存储电路、存储器、电子设备制造技术

本申请提供一种存储电路、存储器、电子设备。涉及数据存储技术领域。该存储电路包括：第一电极线(比如字线WL)、第二电极线(比如位线BL)、多个第三电极线(比如板线PL)，以及还包括多个存储单元；每一个存储单元包括晶体管和多个支路，晶体管的控制端(如栅极Gate)与第一电极线电连接；晶体管的第一端(比如，源极source)与第二电极线电连接；每个支路的一端与第三电极线电连接，每个支路的另一端与晶体管的第二端(比如，漏极Drain)电连接；其中，每个支路包括串联的铁电电容和双向选择器件。本申请通过给铁电电容串联双向选择器件，可以削弱对未被选中铁电电容内存储数据的影响。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及数据存储，尤其涉及一种存储电路、包含存储电路的存储器、包含存储器的电子设备、存储电路的控制方法，以及存储电路的制备方法。

技术介绍

1、为了提升存储密度，在一些存储器中，可以集成更多的电容，比如，图1所示的1tnc存储电路。该存储电路中，多个电容c的一端并联，形成pillar端并与晶体管tr的漏极(drain)相连。

2、该存储电路在执行读写操作时，在待命(standby)时，字线(word line，wl)电压为0v，位线(bit line，bl)电压为v/2，板线(plate line，pl)电压为v/2；在预充时，先将位线bl预充至0v，并打开字线wl将pillar端电压预充至0v后，关断字线wl；然后选中pl电压从v/2上升至v，并给pillar端释放电荷δqsel；再然后开启字线wl，将位线bl与pillar之间进行电荷共享(charge sharing)，最后通过读取位线bl电压确定存储数据。

3、该存储电路在读写操作时，未选中电容的pillar端电压会因为电荷释放或者电荷共享(charge sharing)而本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储电路，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的存储电路，其特征在于，

4.根据权利要求1-3中任一项所述的存储电路，其特征在于，所述双向选择器件包括双向阈值开关。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的存储电路，其特征在于，所述双向选择器件包括第一单向二极管和第二单向二极管；

6.根据权利要求1-5中任一项所述的存储电路，其特征在于，

7.根据权利要求1-6中任一项所述的存储电路，其特征在于，

8.根据权利要求1-7中任一项所述的存储电路，其特...

【技术特征摘要】

1.一种存储电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储电路，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的存储电路，其特征在于，

4.根据权利要求1-3中任一项所述的存储电路，其特征在于，所述双向选择器件包括双向阈值开关。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的存储电路，其特征在于，所述双向选择器件包括第一单向二极管和第二单向二极管；

6.根据权利要求1-5中任一项所述的存储电路，其特征在于，

7.根据权利要求1-6中任一项所述的存储电路，其特征在于，

8.根据权利要求1-7中任一项所述的存储电路，其特征在于，

9.根据权利要求1-8中任一项所述的存储电路，其特征在于，

10.根据权利要求1-9中任一项所述的存储电路，其特征在于，所述存储电路还包括衬底，所述多个支路沿着与所述衬底表面相垂直的方向堆叠设置；

11.根据权利要求10所述的存储电路，其特征在于，

12.根据权利要求11所述的存储电路，其特征在于，所述选择功能层相比所述铁电电容更加靠近所述连接线，或者，所述铁电电容相比所述选择功能层更加靠近所述连接线。

13.根据权利要求11或12所述的存储电路，其特征在于，

14.根据权利要求11或12所述的存储电路，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：章文强，黄凯亮，景蔚亮，王正波，廖恒，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：