蚀刻装置、蚀刻方法、基板的制造方法及基板制造方法及图纸

蚀刻装置(100)包括：蚀刻槽(110)，具有基板搬入口(111)及基板搬出口(112)；搬运装置(120)，从基板搬入口(111)朝向基板搬出口(112)搬运基板(500)；喷嘴(130)，设置在蚀刻槽(110)的内部，向由搬运装置(120)搬运的基板500的背面(510)喷吹反应气体；及气流控制装置(140)，设置在蚀刻槽(110)的内部，抑制从基板搬入口(111)及基板搬出口(112)流入到蚀刻槽(110)的内部的外部气体向基板(500)的背面(510)与喷嘴(130)之间的间隙(131)的流入。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及蚀刻装置、蚀刻方法、基板的制造方法及基板。
技术介绍
在平板显示器等的制造工艺中，已知有由于基板与工作台等接触时产生的静电而基板带电的情况。因此，为了抑制这样的带电，提出了利用含有HF系气体的等离子体对基板载置于工作台等的一侧的面(以下，称为“背面”)进行蚀刻而使基板的背面实现粗糙面化的方案(例如，参照专利文献1)。而且，已知有使含氟气体、水蒸汽、等离子体发生反应来产生含有HF系气体的反应气体，将该反应气体向基板喷吹来对基板进行蚀刻的方法(例如，参照专利文献2)。作为蚀刻装置，已知有在玻璃基板的进行化学处理的槽(以下，称为“蚀刻槽”)设有基板搬入口及基板搬出口的结构(例如，参照专利文献3)。为了连续地进行从基板的搬入至基板的搬出为止的工序，使基板搬入口和基板搬出口开放，一边从基板搬入口至基板搬出口搬运基板，一边从设置在基板搬运路径上的喷嘴向基板的一面喷吹反应气体。在先技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2010/128673号专利文献2：日本国特开2007-201067号公报专利文献3：日本国特开2012-216581号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题基板背面内的各部位的粗糙度由该部位所暴露的反应气体的浓度及该部位暴露于反应气体的累计时间这两个要因决定。这些要因由于从基板搬入口及基板搬出口流入的外部气体引起的气流的扰乱而较大地变动。然而，在以往的蚀刻装置中，无法充分地抑制气流的扰乱造成的影响，因此伴随着外部气体向蚀刻槽内部的流入而产生粗糙度的不均匀性。其结果是，难以减少基板背面的静电的带电量。本专利技术鉴于前述情况而作出，其目的在于提供一种能够抑制与外部气体向蚀刻槽的内部的流入相伴的粗糙度的不均匀性的蚀刻装置及蚀刻方法。用于解决课题的方案本专利技术的一方式的蚀刻装置包括：蚀刻槽，具有基板搬入口及基板搬出口；搬运装置，从所述基板搬入口朝向所述基板搬出口搬运基板；喷嘴，设置在所述蚀刻槽的内部，向由所述搬运装置搬运的所述基板的一面喷吹反应气体；及气流控制装置，设置在所述蚀刻槽的内部，抑制从所述基板搬入口及所述基板搬出口流入到所述蚀刻槽的内部的外部气体向所述基板的一面与所述喷嘴之间的间隙的流入。在本专利技术的一方式的蚀刻装置中，所述气流控制装置可以包括：第一通气通路，使从所述基板搬入口朝向所述间隙流入到所述蚀刻槽的内部的外部气体从设置在所述基板搬入口与所述喷嘴之间的第一通气口流入；及第二通气通路，使从所述基板搬出口朝向所述间隙流入到所述蚀刻槽的内部的外部气体从设置在所述基板搬出口与所述喷嘴之间的第二通气口流入。本专利技术的一方式的蚀刻装置可以包括将所述第一通气通路与所述第二通气通路连接的连接通路。本专利技术的一方式的蚀刻装置可以包括对于从所述第一通气通路及所述第二通气通路流入到所述连接通路的外部气体进行吸引的吸引装置。在本专利技术的一方式的蚀刻装置中，可以是，所述第一通气通路设置成在从所述基板搬入口观察时堵塞所述喷嘴的前方，所述第二通气通路设置成在从所述基板搬出口观察时堵塞所述喷嘴的前方。本专利技术的一方式的蚀刻方法中，从具有基板搬入口及基板搬出口的蚀刻槽的所述基板搬入口朝向所述基板搬出口搬运基板，抑制从所述基板搬入口及所述基板搬出口流入到所述蚀刻槽的内部的外部气体向所述基板的一面与喷嘴之间的间隙的流入，并从所述喷嘴向所述基板的一面喷吹反应气体。在本专利技术的一方式的蚀刻方法中，可以是，通过使从所述基板搬入口朝向所述间隙流入到所述蚀刻槽的内部的外部气体从设置在所述基板搬入口与所述喷嘴之间的第一通气口向第一通气通路流入，来抑制从所述基板搬入口流入到所述蚀刻槽的内部的外部气体向所述间隙的流入，并且通过使从所述基板搬出口朝向所述间隙流入到所述蚀刻槽的内部的外部气体从设置在所述基板搬出口与所述喷嘴之间的第二通气口向第二通气通路流入，来抑制从所述基板搬出口流入到所述蚀刻槽的内部的外部气体向所述间隙的流入。在本专利技术的一方式的蚀刻方法中，可以是，对流入到连接通路的外部气体进行吸引，所述连接通路将所述第一通气通路与所述第二通气通路连接。本专利技术的一方式的基板的制造方法是具有利用所述蚀刻方法对基板进行蚀刻的工序的基板的制造方法。本专利技术的一方式的基板具有第一面和与所述第一面相反的一侧的第二面，其中，所述第一面整体的算术平均表面粗糙度的平均值为0.3～1.5nm，所述第一面的周缘部的算术平均表面粗糙度的平均值与所述第一面的中央部的算术平均表面粗糙度不同，所述第一面整体的算术平均表面粗糙度的标准偏差为0.06以下。在本专利技术的一方式的基板中，所述基板的尺寸可以为1500mm×1500mm以上。在本专利技术的一方式的基板中，可以是所述第一面的中央部的算术平均表面粗糙度与所述第一面整体的算术平均表面粗糙度的平均值之差为-0.13以上且0.13以下。专利技术效果根据本专利技术，能够抑制与外部气体向蚀刻槽的内部的流入相伴的粗糙度的不均匀性。附图说明图1是示意性地表示本专利技术的第一实施方式的蚀刻装置的侧视图。图2是本专利技术的第一实施方式的蚀刻装置的喷嘴的剖视图。图3是从基板搬入口侧观察到的喷嘴及气流控制装置的主视图。图4是表示蚀刻槽内的外部气体的流动的示意图，(a)是表示在喷嘴的附近设有第一通气通路和第二通气通路的情况的外部气体的流动的图，(b)是表示在喷嘴的附近未设置这样的通气通路的情况的外部气体的流动的图。图5是表示包含本专利技术的第一实施方式的蚀刻装置的基板制造系统的一部分的侧视图。图6是表示蚀刻槽不包含气流控制装置的情况的喷嘴周边的气压变动分布的图，(a)是基板的前端部到达喷嘴的附近的状态的图，(b)是基板从基板搬入口向基板搬出口搬运的中途的阶段的状态的图，(c)是基板的后端部搬运至喷嘴的附近的状态的图。图7是表示与反应气体的浓度分布相关的数值模拟的计算模型的图，(a)表示蚀刻槽内的比基板靠下的空间的计算模型，(b)是将模拟空间中的喷嘴与基板之间的间隙放大的图。图8是表示与反应气体的浓度分布相关的数值模拟结果的吸引压力依赖性的图，(a)是在导入气流控制装置之前的比较例中，表示计算了间隙内的反应气体的浓度分布的结果的例子的图，(b)、(c)及(d)依次是表示对于PBB＝-0.5Pa、-1Pa、-1.5Pa时的实施例的计算结果的图。图9是表示与反应气体的浓度分布相关的数值模拟结果的吸引压力依赖性的图，(a)是表示比较例的计算结果的图，(b)、(c)及(d)依次是表示PBB＝-0.5Pa、-1Pa、-1.5Pa的情况的实施例的计算结果的图。具体实施方式关于本专利技术的实施方式，使用图1至图4进行说明。图1是示意性地表示蚀刻装置100的侧视图。图2是喷嘴130的剖视图。图3是从基板搬入口侧观察到的喷嘴及气流控制装置的主视图。图4是表示蚀刻槽内的外部气体的流动的示意图。图4(a)是表示在喷嘴130的附近设有第一通气通路141和第二通气通路142的情况的外部气体的流动的图，图4(b)是表示在喷嘴130的附近未设置这样的通气通路的情况的外部气体的流动的图。在图4(a)及图4(b)中，外部气体的流动由粗箭头表示。以下，关于本实施方式的蚀刻装置100，使用图1进行说明。如图1所示，蚀刻装置100包括蚀刻槽110、搬运装置120、喷嘴130、气流控制装置140。蚀刻装置100向基板5本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻装置，包括：蚀刻槽，具有基板搬入口及基板搬出口；搬运装置，从所述基板搬入口朝向所述基板搬出口搬运基板；喷嘴，设置在所述蚀刻槽的内部，向由所述搬运装置搬运的所述基板的一面喷吹反应气体；及气流控制装置，设置在所述蚀刻槽的内部，抑制从所述基板搬入口及所述基板搬出口流入到所述蚀刻槽的内部的外部气体向所述基板的一面与所述喷嘴之间的间隙的流入。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.04.16 JP 2014-0847321.一种蚀刻装置，包括：蚀刻槽，具有基板搬入口及基板搬出口；搬运装置，从所述基板搬入口朝向所述基板搬出口搬运基板；喷嘴，设置在所述蚀刻槽的内部，向由所述搬运装置搬运的所述基板的一面喷吹反应气体；及气流控制装置，设置在所述蚀刻槽的内部，抑制从所述基板搬入口及所述基板搬出口流入到所述蚀刻槽的内部的外部气体向所述基板的一面与所述喷嘴之间的间隙的流入。2.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，所述气流控制装置包括：第一通气通路，使从所述基板搬入口朝向所述间隙流入到所述蚀刻槽的内部的外部气体从设置在所述基板搬入口与所述喷嘴之间的第一通气口流入；及第二通气通路，使从所述基板搬出口朝向所述间隙流入到所述蚀刻槽的内部的外部气体从设置在所述基板搬出口与所述喷嘴之间的第二通气口流入。3.根据权利要求2所述的蚀刻装置，其中，所述蚀刻装置包括将所述第一通气通路与所述第二通气通路连接的连接通路。4.根据权利要求3所述的蚀刻装置，其中，所述蚀刻装置包括对于从所述第一通气通路及所述第二通气通路流入到所述连接通路的外部气体进行吸引的吸引装置。5.根据权利要求2～4中任一项所述的蚀刻装置，其中，所述第一通气通路设置成在从所述基板搬入口观察时堵塞所述喷嘴的前方，所述第二通气通路设置成在从所述基板搬出口观察时堵塞所述喷嘴的前方。6.一种蚀刻方法，其中，从具有基板搬入口及基板搬出口的蚀刻槽的所述基板搬入口朝向所述基板搬出口搬运基板，抑制从所述基板搬入口及所...

【专利技术属性】
技术研发人员：富永龙，佐藤启史，似内佑辅，深泽宁司，城山厚，中谷嘉孝，若林沙枝，
申请(专利权)人：旭硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP