【技术实现步骤摘要】
本申请涉及存储，具体涉及一种存储器的操作方法和存储器。
技术介绍
1、具有分裂浮栅结构的非易失性存储器件，以低成本、低功耗、可靠性高以及存取速度快等性能优势，在存储器领域中占据了越来越重要的位置，并广泛地应用于消费电子领域。
2、对于非易失性存储器的数据读取，是通过感测放大器(sense amplifier，缩写为sa)将读取电流与读取参考电流进行对比，从而读取出被选定存储单元的数据。如何提升具有分裂浮栅结构的非易失性存储器的读取精度是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请提供一种存储器的操作方法和存储器，可以提升具有分裂浮栅结构的非易失性存储器的数据读取的可靠性和准确性。
2、第一方面，本申请提供一种存储器的操作方法，所述存储器包括多个存储单元对，任一存储单元对包括第一存储单元、字线栅、第二存储单元、第一源漏区和第二源漏区，所述第一存储单元连接第一控制栅线，所述字线栅连接字线，所述第二存储单元连接第二控制栅线，所述第一源漏区连接第一位线，所述...
【技术保护点】
1.一种存储器的操作方法，其特征在于，所述存储器包括多个存储单元对，任一存储单元对包括第一存储单元、字线栅、第二存储单元、第一源漏区和第二源漏区，所述第一存储单元连接第一控制栅线，所述字线栅连接字线，所述第二存储单元连接第二控制栅线，所述第一源漏区连接第一位线，所述第二源漏区连接第二位线，所述操作方法包括：
2.根据权利要求1所述的存储器的操作方法，其特征在于，所述读取被选存储单元对的未选定存储单元中的数据包括：
3.根据权利要求1所述的存储器的操作方法，其特征在于，所述存储器还包括多路选择器，所述第一读取参数包括第一位线导通电压，所述第二读取...
【技术特征摘要】
1.一种存储器的操作方法，其特征在于，所述存储器包括多个存储单元对，任一存储单元对包括第一存储单元、字线栅、第二存储单元、第一源漏区和第二源漏区，所述第一存储单元连接第一控制栅线，所述字线栅连接字线，所述第二存储单元连接第二控制栅线，所述第一源漏区连接第一位线，所述第二源漏区连接第二位线，所述操作方法包括：
2.根据权利要求1所述的存储器的操作方法，其特征在于，所述读取被选存储单元对的未选定存储单元中的数据包括：
3.根据权利要求1所述的存储器的操作方法，其特征在于，所述存储器还包括多路选择器，所述第一读取参数包括第一位线导通电压，所述第二读取参数包括第二位线导通电压，所述第一位线导通电压大于所述第二位线导通电压；所述根据所述未选定存储单元中的数据，提供第一读取参数或第二读取参数以读取所述被选存储单元对的所述选定存储单元中的数据包括：
4.根据权利要求3所述的存储器的操作方法，其特征在于，所述控制所述多路选择器根据所述未选定存储单元的数据提供所述第一位线导通电压或所述第二位线导通电压，以读取所述被选存储单元对的所述选定存储单元包括：
5.一种存储器的操作方法，其特征在于，所述存储器包括多个存储单元对，任一存储单元对包括第一存储单元、字线栅、第二存储单元、第一源漏区和第二源漏区，所述第一存储单元连接第一控制栅线，所述字线栅连接字线，所述第二存储单元连接第二控制栅线，所述第一源漏区连接第一位线，所述第二源漏区连接第二位线，所述操作方法包括：
6.根据权利要求5所述的存...
【专利技术属性】
技术研发人员：李琪，张子阳，
申请(专利权)人：兆易创新科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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