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本公开提供了一种套刻误差补偿方法、装置和光刻机，可以应用于半导体制造领域。该方法包括：将当前实际套刻误差数据进行高阶多项式拟合，得到多个当前候选套刻参数，当前候选套刻参数表征高阶多项式的系数，高阶多项式的阶数大于或等于4；基于多个当前候选套...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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