The invention discloses a method for manufacturing thick DBC substrate, which comprises the following steps: the first step, the surface of the ceramic substrate pretreatment; the second step, cleaning of ceramic substrate and copper; the third step oxidation of copper in the first protective atmosphere; in the fourth step, second protective atmosphere, at least one after oxidation treatment of the copper flat on the surface of at least one side of the substrate on the ceramic sintering; the sintering temperature is lower than the melting point of copper, but higher than that of copper / oxygen system of the eutectic temperature to achieve temperature DCB. The present invention thickened DBC substrate manufacturing method and DBC substrate fabricated using the method to solve the thick porcelain is larger than 2 mm DBC substrate DBC substrate for sintering, meet the product requirements of RF devices.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造领域,涉及功率半导体,特别是射频器件方面的应用,特别是一种加厚DBC基板制造方法及使用该方法制造的DBC基板。
技术介绍
在陶瓷直接覆铜DBC基板产品中,瓷片的厚度一般是不超过1.0毫米。应用于射频领域的DBC基板,由于通过的电流大,要求表面的电感量大,要求瓷片的厚度2.0毫米以上。瓷厚小于1.0毫米DBC基板,表面的电感量小无法满足使用要求。用传统的DBC基板制造工艺来生产瓷厚≥2.0毫米DBC基板,由于铜和陶瓷热传导系数相差较大,烧结时铜片与陶瓷无法很好结合:1)铜片与陶瓷会出现大面积未烧结现象;2)铜片与陶瓷结合面上产生大量气泡。导致良率低,无法量产。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种铜与陶瓷基材结合面气泡少、良品率高的加厚DBC基板制造方法及使用该方法制造的DBC基板。为解决上述技术问题,本专利技术加厚DBC基板制造方法,包括如下步骤:第一步,对瓷片基材的表面进行前处理;第二步,对瓷片基材和铜片进行清洗;第三步,在第一保护气氛下对铜片进行氧化;第四步,在第二保护气氛下,将至少一个经过氧化处理的铜片平放在瓷片基材的至少一侧的表面上进行烧结处理;其中,烧结的温度为低于铜的熔点、但高于铜/氧系统的低共熔温度的DCB温度来实现。第四步中,是将至少两个铜片分别平放在瓷片基材的两侧的表面上进行烧结复合。第一步中,是用200目~300目氧化铝 ...
【技术保护点】
加厚DBC基板制造方法,其特征在于,包括如下步骤:第一步,对瓷片基材的表面进行前处理;第二步,对瓷片基材和铜片进行清洗;第三步,在第一保护气氛下对铜片进行氧化;第四步,在第二保护气氛下,将至少一个经过氧化处理的铜片平放在瓷片基材的至少一侧的表面上进行烧结处理;其中,烧结的温度为低于铜的熔点、但高于铜/氧系统的低共熔温度的DCB温度来实现。
【技术特征摘要】
1.加厚DBC基板制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
第一步,对瓷片基材的表面进行前处理;
第二步,对瓷片基材和铜片进行清洗;
第三步,在第一保护气氛下对铜片进行氧化;
第四步,在第二保护气氛下,将至少一个经过氧化处理的铜片平放在
瓷片基材的至少一侧的表面上进行烧结处理;
其中,烧结的温度为低于铜的熔点、但高于铜/氧系统的低共熔温度的
DCB温度来实现。
2.根据权利要求1的加厚DBC基板制造方法,其特征在于,第四步中,
是将至少两个铜片分别平放在瓷片基材的两侧的表面上进行烧结复合。
3.根据权利要求1的加厚DBC基板制造方法,其特征在于,第一步中,
是用200目~300目氧化铝粉,3kgf/cm2~5kgf/cm2压力,对瓷片基材的表
面进行喷砂处理。
4.根据权利要求1的加厚DBC基板制造方法,其特征在于,第二步中,
对瓷片基材和铜片清洗的清洗液为碱液和去离子水。
5.根据权利要求1的加厚DBC基板制造方法,其特征在于,第三步中,
对铜片进行氧化的温度设定为500℃~1000℃,氧化时间为15分钟~30分
钟;第一保护气氛为氮...
【专利技术属性】
技术研发人员:祝林,贺贤汉,戴洪兴,
申请(专利权)人:上海申和热磁电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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