提供一种信息处理方法、信息处理装置、以及基板处理系统。包含如下的工序：从设置于基板处理装置的传感器获取时间序列数据的工序；基于获取到的时间序列数据，进行在输入了来自传感器的时间序列数据的情况下，输出与基板处理装置相关的信息的第一学习模型...

提供一种抑制蚀刻的形状异常的技术。提供一种蚀刻方法。该方法包含：(a)准备基板的工序，所述基板具备具有凹部的含硅膜和设置在含硅膜上且具有露出凹部的开口的掩模；(b)在规定凹部的含硅膜的侧壁上形成含碳膜的工序；以及(c)使用由包含含氟气体...

一种基板处理方法，用于处理基板，所述基板处理方法包括：向所述基板的表面供给包含氢氟酸和磷酸的蚀刻液，来蚀刻该表面；回收蚀刻后的所述蚀刻液；测定蚀刻后的所述基板的厚度分布；以及基于所测定出的所述厚度分布，针对在蚀刻后回收到的所述蚀刻液至少...

本发明的基片处理装置包括：处理容器，其在内部包含能够被减压至比大气压低的压力的处理室；在上述处理室中保持基片的保持部；和喷嘴，其为了对由上述保持部保持的上述基片的第1主面照射气体团簇而喷射气体。上述处理容器具有：相对壁，其包括与上述基片...

激光剥离用的层叠基板依次具备使激光光线透过的第一基板、吸收所述激光光线的第一绝缘层、使所述激光光线透过的第一多晶硅层、吸收所述激光光线的第二绝缘层、使所述激光光线透过的第二多晶硅层、以及第一器件层。所述层叠基板还具备贯通所述第一绝缘层来...

一种基板处理方法，用于处理基板，所述基板处理方法包括：对所述基板的表面进行磨削；向磨削后的所述基板的表面供给蚀刻液，来蚀刻该表面；以及向蚀刻后的所述基板的表面供给清洗液，来去除附着于该表面的金属。另外，一种基板处理系统，用于处理基板，所...

提供一种能够相对于金属膜及第二氧化硅膜以高选择比对第一氧化硅膜进行湿蚀刻的技术。根据一个实施方式，提供一种用于对基板进行湿蚀刻的基板处理方法，该基板形成有包括金属膜、第一氧化硅膜以及第二氧化硅膜的层叠构造，所述第二氧化硅膜的含水量比所述...

本发明提供能够抑制含金属抗蚀剂的覆膜的灵敏度降低，并且提高含金属抗蚀剂的图案的粗糙度的基片处理方法、基片处理装置和计算机存储介质。本发明的基片处理方法包括：对形成有含金属抗蚀剂的覆膜并实施了曝光处理的基片实施第一加热处理，在所述覆膜的曝...

本发明提供一种基片处理装置和基片处理方法。该方法包括：对基片供给挥发性比处理液高的第一干燥液形成液膜后，一边使基片旋转，一边以从基片的旋转中心(O)至第一干燥液的供给位置(P1)的距离(R1)逐渐增大的方式使第一干燥液的供给位置移动，从...

提供抑制蚀刻的形状异常的技术。本公开涉及的等离子体处理系统具备具有第一基板支持部的第一处理腔室、具有第二基板支持部且与第一处理腔室不同的第二处理腔室、与第一处理腔室以及第二处理腔室连接且具有搬运装置的搬运腔室和控制部，控制部执行如下处理...

本发明提供能够在基片处理装置中将被输送体高精度地向输送目标位置输送的电动机控制方法、输送装置和计算机程序产品。电动机控制方法用于利用在电动机的驱动下移动的移动体来输送基片处理装置中的被输送体，所述电动机控制方法的特征在于，包括：数据获取...

本发明提供一种基板处理设备，其包括多个处理单元、排气路径、气体处理装置和控制器。从通过使用化学产品来处理基板的多个处理单元排出的气体流经排气路径。气体处理装置去除气体中的目标成分，并且包括管道、分隔板、液体供给单元和浓度检测单元。管道具...

治具基板(200)是在搬送机构(12a、12b、150)的示教方法中使用的治具基板(200)，所述治具基板(200)具有第一摄像机(202)和第二摄像机(204)。第一摄像机(202)拍摄第一图像数据，所述第一图像数据用于检测搬送机构(...

本发明提供处理方法和等离子体处理装置。对基片进行等离子体处理的处理方法包括：在构成为可减压的处理容器内的基片支承部的载置面上载置温度调节对象体的步骤；将由液体的介质或具有流动性的固体的介质中的至少任一者构成的传热介质经由上述基片支承部供...

本发明涉及基板输送模块和基板输送方法。抑制供利用磁悬浮在输送空间移动的基板的输送体移动的输送空间受到来自外侧的非输送空间的影响。一种基板输送模块，其具备输送空间，在输送空间中，具备磁体的输送体利用磁力在从地板悬浮的状态下横向移动而对基板...

一种半导体加工系统包括加工室，该加工室被配置为对多个晶片中的每一个执行半导体制造工艺。该加工室包括至少一个可消耗部件、以及衬底转移模块，该衬底转移模块被定位成靠近该加工室并且经由晶片进出端口与该加工室连通。该晶片转移模块包括晶片转移机器...

一种向处理腔室内供给气体的气体供给系统，具有：多个气体供给流路，所述多个气体供给流路构成为能够各自独立地向所述处理腔室供给气体；流量控制器，在多个所述气体供给流路的各所述气体供给流路配置所述流量控制器；一次侧阀，其配置于所述气体供给流路...

本发明提供载置台和基片处理装置。基片处理装置包括：处理容器；和配置在所述处理容器内的一体形成的基台，所述基台在其内部包括：供第1温度的热媒流动的第1流路；配置在所述第1流路的下部的第1隔热空间；和第2流路，其配置在所述第1隔热空间的下部...

披露了一种用于形成半导体封装件的方法。该方法包括提供包括第一介电层的第一衬底。该方法包括用包含铝的第一粘合层覆盖该第一介电层的第一表面。该方法包括提供包括第二介电层的第二衬底。该方法包括用包含烷氧基硅氧化物的第二粘合层覆盖该第二介电层的...

本技术涉及液处理装置。防止可切换杯内的排气的流路的液处理装置大型化。该液处理装置具备：杯，其包围载置于载置部的基板；排气口，其设于杯的底部，使该杯内进行排气；环状体，其以在俯视时包围基板的方式设于杯内，并形成从杯的开口向该杯内流入的气体...