阵列基板及其制造方法、液晶显示器技术

技术编号:15070503 阅读:69 留言:0更新日期:2017-04-06 17:31
本发明专利技术公开了阵列基板及其制造方法、液晶显示器,该阵列基板包括衬底基板以及依次形成于衬底基板上的反射层以及彩膜层;其中,彩膜层的厚度从彩膜层的中间向彩膜层的边缘减小。通过上述方式,本发明专利技术能够扩大显示器的视角,增加显示器的亮度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
,特别是涉及阵列基板及其制造方法、液晶显示器
技术介绍
液晶显示器(LiquidCrystalDisplay,LCD),根据其所使用的光源的类型和光源的设置方式,可以分为透射式液晶显示器、半透射式液晶显示器和反射式液晶显示器。就反射式液晶显示器而言,其通过反射环境光,或者反射设置于显示面板前方的光源发出的光线来显示画面。由于受限于环境光或前方光源的入射方向限制,现有反射式液晶显示面板的显示视角太小,且亮度不够均匀。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供阵列基板及其制造方法、液晶显示器,能够扩大显示器的视角,增加显示器的亮度。为解决上述技术问题,本专利技术采用的一个技术方案是:提供一种阵列基板,该阵列基板包括衬底基板以及依次形成于衬底基板上的反射层以及彩膜层;其中,彩膜层的厚度从彩膜层的中间向彩膜层的边缘减小。其中,彩膜层靠近反射层的一面为平面,背离反射层的一面为曲面。其中,彩膜层为红色光阻层、绿色光阻层或蓝色光阻层。其中,还包括设置在反射层靠近衬底基板一侧的薄膜晶体管以及依序设置在彩膜层远离衬底基板一侧的像素电极、绝缘层和公共电极。其中,薄膜晶体管包括依次形成于衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、源漏层;其中,源漏层包括低温多晶硅以及在低温多晶硅两侧经过掺杂分别形成的源极和漏极。其中,反射层为金属反射层,金属反射层与漏极连接;金属反射层通过彩膜层上的通孔与像素电极连接。为解决上述技术问题,本专利技术采用的另一个技术方案是:提供一种阵列基板的制造方法,该方法包括:提供一衬底基板;在衬底基板上依次形成反射层以及彩膜层;对彩膜层进行蚀刻,以使彩膜层中间的厚度大于边缘的厚度。其中,彩膜层采用负性光刻胶制成;对彩膜层进行蚀刻,以使彩膜层中间的厚度大于边缘的厚度,包括:采用遮光板遮挡彩膜层;其中,遮光板的透光率从遮光板的中间向遮光板的边缘减小;对彩膜层进行曝光;对彩膜层进行显影,以使彩膜层的厚度从彩膜层的中间向彩膜层的边缘减小。其中,在衬底基板上依次形成反射层以及彩膜层之前,还包括:在衬底基板上形成薄膜晶体管;对彩膜层进行蚀刻,以使彩膜层中间的厚度大于边缘的厚度之后,还包括:在彩膜层上依次形成像素电极、绝缘层以及公共电极。为解决上述技术问题,本专利技术采用的另一个技术方案是:提供一种液晶显示器,该液晶显示器包括阵列基板、上基板以及阵列基板和上基板之间的液晶层;其中,阵列基板是如上的阵列基板。本专利技术的有益效果是:区别于现有技术的情况,本专利技术的阵列基板包括衬底基板以及依次形成于衬底基板上的反射层以及彩膜层;其中,彩膜层的厚度从彩膜层的中间向彩膜层的边缘减小。通过上述方式,彩膜层采用中间厚、边缘薄的结构,形成近似的平凸镜,对入射光纤反射后形成的反射光具有发散作用,进而使光线的出射角被放大,扩大了显示器的视角,增加显示器的亮度。附图说明图1是本专利技术阵列基板第一实施方式的结构示意图;图2是本专利技术阵列基板第一实施方式的光路示意图;图3是本专利技术阵列基板第二实施方式的结构示意图;图4是本专利技术阵列基板的制作方法一实施方式的流程示意图;图5是本专利技术阵列基板的制作方法一实施方式中彩膜层的制作示意图;图6是本专利技术液晶显示器一实施方式的结构示意图。具体实施方式参阅图1,本专利技术阵列基板第一实施方式的结构示意图,该阵列基板包括衬底基板11以及依次形成于衬底基板11上的反射层12以及彩膜层13。其中,衬底基板11一般为透明的玻璃基板。其中,彩膜层13的厚度从彩膜层13的中间向彩膜层13的边缘减小。可选的,在本实施方式中,彩膜层13靠近反射层12的一面为平面,背离反射层12的一面为曲面。可选的,彩膜层13为红色光阻层、绿色光阻层或蓝色光阻层。可以理解的,图1所示仅为阵列基板一个像素的截面图,其中的彩膜层13仅有一种颜色,在整个阵列基板上,相邻的像素点的颜色不同,例如,可以是红、绿、蓝三色交替阵列分布。如图2所示,其中,向下的箭头表示入射光,向上的箭头表示出射光。可以理解的,彩膜层13靠近反射层12的一面为平面,背离反射层12的一面为曲面。即彩膜层13的一部分为类似平凸镜的结构,平凸镜能够汇聚光线,当入射光线照射到彩膜层13后经过彩膜层13的折射和反射层12的反射后使光线的出射角度被放大。区别于现有技术,本实施方式的阵列基板包括衬底基板以及依次形成于衬底基板上的反射层以及彩膜层;其中,彩膜层的厚度从彩膜层的中间向彩膜层的边缘减小。通过上述方式,彩膜层采用中间厚、边缘薄的结构,形成近似的平凸镜,对入射光纤反射后形成的反射光具有发散作用,进而使光线的出射角被放大,扩大了显示器的视角,增加显示器的亮度。参阅图3,本专利技术阵列基板第二实施方式的结构示意图,该阵列基板包括衬底基板31以及依次形成于该衬底基板31上的薄膜晶体管32、反射层33、彩膜层34,像素电极35,绝缘层36以及公共电极37。其中,薄膜晶体管32包括依次形成于衬底基板上31的栅极321、栅极绝缘层322、源漏层;其中,源漏层包括低温多晶硅323以及在低温多晶硅323两侧经过掺杂分别形成的源极324和漏极325。具体地的,在栅极绝缘层322上形成低温多晶硅323,并对该低温多晶硅323的两侧进行重型掺杂,再在低温多晶硅323上形成一层金属,并对金属进行图形化,以分别形成源极324、漏极325以及反射层33。其中,漏极325和反射层33是连接的,源极324和漏极325分别连接低温多晶硅323上经过重型掺杂的两侧。另外,金属反射层33通过彩膜层34上的通孔341与像素电极35连接。在具体实现中,当连接栅极321的扫描信号使薄膜晶体管32导通时,即源极324和漏极325导通,连接源极324的数据线将数据信号通过源极324、漏极325、反射层33传递到像素电极35,以使像素电极35和公共电极37之间形成压差,使液晶分子发生偏转,从而控制图像的显示。可选的,在其他实施方式中,公共电极37也可以不设置在阵列基板上,而是设置在上基板上,液晶分子位于上基本和阵列基板之间。可选的,在其他实施方式中,薄膜晶体管32也可以是顶栅型的,其掺杂方式也可以进行替换。可以理解的,本实施方式中对于除反射层33和彩膜层34之外的其他结构,均为举例,并不限制本专利技术的保本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板,其特征在于,包括衬底基板以及依次形成于所述衬底基板上的反射层以及彩膜层;其中,所述彩膜层的厚度从所述彩膜层的中间向所述彩膜层的边缘减小。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括衬底基板以及依次形成于所述
衬底基板上的反射层以及彩膜层;
其中,所述彩膜层的厚度从所述彩膜层的中间向所述彩膜层的边缘
减小。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述彩膜层靠近
所述反射层的一面为平面,背离所述反射层的一面为曲面。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述彩膜层为红
色光阻层、绿色光阻层或蓝色光阻层。
4.根据权利要求1至3任一项所述的阵列基板,其特征在于,还包
括设置在所述反射层靠近所述衬底基板一侧的薄膜晶体管以及依序设
置在所述彩膜层远离所述衬底基板一侧的像素电极、绝缘层和公共电
极。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管
包括依次形成于所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、源漏层;
其中,所述源漏层包括低温多晶硅以及在所述低温多晶硅两侧经过
掺杂分别形成的源极和漏极。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述反射层为金
属反射层,所述金属反射层与所述漏极连接;
所述金属反射层通过所述彩膜层上的通孔与所述像素电极连接。
7.一种阵列基板的制造方法,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐向阳
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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