的场效应晶体管(fin field effect transistor，finfet)，产生的自热效应会导致阈值电压、电流密度、跨导性能参数发生变化。
2、随着集成电路技术发展，芯片电路密度越来越高，但功率密度和局部产热问题也随之而来。在纳米级器件设计中，新结构和新材料的引入虽然改善了电学性能，但也带来了散热问题。如何对器件的自热效应进行评估，是本领域的一项重要问题。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本申请实施例提供一种自热效应评估方法及装置，提高自热效应评估准确性，降低评估成本。
2、本申请实施例提供了一种自热评估方法，所述方法包括：<...
【技术保护点】
1.一种自热评估方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于物理模型对待测器件的电学特性参数进行电学仿真，得到所述待测器件的电学电流电压特性，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述待测器件为非矩形SOI FinFET器件，所述三维器件结构包括非矩形鳍结构。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于热力学模型对所述修正参数进行热效应模拟仿真，得到所述待测器件的自热电流电压特性，包括：
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：>
6.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种自热评估方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于物理模型对待测器件的电学特性参数进行电学仿真，得到所述待测器件的电学电流电压特性，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述待测器件为非矩形soi finfet器件，所述三维器件结构包括非矩形鳍结构。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于热力学模型对所述修正参数进行热效应模拟仿真，得到所述待测器件的自热电流电压特性，包括：
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求1-4任一项所...
【专利技术属性】
技术研发人员：秦兆慧，陈岚，王亚丽，陆仁杰，郝晓冉，陈容，孙艳，杜琴，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。