一种对基板进行处理的基板处理装置，具备处理腔室和配置在所述处理腔室内且在上面具有支撑托盘的托盘支撑面的支撑部件，所述托盘在其上面形成有经由第一传热材料收纳所述基板的凹部，所述托盘支撑面构成为在与所述托盘的下面侧之间夹有第二传热材料。

一种基板处理方法，用于对基板进行处理，所述基板处理方法包括以下处理：对基板的表面进行磨削；以及对磨削后的基板的表面进行蚀刻，在所述基板处理方法中，对多个基板的表面进行磨削及蚀刻，在预想到第一基板的磨削后的表面形状与继所述第一基板之后的第...

本发明提供能够减少在静电吸盘所保持的基片的背面产生的伤痕的技术。静电吸盘用于保持基片，静电吸盘包括电介质和配置在电介质的内部的电极，电介质包括：上表面；和从上表面向上方突出的、构成为支承基片的多个突起部，突起部包括晶质的基部和配置在基部...

披露了可伸缩半导体卡盘。这种半导体卡盘可以包括第一部分，该第一部分包括多个第一联接器，该多个第一联接器被配置为接纳对应的多个致动器。这种半导体卡盘可以包括环绕该第一部分的第二部分，该第二部分包括多个分段。每个分段可以包括用于选择性地将相...

本发明提供一种使等离子体处理装置、基片处理系统的构成部件之间的拆装变得容易的等离子体处理装置、基片处理系统和固定件。一种包括腔室的等离子体处理装置，其包括：第一部件；第二部件；和构成为将第一部件和第二部件以沿着轴向可拆装的方式固定在一起...

一种对基板进行处理的基板处理装置，具备处理腔室和配置在所述处理腔室内且在上面具有支撑托盘的托盘支撑面的支撑部件，所述托盘在其上面形成有收纳所述基板的凹部，所述支撑部件包括在所述支撑部件的上部使所述托盘升降的升降销，在所述支撑部件形成有所...

提供一种容易更新等离子体处理装置中使用的配方的技术。等离子体处理装置的控制部包括存储部和处理部，存储部构成为存储第一规则，第一规则包括第一变更规则和第二变更规则，处理部具备：第一配方获取部和第二配方获取部，获取第一配方和第二配方；过渡配...

基板处理方法包括保持工序和供给工序。在保持工序中，保持在表面具有含有铟(In)、镓(Ga)以及锌(Zn)的氧化物半导体的基板。在供给工序中，向在保持工序中被保持的基板供给用于对氧化物半导体进行蚀刻的蚀刻液。在供给工序中，供给硫酸或氢氟酸...

提供了一种抑制互调失真的技术。提供了等离子体处理装置，具备：腔室；基板支撑部，配置在腔室内，包括下部电极；上部电极，配置在基板支撑部的上方；源射频生成器，构成为向上部电极或下部电极供给源射频信号，以在腔室内生成等离子体；阻抗匹配器，电连...

本技术提供一种显影装置，能够提高显影装置的便利性。显影装置具备：第一喷嘴，其具备以连续了覆盖基板的宽度的长度的方式在横向上伸长的第一喷出口；移动机构，其在从第一喷出口喷出显影液的期间设为使第一喷嘴在与第一喷出口的伸长方向交叉的方向上移动...

本发明提供能够使在金属氧化物抗蚀剂形成的图案为所需的图案的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括：对形成有抗蚀剂膜的基片进行用于使所述抗蚀剂膜中包含的烃减少的减少处理的步骤，其中，所述抗蚀剂膜由金属氧化物抗蚀剂构成并且在曝光后被显...

在一个例示性实施方式中，提供基片处理系统。基片处理系统包括工艺模块、搬运模块、摄像部、提取部、计算部及搬运控制部。摄像部具有包含基片的搬运路径的视野。提取部构成为从适用基片处理后的基片的图像中提取第1特征图案且提取第2特征图案。计算部构...

提供了用于在湿法ALE工艺中蚀刻钼的系统和方法。本文披露的方法使用各种各样的技术和湿法蚀刻化学物质在湿法ALE工艺的表面改性步骤中氧化钼表面并形成自限制的氧化钼钝化层。例如，这些方法使用：(a)过氧化物氧化剂的紫外线（UV）光解以产生氧...

披露了半导体器件和对应的制造方法。该方法包括：在第一衬底上形成第一器件结构，在第一器件结构上形成第一激光剥离层，在第一激光剥离层上形成保护层，以及在保护层上形成第二衬底。该方法包括通过在第一激光剥离层上施加辐射来将该保护层从该第一激光剥...

本发明提供一种接合系统，提供一种能够减小接合系统的占地面积的技术。本公开的一技术方案的接合系统具备：处理站，其对第1基板和第2基板进行给定的处理；以及送入送出站，其将第1基板、第2基板和重合基板相对于处理站送入送出，重合基板是将第1基板...

本发明提供一种基板吸附状态检测方法和基板处理装置。所述基板吸附状态检测方法用于在具备静电保持盘和保持盘电源的基板处理装置中检测被吸附保持于静电保持盘的基板的吸附状态，所述静电保持盘具备具有用于载置所述基板的载置面的电介质层、以及埋设于所...

处理装置包括第一部件、第二部件、配置在第一部件与第二部件之间的EAG（Electro‑Adhesive Gel：电粘凝胶）片、和控制部。EAG片包括EAG层、各自具有2个电极的多个电极对、和能够配置多个电极对的基板。控制部能够通过彼此独...

本发明提供一种基板处理方法、存储介质、基板处理装置以及计算机程序产品，简便地执行用于消除使用了处理液的液处理中的气泡所引起的故障的应对。本公开的一个方面所涉及的基板处理方法包括以下处理：通过液供给部来对基板的表面供给处理液，所述液供给部...

本发明在一个例示性的实施方式中，提供一种基片处理装置。基片处理装置包括第一腔室和第二腔室。第二腔室配置于第一腔室内。第二腔室与载置台一起界定用于对载置于载置台的基片进行处理的处理空间。第二腔室具有设置于构成第二腔室的壁体，调节第二腔室的...

本发明提供基片处理装置和清洁方法。基片处理装置处理基片，并包括：处理腔室；配置在上述处理腔室内的支承部件；液柱供给部，其向配置于上述支承部件的上部的上述基片的周缘部供给液柱；照射激光的激光照射部，其中，上述激光在上述液柱内传播；和控制部...