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本申请实施例公开了一种场效应晶体管的存储方法、可读存储介质和存储系统，存储方法，先为铁电极化辅助电荷俘获的场效应晶体管的栅极施加正或负脉冲，以使场效应晶体管处于电子俘获状态或空穴俘获状态；在电子俘获状态或空穴俘获状态进行信息写入。基于此本申...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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