阵列基板及阵列基板的制备方法技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及阵列基板的制备方法。阵列基板包括基板及设置在基板同侧的交错且绝缘设置的多个栅极线及多个数据线，以及多个与栅极线平行且与数据线绝缘的多个公共电极线，基板包括第一表面，栅极线设置在第一表面上，相邻的两条栅极线及相邻的两条数据线之间限定一个像素区域，像素区域内设置薄膜晶体管，公共电极，像素电极及存储电容，薄膜晶体管包括栅极、沟道层、源极及漏极，存储电容包括第一导电部及第二导电部，栅极、公共电极线、公共电极及第一导电部设置在第一表面，且公共电极与公共电极线电连接，沟道层、源极漏极、第二导电部及像素电极设置在第一绝缘层上且源极与漏极设置在沟道层相对的两端，且像素电极为金属层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及阵列基板的制备方法。
技术介绍
显示设备，比如液晶显示器(LiquidCrystalDisplay,LCD)是一种常用的电子设备，由于其具有功耗低、体积小、重量轻等特点，因此备受用户的青睐。半透半反式液晶显示装置(Trans-flectiveLiquidCrystalDisplay)同时具有透射式和反射式特性，半透半反式液晶面板在一个像素域内包括有透明电极的透射区和有反射层的反射区。在黑暗的地方可以利用像素区域的透射区和背光源来显示画像，在明亮的地方利用像素区域的反射区和外光来显示画像。因此，半透半反式液晶显示装置可以适应不同的亮暗环境而得到广泛应用。现有技术中，所述半透半反式液晶显示装置中反射外来光线的能力较弱，从而导致半透半反式液晶显示装置在反射外来光线时显示画面时的显示质量较差。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板，所述阵列基板包括基板及设置在所述基板同侧的多个栅极线及多个数据线，所述基板包括第一表面，所述多个栅极线设置在所述第一表面上，且所述多个栅极线向第一方向延伸且沿第二方向间隔排布，所述多个数据线与所述多个栅极线通过第一绝缘层绝缘设置，且所述多个数据线向所述第二方向延伸且沿所述第一方向间隔排布，所述阵列基板还包括多个公共电极线，所述多个公共电极线与所述多个栅极线平行，一个公共电极线设置于相邻的两个栅极线之间，且所述公共电极线与所述数据线通过所述第一绝缘层绝缘设置，相邻的两条栅极线及相邻的两条数据线之间限定一个像素区域，所述阵列基板还包括设置在所述像素区域内的薄膜晶体管，公共电极，像素电极及存储电容，所述薄膜晶体管包括栅极、所述第一绝缘层、沟道层、源极及漏极，所述栅极设置在所述第一表面上，所述公共电极与所述公共电极线电连接且所述公共电极与所述公共电极线设置在所述第一表面上，所述存储电容包括第一导电部及第二导电部，所述第一导电部设置在所述第一表面上，所述第一导电部上设置所述第一绝缘层，所述第二导电部设置在所述第一绝缘层上且与所述第一导电部对应，所述沟道层、所述源极及所述漏极设置在所述第一绝缘层上且所述源极与所述漏极设置在所述沟道层相对的两端，所述像素电极设置在所述第一绝缘层上，且所述像素电极为金属层，用于反射入射至所述像素电极的光线，一第二绝缘层覆盖所述沟道层、所述源极、所述漏极、所述像素电极、所述第二部分及所述数据线。其中，所述公共电极线及所述公共电极为金属层，分别用于反射入射至所述公共电极线及所述公共电极的光线。其中，所述第一导电部及所述第二导电部为金属层。其中，所述薄膜晶体管还包括第一欧姆接触层，所述第一欧姆接触层设置在所述沟道层与所述源极之间，用于减小所述沟道层与所述源极之间的接触电阻。其中，所述薄膜晶体管还包括第二欧姆接触层，所述第二欧姆接触层设置在所述沟道层与所述漏极之间，用于减小所述沟道层与所述漏极之间的接触电阻。其中，所述第一绝缘层包括对应所述栅极线开设的第一贯孔，所述第二绝缘层包括对应所述第一贯孔开设的第二贯孔及对应所述数据线开设的第三贯孔，一栅极端子通过所述第一贯孔及所述第二贯孔电连接所述栅极线，一数据端子通过所述第三贯孔电连接所述数据线，其中，所述栅极端子及所述数据端子为导电的。本专利技术还提供了一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板的制备方法包括：提供基板；在所述基板的第一表面设置整层的第一金属层；图案化所述第一金属层，以形成多个沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布的栅极线，以及设置在相邻的两条栅极线之间的且间间隔设置的栅极、第一导电部、与每个栅极线对应且平行的公共电极线以及与公共电极线连接且朝远离所述栅极线延伸的公共电极；形成覆盖所述栅极、所述第一导电部、所述栅极线、所述公共电极线及所述公共电极的第一绝缘层；在所述第一绝缘层远离所述基板的表面形成与所述栅极对应设置的沟道层；形成覆盖所述第一绝缘层及所述沟道层的第二金属层；图案化所述第二金属层，以形成多个沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向排布的数据线，以及设置在相邻的两条数据线之间且对应所述沟道层两端设置的源极及漏极、与所述漏极间隔的像素电极、与所述第一导电部对应的第二导电部；形成覆盖所述沟道层、所述源极、所述漏极、所述像素电极、所述第二导电部及所述数据线的第二绝缘层。其中，在所述步骤“在所述第一绝缘层远离所述基板的表面形成与所述栅极对应设置的沟道层”包括：在所述第一绝缘层远离所述基板的表面形成整层的非晶硅层；图案化所述非晶硅层，保留对应所述栅极设置的所述非晶硅层；对保留的所述非晶硅层的两端进行离子掺杂，以分别形成第一欧姆接触层及第二欧姆接触层，未进行离子掺杂的所述非晶硅层为所述沟道层。其中，所述阵列基板的制备方法还包括：在所述第一绝缘层上开设对应所述栅极线的第一贯孔，在所述第二绝缘层上开设对应所述第一贯孔的第二贯孔及对应所述数据线的第三贯孔；在所述第二绝缘层层形成导电材料层；图案化所述导电材料层，保留对应所述第二贯孔及所述第一贯孔的导电材料层以及对应所述第三贯孔的导电材料层，其中，对应所述第二贯孔及所述第一贯孔的导电材料层为栅极端子，对应所述第三贯孔的导电材料层为数据端子。其中，所述离子掺杂为N型离子掺杂。相较于现有技术，本专利技术的阵列基板的制备方法将像素电极与薄膜晶体管中的源极和漏极在一制备工序中制备，节约了制备工序，且像素电极为金属，可以反射入射至所述像素电极的光线，因此，制备出的所述阵列基板所应用的液晶显示面板处于明亮的地方时，能够利用所述像素电极反射的光线显示图像，从而提升液晶显示装置显示画面时的显示质量。进一步地，所述公共电极线和所述公共电极与所述栅极在同一制备工序中制备，节约了制备工序。且所述公共电极线和所述公共电极为金属层，分别用于反射入射至所述公共电极线和所述公共电极的光线，因此，在所述阵列基板所应用的液晶显示面板处于明亮的地方时，能够利用所述像素电极反射的光线显示图像，从而提升液晶显示装置显示画面时的显示质量。进一步地，所述存储电容的所述第一导电部与所述栅极在同一制备工序中制备，从而节约了制备工序。所述存储电容的第二导电部与所述源极及所述漏极在同一制备工序中制备，从而节约了制备工序。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括基板及设置在所述基板同侧的多个栅极线及多个数据线，所述基板包括第一表面，所述多个栅极线设置在所述第一表面上，且所述多个栅极线向第一方向延伸且沿第二方向间隔排布，所述多个数据线与所述多个栅极线通过第一绝缘层绝缘设置，且所述多个数据线向所述第二方向延伸且沿所述第一方向间隔排布，所述阵列基板还包括多个公共电极线，所述多个公共电极线与所述多个栅极线平行，一个公共电极线设置于相邻的两个栅极线之间，且所述公共电极线与所述数据线通过所述第一绝缘层绝缘设置，相邻的两条栅极线及相邻的两条数据线之间限定一个像素区域，所述阵列基板还包括设置在所述像素区域内的薄膜晶体管，公共电极，像素电极及存储电容，所述薄膜晶体管包括栅极、所述第一绝缘层、沟道层、源极及漏极，所述栅极设置在所述第一表面上，所述公共电极与所述公共电极线电连接且所述公共电极与所述公共电极线设置在所述第一表面上，所述存储电容包括第一导电部及第二导电部，所述第一导电部设置在所述第一表面上，所述第一导电部上设置所述第一绝缘层，所述第二导电部设置在所述第一绝缘层上且与所述第一导电部对应，所述沟道层、所述源极及所述漏极设置在所述第一绝缘层上且所述源极与所述漏极设置在所述沟道层相对的两端，所述像素电极设置在所述第一绝缘层上，且所述像素电极为金属层，用于反射入射至所述像素电极的光线，一第二绝缘层覆盖所述沟道层、所述源极、所述漏极、所述像素电极、所述第二部分及所述数据线。...

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括基板及设置在所述基板同
侧的多个栅极线及多个数据线，所述基板包括第一表面，所述多个栅极线设置
在所述第一表面上，且所述多个栅极线向第一方向延伸且沿第二方向间隔排布，
所述多个数据线与所述多个栅极线通过第一绝缘层绝缘设置，且所述多个数据
线向所述第二方向延伸且沿所述第一方向间隔排布，所述阵列基板还包括多个
公共电极线，所述多个公共电极线与所述多个栅极线平行，一个公共电极线设
置于相邻的两个栅极线之间，且所述公共电极线与所述数据线通过所述第一绝
缘层绝缘设置，相邻的两条栅极线及相邻的两条数据线之间限定一个像素区域，
所述阵列基板还包括设置在所述像素区域内的薄膜晶体管，公共电极，像素电
极及存储电容，所述薄膜晶体管包括栅极、所述第一绝缘层、沟道层、源极及
漏极，所述栅极设置在所述第一表面上，所述公共电极与所述公共电极线电连
接且所述公共电极与所述公共电极线设置在所述第一表面上，所述存储电容包
括第一导电部及第二导电部，所述第一导电部设置在所述第一表面上，所述第
一导电部上设置所述第一绝缘层，所述第二导电部设置在所述第一绝缘层上且
与所述第一导电部对应，所述沟道层、所述源极及所述漏极设置在所述第一绝
缘层上且所述源极与所述漏极设置在所述沟道层相对的两端，所述像素电极设
置在所述第一绝缘层上，且所述像素电极为金属层，用于反射入射至所述像素
电极的光线，一第二绝缘层覆盖所述沟道层、所述源极、所述漏极、所述像素
电极、所述第二部分及所述数据线。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极线及所述公共
电极为金属层，分别用于反射入射至所述公共电极线及所述公共电极的光线。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电部及所述第二
导电部为金属层。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括第一
欧姆接触层，所述第一欧姆接触层设置在所述沟道层与所述源极之间，用于减

\t小所述沟道层与所述源极之间的接触电阻。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括第二
欧姆接触层，所述第二欧姆接触层设置在所述沟道层与所述漏极之间，用于减
小所述沟道层与所述漏极之间的接触电阻。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层包括对应所
述栅极线开设的第一贯孔，所述第二绝缘层包括对应所述第一贯孔开设的第二

【专利技术属性】
技术研发人员：徐向阳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44