移动装置包括：多个引导部件；多个滑块体，能够沿多个引导部件分别移动；桥状体，跨多个滑块体并固定于该多个滑块体；多个驱动部，用于独立地移动多个滑块体中的每一个；多个检测部，分别检测多个滑块体的位置；和控制部，基于多个检测部的检测信息来控制...

例如在对基板进行高温下的处理的情况下，能够不使其他构件与基板的上表面接触地充分固定该基板，并且准确地进行对基板的温度控制。提供一种静电保持盘，其静电吸附基板，该静电保持盘具备：第1基材，其在上表面载置所述基板；和第2基材，其配置于所述第...

一种能够向内部供给含钨气体并对收容在该内部的基片实施等离子体处理的等离子体处理腔室的调节方法，其具有如下工序：（A）利用不包含所述含钨气体的气体，从所述等离子体处理腔室内除去水分的工序；以及（B）在所述（A）的工序之后，通过一边供给包含...

本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置，使形成于基板的多晶硅膜的蚀刻处理中的均匀性提高。本公开的一个方式的基板处理方法包括以下工序：向碱性的处理液添加硅酸化合物来生成蚀刻液；以及利用蚀刻液对形成于基板的多晶硅膜进行蚀刻。

本公开的调温工作台具备：顶板，将被处理体载置于表面；加热部，配置于所述顶板的背面或内部；热交换部，与所述顶板或所述加热部相邻地配置，在内部具有供气体流通的流通空间；以及供气部，向所述流通空间供给所述气体。所述热交换部具有：凸部群区域，通...

加载互锁模块具有：多个工作台区域，其配置于中心位置的周围；旋转支承部，其具有支承基板的多个固定支承销，构成为能够在多个工作台区域的上方以中心位置为旋转轴线旋转；以及驱动机构，其构成为能够在旋转方向上驱动旋转支承部。在加载互锁模块与第1输...

一种在衬底上形成存储器件的方法，包括：使用第一原子层沉积工艺在该衬底的凹陷特征内沉积第一电极层，以及在第一衬底温度使用第二原子层沉积工艺在该第一电极层上沉积非晶过渡金属氧化物层。该方法进一步包括：在维持该非晶过渡金属氧化物层的非晶态的同...

一种处理方法，是用于第一基板与第二基板接合而成的重合基板的处理方法，所述处理方法包括以下工序：朝向所述第一基板的周缘部处的、所述第一基板与所述第二基板之间的界面照射激光束，来在所述界面形成所述第一基板与所述第二基板剥离了的接合力下降区域...

本发明提供基片处理装置和基片干燥方法。本发明的基片处理装置能够进行使用超临界状态的处理流体使在图案形成面形成有液膜的基片干燥的干燥处理，该基片处理装置包括处理容器、保持部和供给部。处理容器收纳基片。保持部在处理容器内保持基片。供给部对处...

基板处理方法包括工序（a）和工序（b）。在工序（a）中，将在表面形成有光致抗蚀剂膜的基板配置于腔室内，所述光致抗蚀剂膜是包含金属氧化物的光致抗蚀剂膜。在工序（b）中，向腔室内供给含有硅的气体，来将构成光致抗蚀剂膜所包含的金属氧化物的金属...

本公开的蚀刻方法包括以下工序：第一气体供给工序，在第一期间向用于保存形成有氧化硅膜的基板的处理容器内供给含氟气体；第二气体供给工序，在包括与所述第一期间重叠的共同供给期间的第二期间，向所述处理容器内供给碱性气体；以及第一排气工序，为了利...

本发明提供一种基片处理装置和测量方法，其能够以简易的结构来测量位于基片的表面的膜的膜厚。基片处理装置包括输送装置、测量装置和控制部。输送装置具有保持并输送基片的输送臂。测量装置测量位于基片的表面的膜的膜厚。测量装置具有：壳体，其具有能够...

一种半导体装置的制造方法，包括以下处理：针对具有激光吸收层及第一接合层的第一基板和具有第二接合层的第二基板中的所述第一接合层与所述第二接合层进行接合所得到的重合基板的未贴合区域，进行将填充材料填充到与所述第一接合层的第一外周位置相对应地...

披露了顺应性的半导体卡盘。半导体卡盘可以包括第一部分，该第一部分包括第一真空吸盘。半导体卡盘可以包括第二部分，该第二部分展现出比第一部分或第三部分中的任一者更大的顺应性。半导体卡盘可以包括第三部分，该第三部分包括第二真空吸盘。

本发明公开一种基板支承组件。基板支承组件的基座具有流路。第1气体供给部与第1容器连接。第1气体供给部构成为，为了经由至少一个第1配管向流路供给第1容器内的第1传热介质而向该第1容器供给第1气体。第2气体供给部与第2容器连接。第2气体供给...

本发明提供能够抑制基片的处理不均匀、抑制基片与抓持基片的抓持部的摩损、并且抑制由摩损导致的颗粒的产生的基片处理方法和基片处理装置。基片处理装置包括：用于水平地保持基片的保持部；用于使保持部旋转的旋转部；和控制部。保持部包括：旋转盘，能够...

本公开的基板处理装置具备：容器；开口部，设置于所述容器，用于供基板通过；闸门，用于对所述开口部进行开闭；基板保持部，在所述容器的内部保持所述基板；排气管道，从所述容器的内部向外部排出气体；排气风门，调整所述排气管道的排气量；开度传感器，...

一种系统包括真空室，该真空室具有在该真空室中的晶圆卡盘以及相对于晶圆卡盘倾斜的侧窗口。在晶圆卡盘下方定位有晶圆载台，该晶圆载台被配置成使晶圆卡盘旋转并使晶圆卡盘竖直移动。包括照射校正透镜的照射光学器件被配置成接收光并通过侧窗口中的照射真...

本发明提供基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括提供基片的工序和第1工序。在提供基片的工序中提供具有第1膜和第2膜的基片，该第2膜形成在该第1膜上并且形成有图案。在第1工序中，一边将第1处理气体等离子体化以在进行第2膜的溅射的同时...

本发明的课题在于提供一种控制处理区域中的处理气体的状态的基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置具备：处理室；载置台，配置在处理室内，用于载置基板；气体供给机构，与载置台对置配置，对基板供给处理气体；处理区域，形成在载置台与气体供给机构...