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本发明公开一种晶圆刻蚀工艺，包括如下步骤：分离：工艺气体由等离子体电离为可化学反应的粒子。扩散：粒子扩散并吸附到硅片被刻蚀的表面。表面扩散：到达硅表面后，四处移动碰撞。反应：与柜表面的膜层发生RIE反应。解吸：RIE反应的生成物解吸，离开硅...
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