本发明涉及等离子体处理装置和基板支承部组件。提供用于避免由盖环的损耗引起的工艺变化的技术。一个例示的实施方式的等离子体处理装置具备载置台、聚焦环、盖环、导电性环以及高频电源。聚焦环载置于载置台，具有导电性。导电性环载置于盖环。位于聚焦环...

本发明提供基片支承台、等离子体处理系统和环状部件的安装方法。基片支承台包括：载置基片的基片载置面；环状部件载置面，其载置以包围保持于基片载置面的基片的方式配置的环状部件；三个以上的升降部件，其构成为能够从环状部件载置面伸出，并以可调节从...

本发明提供一种基片处理装置，其能够抑制在利用混合液的蚀刻处理结束时在混合部发生突沸反应。本发明的一个方式的基片处理装置包括升温部、混合部和释放部。升温部使硫酸升温。混合部将升温后的硫酸与含有水分的液体混合来生成混合液。释放部在基片处理部...

本发明涉及液处理装置，抑制处理液绕到基板的下表面。液处理装置具备保持部、液供给部、第1杯体和第2杯体。保持部保持基板并使其旋转。液供给部向被保持部保持的基板的上表面供给处理液。第1杯体呈环状设于被保持部保持的基板的下表面侧且是基板的周缘...

本发明提供一种等离子体处理装置、基片支承器和环结构。基片支承器包括：主体部、第1环、第2环和升降销。主体部具有基片支承区域和环状区域。环状区域包围基片支承区域。第1环具有贯通孔，配置在环状区域上。第2环配置在第1环上。第2环具有面对基片...

本发明提供一种在将处理液供给到基片进行处理的液处理装置中，抑制颗粒向基片的附着的技术。上述液处理装置构成为，在从各喷嘴部(5、6、7)对保持为水平的晶片(W)供给处理流体进行处理时，由设置有用于使各喷嘴部(5、6、7)移动的开口部(16...

一种成膜处理系统和成膜处理系统的控制方法，抑制温度变化对膜质的影响。系统具备：第一成膜处理室，其用于对基板实施第一基板处理；第二成膜处理室，其用于对所述基板实施第二基板处理；搬送室，其设置于所述第一成膜处理室与所述第二成膜处理室之间；温...

本发明的一个方式的基片处理方法包括第一蚀刻工序，向形成有栅极电极和用于调节栅极电极的功函数的功函数调节膜的基片供给第一蚀刻液，来对功函数调节膜进行蚀刻。在第一蚀刻工序中，将氢氟酸、SPM（硫酸与过氧化氢水溶液的混合液）或SC1（氨与过氧...

本发明提供一种提高设置在运送臂上的传感器的测量精度的技术。本发明提供一种包括基片处理装置、运送装置和控制部的基片处理系统。基片处理装置包括基片处理腔室、基片支承部以及具有第一水平面和第一倾斜面的边缘环。运送装置包括运送腔室、运送臂、光学...

本公开提供一种基板处理方法和基板处理装置。在基板处理方法的工序(A)中，提供具有第一面和第二面的基板。在工序(B)中，形成介电膜。在工序(C)中，在介电膜上形成包含一种以上的金属元素且不包含结晶质膜的金属氧化膜的第一硬掩模。在工序(F)...

本公开提供一种有利于确认浸渍于处理液之后的基片是否被基片保持部件适当地保持的技术。基片液处理装置包括：处理槽，其贮存处理液；基片支承部件，其将多个基片以立起姿态彼此隔开间隔地排列并支承；支承移动部，其使基片支承部件移动以将多个基片配置于...

本发明提供输送装置、半导体制造系统以及输送方法。提供能够降低制造成本，并且能够提高基板和框架的输送效率的技术。输送装置具备输送臂和使所述输送臂移动的移动机构。所述输送臂具备末端执行器，该末端执行器在一张板具有能够自下方支承基板的第1支承...

本发明提供一种载置台和基板处理装置，能够控制载置台内的流路中的除热均匀性。在静电吸盘上载置基板的载置台具有：基台；所述静电吸盘，其被载置于所述基台的载置面；以及流路，其沿所述载置面形成于所述载置台的内部，用于使热交换介质从热交换介质的供...

本发明涉及升降机构、基板处理装置以及升降方法，提供一种能够降低装置的高度的技术。本公开的一个技术方案的升降机构使将多张基板保持为搁板状的基板保持件升降，其中，该升降机构具有：支承部，其支承所述基板保持件；升降部，其与所述支承部连接，使所...

本发明涉及升降机构、基板处理装置以及升降方法，提供一种能够降低装置的高度的技术。本公开的一个技术方案的升降机构使将多张基板保持为搁板状的基板保持件升降，其中，该升降机构具有：支承部，其支承所述基板保持件；第1升降部，其与所述支承部连接，...

本发明的一个方式的基片处理装置使用超临界状态的处理流体对基片进行处理，所述基片处理装置包括：处理容器，其具有所述基片的送入送出口，在内部形成能够利用所述处理流体对所述基片进行处理的处理空间；盖体，其用于将所述送入送出口开闭；内侧密封部件...

本公开说明一种基板处理装置、校准用基板以及校准方法，能够不改变配置于用于处理基板的处理腔室内的辐射温度传感器的位置而校准辐射温度传感器。基板处理装置具备：保持部，其构成为保持基板或校准用基板；加热部，其构成为对保持于保持部的基板或校准用...

一种用于等离子体加工工具的谐振器天线系统包括：谐振器天线，该谐振器天线在该谐振器天线上的第一点处耦合到RF源；电流平衡电路，该电流平衡电路在该谐振器天线上的第二点处耦合到该谐振器天线；第一电流传感器，该第一电流传感器耦合在该RF源与该谐...

本发明提供一种提高在等离子体蚀刻时含硅膜的蚀刻相对于掩模的蚀刻的选择比的技术。示例性实施方式的基板处理方法包括向等离子体处理装置的腔室内提供基板的工序。基板具有含硅膜及设置于该含硅膜上的掩模。基板处理方法还包括在腔室内由包含氟化氢气体的...

本公开提供一种能够期待对基于图像的基板处理的动作解析等进行辅助的程序产品、数据生成方法、学习模型生成方法、信息处理装置以及计算机可读取的记录介质。本实施方式所涉及的计算机程序使计算机执行以下处理：获取对基板处理进行拍摄而得到的运动图像；...