【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
本专利技术涉及微电子装置的封装,尤其涉及半导体器件的封装。微电子装置通常包括半导体材料例如硅或砷化镓的薄板,该薄板通常被称为裸片或半导体芯片。半导体芯片通常作为单独的预封装的单元提供。在一些单元设计中,将半导体芯片安装到基板或芯片载体上,该基板或芯片载体继而安装到电路面板诸如印刷电路板上。有源电路被制作在半导体芯片的第一面(例如正面)中。为了便于电连接至有源电路,芯片在相同的面上设有接合焊盘。接合焊盘通常设置成规则的阵列,其或者围绕裸片的边缘设置,或者对于许多存储器装置而言设置在裸片的中心。接合焊盘通常由大约0.5微米(μm)厚的导电金属诸如铜或铝制成。接合焊盘可包括单层或多层金属。接合焊盘的尺寸将随器件类型而有所不同,但其侧边通常测得为数十至数百微米。内插器可用于在微电子元件诸如一个或多个非封装式或封装式半导体芯片彼此之间、或在一个或多个非封装式或封装式半导体芯片与其他部件之间提供电连接,所述其他部件诸如为其上具有无源电路元件的芯片上集成无源元件(“IPOC”)、分立无源装置,例如电容器、电阻器或感应器或它们的组合,但不限于此。内插器可将这种芯片或多个芯片与其他结构诸如电路面板耦合。在芯片的任何物理布置方式中,尺寸是重要的考虑因素。随着便携式电子装置的迅速发展,使芯片的物理布置方式更为紧凑这一需要变得越来越强烈。仅以举例的方式,通常称为“智能手机”的装置将移动电话的功能与强大的数据处 ...
【技术保护点】
一种制备部件的方法,所述方法包括:在导电层的第一导电部分上方形成掩模,以暴露所述导电层的第二导电部分,执行电解工艺以从所述第二导电部分的第一区域和第二区域移除导电材料,相对于所述电解工艺所施加的电场,所述第二区域与所述掩模对齐,所述第二区域将所述第二导电部分的所述第一区域与所述第一导电部分分隔开,所述电解工艺相对于所述第二区域集中,使得与在所述第一区域中相比,在所述第二区域中以相对更高的比率进行移除。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.10.04 US 14/046,4431.一种制备部件的方法,所述方法包括:
在导电层的第一导电部分上方形成掩模,以暴露所述导电层的
第二导电部分,
执行电解工艺以从所述第二导电部分的第一区域和第二区域移
除导电材料,相对于所述电解工艺所施加的电场,所述第二区域与
所述掩模对齐,所述第二区域将所述第二导电部分的所述第一区域
与所述第一导电部分分隔开,所述电解工艺相对于所述第二区域集
中,使得与在所述第一区域中相比,在所述第二区域中以相对更高
的比率进行移除。
2.根据权利要求1所述的制备部件的方法,其中通过所述电解工艺完
全移除所述第二导电部分的所述第二区域,以使所述第一导电部分
与所述第二导电部分的所述第一区域电隔离,从而形成多个导电通
孔。
3.根据权利要求2所述的制备部件的方法,其中所述第二导电部分的
所述第一区域形成围绕每个单独形成的导电通孔的连续共用元件的
一部分,所述连续共用元件比与之相邻的所述所形成的导电通孔要
短。
4.根据权利要求2所述的制备部件的方法,其中所述导电通孔中的至
少一者具有在20:1与40:1之间范围内的高度与宽度的纵横比。
5.根据权利要求2所述的制备部件的方法,所述方法还包括在所述第
一导电部分与所述第二导电部分的所述第一区域之间形成绝缘层,
以形成内插器的至少一部分。
6.根据权利要求5所述的制备部件的方法,所述方法还包括在形成所
述绝缘层之前形成阻挡层,所述阻挡层提供热绝缘和导电性中的至
少一者。
7.根据权利要求5所述的制备部件的方法,所述方法还包括对所述绝
缘层的至少一部分进行平面化,以暴露至少一些所述通孔的顶部表
\t面,使得至少所述绝缘层的所述平面化部分与所述通孔的所述顶部
表面形成平整表面。
8.根据权利要求7所述的制备部件的方法,所述方法还包括形成至少
第一布线层,所述布线层在与所述部件的主表面平行的至少一个方
向上延伸,所述布线层与至少一些所述暴露通孔电耦合。
9.根据权利要求5所述的制备部件的方法,其中所述第二导电部分的
至少表面被配置成充当机械支撑件、热导体和电接地中的至少一
者。
10.根据权利要求5所述的制备部件的方法,其中所述第一导电部分被
配置为导电通孔的至少一部分。
11.根据权利要求10所述的制备部件的方法,其中在形成所述内插器
后,所述导电通孔从所述内插器的第一侧面延伸到所述内插器的第
二侧面,所述第二导电部分被配置成为耦合至所述内插器的部件提
供热路径功能和电接地路径功能中的至少一者。
12.根据权利要求1所述的制备部件的方法,其中所述电解工艺包括搅
拌电解浴槽以及在电解材料移除工艺与电解电镀工艺之间交替,所
述电解移除工艺比所述电解电镀工艺相对更长,并且处于比所述电
解电镀工艺相对更高的电流密度,
其中所述电解浴槽包含络合剂,并且其中提高所述络合剂的浓
度会降低离子在所述电解浴槽中的迁移率。
13.根据权利要求12所述的制备部件的方法,其中所述电解浴槽包含钝
化剂,所述钝化剂被选择为使所述电解移除工艺集中...
【专利技术属性】
技术研发人员:C·E·尤佐,A·R·西塔拉姆,
申请(专利权)人:伊文萨思公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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