气体供给系统、气体供给控制方法和气体置换方法技术方案

本发明专利技术的课题在于提高工艺的生产量。一个实施例中的气体供给系统具有构成气体供给系统的多个构成部件和用于配置多个构成部件的基座(212)。在多个构成部件中，一部分构成部件配置于基座(212)的一个面(212a)，另一部分构成部件配置于作为基座(212)的一个面(212a)的背面的另一个面(212b)。在一个实施例中，多个构成部件例如是流量控制器(FD)和二次侧阀(FV2)，二次侧阀(FV2)配置于配置有流量控制器(FD)的基座(212)的面(212a)的背侧的面(212b)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的各方面和实施方式涉及气体供给系统、气体供给控制方法和气体置换方法。
技术介绍
在利用处理气体的等离子体等对半导体晶片等被处理体进行处理的处理装置中，已知有对向处理装置的处理气体的供给进行控制的气体供给装置。在这样的气体供给装置中，包括对气体的流量进行控制的流量控制装置和对气体的供给与供给停止进行控制的多个阀等构成部件。这些构成部件由使气体流通的配管连接，配置在基座的同一面上。另外，有时将流量控制装置和阀等构成部件间配置在基座的同一面上，将相邻的构成部件间由通过基座的内部的配管连接。由此，能够将气体供给装置所包括的构成部件紧密地配置在基座的同一面上，能够进行使气体供给装置的小型化。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第5020758号
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题然而，在对向处理装置的处理气体的供给进行控制的气体供给系统中，如果连接气体供给系统所包括的各构成部件的配管的容积较大，则在更换配管内流动的处理气体时，排出残留在配管内的处理气体就需要时间。由此，在一边更换处理气体一边实施多个工艺的处理装置中，提高生产量就变得困难。另外，通过阀的打开和关闭，高速地切换处理气体时，如果连接气体供给系统所包括的各构成部件的配管的容积较大，则要在配管内的压力达到所希望的压力前打开阀，将处理气体控制在所希望的压力就变得困难。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的一个方面例如是向对被处理体进行处理的处理装置供给气体的气体供给系统，具有构成气体供给系统的多个构成部件和配置多个构成部件的基座。在多个构成部件中，一部分构成部件配置于基座的一个面，另一部分构成部件配置于作为基座的一个面的背面的另一个面。专利技术效果根据本专利技术的各方面和实施方式，能够提高工艺的生产量，并能够提高处理气体的压力控制的精度。附图说明图1是表示实施例1中的处理系统的一个例子的图。图2是表示实施例1中的流量控制器和二次侧阀的配置的一个例子的图。图3是表示现有的流量控制器和二次侧阀的配置的图。图4是表示比较例中的气体流量的控制方法的一个例子的图。图5是表示实施例1中的气体流量的控制方法的一个例子的图。图6是表示实施例1和比较例中的气体的发光强度的一个例子的图。图7是表示比较例中的节流孔周边的配管的压力变化的一个例子的图。图8是表示实施例1中的节流孔周边的配管的压力变化的一个例子的图。图9是表示实施例1中的节流孔周边的配管的容积比与平衡压力的关系的一个例子的图。图10是表示实施例1中的节流孔周边的配管的容积比的适当范围的一个例子的图。图11是表示实施例1中的规定时间T与蚀刻速度的关系的一个例子的图。图12是表示使用实施例1的气体供给控制方法的迅速交替工艺的一个例子的流程图。图13是表示实施例2中的气体供给系统的一个例子的图。图14是表示实施例2中的处理系统的一个例子的图。图15是表示实施例2中的处理系统的运用方法的一个例子的流程图。图16是表示实验体系的一个例子的图。图17是表示实验结果的一个例子的图。图18是表示配管的每个长度的处理容器内的压力变化的一个例子的图。图19是表示实施例3中的处理系统的运用方法的一个例子的流程图。图20是表示实施例4中的处理系统的一个例子的图。图21是对涉及阀V11的配置的变形例进行说明的图。图22是表示实施例4中的处理系统的运用方法的一个例子的流程图。图23是表示图22所示的运用方法中的气体的流量的变化的一个例子的时间图。图24是对在图22的流程图所示的步骤ST35中使用的气体A和在步骤ST37中使用的气体B进行例示的表。图25是表示实施例5中的处理系统的运用方法的一个例子的流程图。图26是表示图25所示的运用方法中的气体的流量的变化的一个例子的时间图。图27是表示实施例6中的处理系统的一个例子的图。附图标记说明EL 排气管FD 流量控制器FU 流量控制单元FUG 流量控制单元组FV1 一次侧阀FV2 二次侧阀GL1 配管GL2 配管GP1 气体供给系统GP2 气体供给系统GP3 气体供给系统GS 气体供给源W 半导体晶片10a 处理系统10b 处理系统10c 处理系统10d 处理系统12 处理容器50 排气装置51 排气装置52 排气管100 气体供给系统101a 处理装置101b 处理装置150 气体供给管201 控制阀202 控制电路203 压力计204 压力计205 节流孔206 配管207 配管208 配管210 螺孔212 基座212a 面212b 面。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的具体实施方式进行说明。另外，在本说明书和附图中，针对实质上相同的结构，标注相同的附图标记，省略重复的说明。[实施例1][处理系统的整体结构]首先，参照图1对实施例1中的处理系统10a的整体结构的一个例子进行说明。图1是表示实施例1中的处理系统10a的一个例子的图。处理系统10a具有气体供给系统100和处理装置101a。气体供给系统100具有流量控制器FD、一次侧阀FV1和二次侧阀FV2，控制从气体供给源GS向处理装置101a的气体的供给。流量控制器FD、一次侧阀FV1和二次侧阀FV2是构成气体供给系统100的多个构成部件的一个例子。在本实施例中，处理装置101a例如是电容耦合型等离子体蚀刻装置。以下，有时将处理装置101a称为反应器部。[处理装置101a的结构例]处理装置101a具有例如表面经过氧化铝膜处理(阳极氧化处理)的由铝构成的大致圆筒形的腔室C。腔室C被接地。在腔室C的内部设置有载置台120。载置台120载置作为被处理体的一个例子的半导体晶片W。用于激发等离子体的高频电源130通过匹配器130a与载置台120连接。高频电源130将适合于在腔室C内生成等离子体的频率、例如60MHz的高频电力施加给载置台120。另外，载置台120载置半导体晶片W，同时也作为下部电极发挥功能。匹配器130a使负载阻抗与高频电源130的内部(或者输出)阻抗匹配。在腔室C内生成等离子体时，匹配器130a以使高频电源130的内部阻抗与负载阻抗表面上一致的方式发挥功能。在腔室C的顶部设置有喷头110。喷头110也作为上部电极发挥功能。来自高频电源130的高频电力施加在载置台120与喷头110之间。气体从喷头110的气体导入口140被导入到设置在喷头110的内部的缓冲空间110b中，通过在喷头110的下面形成的多个气体通气孔110a被喷出到腔室C内。处理装置101a利用向腔室C内供给的所希望的气体的等离子体对半导体晶片W施行微细加工。利用流量控制器FD控制向腔室C内供给的气体。在本实施例中，流量控制器FD例如是压力式的流量控制装置(FCS)。[流量控制器FD的结构例]流量控制器FD与用于从气体供给源GS向处理装置101a供给气体的气体供给管150连接。气体供给管150与处理装置101a的气体导入口140连接。在流量控制器FD的上游侧(气体供给源GS侧)配置一次侧阀FV1，在流量控制器FD的下游侧(半导体制造装置侧)配置二次侧阀FV2。一次侧阀FV1和二次侧阀FV2能够被控制成全开或者全闭。流量控制器FD具有控制阀201、对控制阀201的开度进行控制的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种向处理装置供给气体的气体供给系统，其特征在于，包括：构成所述气体供给系统的多个构成部件；和用于配置所述多个构成部件的基座，在所述多个构成部件中，一部分构成部件配置于所述基座的一个面，另一部分构成部件配置于作为所述基座的所述一个面的背面的另一个面。

【技术特征摘要】
2015.06.19 JP 2015-1237031.一种向处理装置供给气体的气体供给系统，其特征在于，包括：构成所述气体供给系统的多个构成部件；和用于配置所述多个构成部件的基座，在所述多个构成部件中，一部分构成部件配置于所述基座的一个面，另一部分构成部件配置于作为所述基座的所述一个面的背面的另一个面。2.如权利要求1所述的气体供给系统，其特征在于：在所述多个构成部件中，包括：控制所述气体的流量的流量控制器；上游阀，其在所述气体流动的方向上，上游侧与所述气体的供给源连接，下游侧与所述流量控制器连接；和下游阀，其在所述气体流动的方向上，上游侧与所述流量控制器连接，下游侧与所述处理装置连接，所述流量控制器配置于所述基座的一个面，所述上游阀和所述下游阀配置于所述基座的另一个面。3.如权利要求2所述的气体供给系统，其特征在于，包括：第一配管，其连接所述上游阀和所述流量控制器，供所述气体流通；和第二配管，其连接所述流量控制器和所述下游阀，供所述气体流通，所述第一配管和所述第二配管贯通所述基座且在所述基座的内部形成为直线状。4.如权利要求3所述的气体供给系统，其特征在于：所述流量控制器是具有控制阀和节流孔的压力控制式流量计，所述控制阀与所述节流孔之间的所述气体的流路的容积V1和所述节流孔与所述下游阀之间的所述气体的流路的容积V2具有V1/V2≥9的关系。5.如权利要求4所述的气体供给系统，其特征在于：所述控制阀与所述节流孔之间的所述气体的流路的容积V1和所述节流孔与所述下游阀之间的所述气体的流路的容积V2具有V1/V2≤200的关系。6.如权利要求3所述的气体供给系统，其特征在于：所述上游阀经由排气阀与排气装置连接。7.一种气体供给控制方法，其在向处理装置供给气体的气体供给系统中，控制向所述处理装置的所述气体的供给，所述气体供给控制方法的特征在于：所述气体供给系统包括：控制所述气体的流量的流量控制器；上游阀，其在所述气体流动的方向上，上游侧与所述气体的供给源连接，下游侧与所述流量控制器连接；下...

【专利技术属性】
技术研发人员：泽地淳，网仓纪彦，佐藤好保，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP