基板清洗装置以及基板清洗方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供基板清洗装置以及基板清洗方法。在抑制图案塌陷、基底膜的侵蚀的同时将附着于基板的微粒去除。实施方式的基板清洗装置包括第1液供给部和第2液供给部。第1液供给部用于向基板供给处理液，该处理液含有挥发成分，用于在基板上形成膜。第2液供给部用于对被第1液供给部供给到基板上的、因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化了的处理液供给用于将处理液全部去除的去除液。

【技术实现步骤摘要】
基板清洗装置以及基板清洗方法本申请是申请号为201310334657.7，申请日为2013年8月2日，专利技术创造名称为“基板清洗装置、基板清洗系统以及基板清洗方法”的申请的分案申请。
本专利技术涉及基板清洗装置以及基板清洗方法。
技术介绍
以往，公知有用于将附着于硅晶圆、化合物半导体晶圆等基板的微粒去除的基板清洗装置。作为这种基板清洗装置，存在利用向基板的表面供给液体、气体等流体而产生的物理力来去除微粒的基板清洗装置(参照专利文献1)。另外，还公知有向基板的表面供给SC1等药液而利用供给的药液所具有的化学作用(例如，蚀刻作用)来去除微粒的基板清洗装置(参照专利文献2)。专利文献1：日本特开平8－318181号公报专利文献2：日本特开2007－258462号公报然而，如果采用如专利文献1所记载的技术那样利用物理力来去除微粒的方法，则有可能使形成于基板的表面的图案在物理力的作用下发生倒塌(日文：倒壊)。另外，如果采用如专利文献2所记载的技术那样利用药液的化学作用来去除微粒的方法，则例如有可能基板的基底膜因蚀刻作用等而被侵蚀。
技术实现思路
实施方式的一技术方案的目的在于提供能够在抑制图案塌陷(日文：パターン倒れ)、基底膜的侵蚀的同时将附着于基板的微粒去除的基板清洗装置、基板清洗系统以及基板清洗方法。实施方式的一技术方案的基板清洗装置包括第1液供给部和第2液供给部。第1液供给部用于向基板供给处理液，该处理液含有挥发成分，用于在基板上形成膜。第2液供给部用于对被第1液供给部供给到基板上的、因挥发成分挥发而在基板上硬化了的处理液供给用于将处理液全部去除的去除液。采用实施方式的一技术方案，能够在抑制图案塌陷、基底膜的侵蚀的同时将附着于基板的微粒去除。附图说明图1是表示第1实施方式的基板清洗系统的概略结构的示意图。图2A是基板清洗方法的说明图。图2B是基板清洗方法的说明图。图2C是基板清洗方法的说明图。图3是表示第1实施方式的基板清洗装置的结构的示意图。图4是表示基板清洗装置所执行的基板清洗处理的处理步骤的流程图。图5A是基板清洗装置的动作说明图。图5B是基板清洗装置的动作说明图。图5C是基板清洗装置的动作说明图。图5D是基板清洗装置的动作说明图。图5E是基板清洗装置的动作说明图。图5F是基板清洗装置的动作说明图。图6是表示第2实施方式的基板清洗装置的结构的示意图。图7是表示第3实施方式的基板清洗装置的结构的示意图。图8是第3实施方式的基板清洗装置的动作说明图。图9是表示第4实施方式的基板清洗装置的结构的示意图。图10A是表示第5实施方式的旋转保持机构的结构的示意图。图10B是表示第5实施方式的旋转保持机构的结构的示意图。图11A是表示晶圆的倒换时刻的图。图11B是表示晶圆的倒换时刻的另一个例子的图。图12A是本清洗方法与双流体清洗之间的比较条件的说明图。图12B是本清洗方法与双流体清洗之间的比较条件的说明图。图13是表示本清洗方法与双流体清洗之间的比较结果的图。图14是表示本清洗方法与药液清洗之间的比较结果的图。图15是表示本清洗方法与药液清洗之间的比较结果的图。具体实施方式以下，参照附图来详细说明本专利技术的基板清洗装置、基板清洗系统以及基板清洗方法的实施方式。此外，本专利技术并不受以下所示的实施方式的限定。第1实施方式基板清洗系统的概略结构首先，使用图1来说明第1实施方式的基板清洗系统的概略结构。图1是表示第1实施方式的基板清洗系统的概略结构的图。此外，以下，为了使位置关系清楚，对互相正交的X轴、Y轴及Z轴进行规定，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。另外，以下，将X轴负方向侧规定为基板清洗系统的前方，将X轴正方向侧规定为基板清洗系统的后方。如图1所示，基板清洗系统100包括输入输出站1、输送站2以及处理站3。上述输入输出站1、输送站2以及处理站3自基板清洗系统100的前方起朝向后方去按照输入输出站1、输送站2以及处理站3的顺序配置。输入输出站1是用于载置以水平状态收容多张(例如，25张)晶圆W的承载件C的场所，于输入输出站1例如将4个承载件C以在贴紧输送站2的前壁的状态下沿左右方向排列的方式载置。输送站2配置于输入输出站1的后方，且在内部具有基板输送装置2a和基板交接台2b。在该输送站2中，基板输送装置2a用于在载置于输入输出站1的承载件C与基板交接台2b之间交接晶圆W。处理站3配置于输送站2的后方。在该处理站3的中央部配置有基板输送装置3a，在该基板输送装置3a的左右两侧，分别以沿前后方向排列的方式配置有多个(此处，为各6个)基板清洗装置5。在该处理站3中，基板输送装置3a用于在输送站2的基板交接台2b与各基板清洗装置5之间1张1张地输送晶圆W，各基板清洗装置5用于1张1张地对晶圆W进行基板清洗处理。另外，基板清洗系统100包括控制装置6。控制装置6是用于控制基板清洗系统100的动作的装置。该控制装置6例如是计算机，其包括未图示的控制部和存储部。在存储部中存储有用于控制基板清洗处理等各种处理的程序。控制部通过读取并执行被存储在存储部中的程序来控制基板清洗系统100的动作。此外，该程序既可以是存储在可由计算机读取的存储介质中的程序，也可以是从该存储介质安装到控制装置6的存储部中的程序。作为可由计算机读取的存储介质，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、光磁盘(MO)以及存储卡等。此外，在图1中，为了方便，示出了控制装置6设置于基板清洗系统100的外部的情况，但控制装置6也可以设置于基板清洗系统100的内部。例如，控制装置6能够被收容在基板清洗装置5的上部空间中。在如此构成的基板清洗系统100中，首先，输送站2的基板输送装置2a从载置于输入输出站1的承载件C取出1张晶圆W并将取出后的晶圆W载置于基板交接台2b。利用处理站3的基板输送装置3a输送被载置于基板交接台2b的晶圆W而将该晶圆W输入到任一基板清洗装置5中。在利用基板清洗装置5对被输入到该基板清洗装置5中的晶圆W实施了基板清洗处理之后，利用基板输送装置3a将该晶圆W自基板清洗装置5输出并将该晶圆W再次载置于基板交接台2b。然后，利用基板输送装置2a将载置于基板交接台2b的处理完成后的晶圆W返回到承载件C。此处，在以往的基板清洗装置中，进行利用物理力的微粒去除、利用药液的化学作用的微粒去除。然而，在采用上述方法时，有可能使形成于晶圆的表面的图案在物理力的作用下倒塌，或晶圆的基底膜因蚀刻作用等而被侵蚀。因此，在第1实施方式的基板清洗装置5中，替代上述方法而利用处理液的体积变化来去除微粒，由此，在抑制图案塌陷、基底膜的侵蚀的同时将附着于晶圆W的微粒去除。基板清洗方法的内容接下来，使用图2A～图2C来说明第1实施方式的基板清洗装置5所进行的基板清洗方法的内容。图2A～图2C是基板清洗方法的说明图。如图2A所示，在第1实施方式中，作为处理液，使用含有挥发成分的、用于在晶圆W上形成膜的处理液(以下，记载为“成膜用处理液”)。具体而言，使用用于在晶圆W上形成外涂层(topcoat)膜的成膜用处理液(以下，记载为“外涂层液”)。此外，外涂层膜是为了防止液浸液向抗蚀剂膜浸入而涂敷于抗蚀剂膜的上表面的保护膜。液浸液例如是光刻工序中的浸液曝光所使用的液体。如图2A所示，基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板清洗装置，其特征在于，具备：基板保持部，其具备用于保持基板的第1保持部和能够相对于上述第1保持部独立地进行动作的第2保持部；第1液供给部，其用于向上述基板供给处理液，该处理液含有挥发成分，用于在上述基板上形成膜；第2液供给部，其用于对被上述第1液供给部供给到上述基板上的、因上述挥发成分挥发而在上述基板上固化或硬化了的处理液供给用于将该处理液全部去除的去除液；以及腔室，其用于收容上述基板保持部、上述第1液供给部以及上述第2液供给部，其中，在从上述第1液供给部向上述基板供给上述处理液时，通过上述第1保持部来保持上述基板，在从上述第2液供给部向上述基板供给上述去除液时，通过上述第2保持部来保持上述基板。

【技术特征摘要】
2012.08.07 JP 2012-175417;2012.10.16 JP 2012-229161.一种基板清洗装置，其特征在于，具备：基板保持部，其具备用于保持基板的第1保持部和能够相对于上述第1保持部独立地进行动作的第2保持部；第1液供给部，其用于向上述基板供给处理液，该处理液含有挥发成分，用于在上述基板上形成膜；第2液供给部，其用于对被上述第1液供给部供给到上述基板上的、因上述挥发成分挥发而在上述基板上固化或硬化了的处理液供给用于将该处理液全部去除的去除液；以及腔室，其用于收容上述基板保持部、上述第1液供给部以及上述第2液供给部，其中，在从上述第1液供给部向上述基板供给上述处理液时，通过上述第1保持部来保持上述基板，在从上述第2液供给部向上述基板供给上述去除液时，通过上述第2保持部来保持上述基板。2.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于，上述第1保持部和上述第2保持部用于保持上述基板的周缘部。3.根据权利要求2所述的基板清洗装置，其特征在于，在从上述第2液供给部向上述基板供给上述去除液时进行通过上述第1保...

【专利技术属性】
技术研发人员：金子都，折居武彦，志村悟，山下刚秀，菅野至，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP