【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及数据存储，尤其涉及一种场效应晶体管的存储方法、可读存储介质和存储系统。
技术介绍
1、随着社会发展，对于存储器提出了更大的储存密度，更低的存储功耗，更快的存储速度的要求。目前，由于在掺杂的氧化铪基材料上的铁电性的研究得以突破，将铁电层取代高k金属栅的栅介质实现铁电晶体管(fefet)作为存储器吸引了研究人员的广泛研究。其中氧化铪基铁电存储器的优点主要有：与传统cmos工艺兼容、结构简单、易于微缩、功耗低和读写速度快。
2、如图1所示，其中图1中id为漏极电流，vg为栅极电压，mw(memorywindow)为存储窗口，fefet的存储方式一般为：加正电压实现编程态，因为沟道表面势受到了铁电指向下的极化的影响，使得阈值电压降低。加负电压实现擦除态，因为沟道表面电势受到了铁电指向栅电极的极化的影响，使得阈值电压升高，从而出现储存窗口(mw)。但是，在实际的脉冲后，整个栅介质会发生严重的电荷俘获(电子或空穴)，在脉冲后仍有大部分电荷留在栅介质中，这些被俘获的电荷会影响阈值电压并逐渐通过反注入离开栅介质，从而读取操作...
【技术保护点】
1.一种铁电极化辅助电荷俘获的场效应晶体管的存储方法，其特征在于，包括：应用于铁电极化辅助电荷俘获的场效应晶体管，所述基于铁电极化辅助电荷俘获的场效应晶体管的存储方法包括：
2.根据权利要求1所述的铁电极化辅助电荷俘获的场效应晶体管的存储方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的铁电极化辅助电荷俘获的场效应晶体管的存储方法，其特征在于，在所述电子俘获状态，进行信息写入的步骤还包括：
4.根据权利要求3所述的铁电极化辅助电荷俘获的场效应晶体管的存储方法，其特征在于，在所述电子俘获状态，进行信息写入的步骤还包括：
5.根据...
【技术特征摘要】
1.一种铁电极化辅助电荷俘获的场效应晶体管的存储方法，其特征在于，包括：应用于铁电极化辅助电荷俘获的场效应晶体管，所述基于铁电极化辅助电荷俘获的场效应晶体管的存储方法包括：
2.根据权利要求1所述的铁电极化辅助电荷俘获的场效应晶体管的存储方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的铁电极化辅助电荷俘获的场效应晶体管的存储方法，其特征在于，在所述电子俘获状态，进行信息写入的步骤还包括：
4.根据权利要求3所述的铁电极化辅助电荷俘获的场效应晶体管的存储方法，其特征在于，在所述电子俘获状态，进行信息写入的步骤还包括：
5.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晓磊，白明凯，孙晓清，韩润昊，柴俊帅，徐昊，王文武，叶甜春，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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