一种等离子体处理装置的清洁方法，包括以下工序：工序(a)，向所述等离子体处理装置的腔室内导入清洁气体；工序(b)，在第一条件下在所述腔室内生成等离子体来进行第一清洁；以及工序(c)，在第二条件下在所述腔室内生成等离子体来进行第二清洁，在...

接合装置将多个裸芯片接合于基板。所述接合装置具备：载体保持部，其将安装有多个所述裸芯片的载体保持为水平；基板保持部，其将所述基板保持为水平；基板移动部，其使所述基板与所述基板保持部一起移动，以改变所述裸芯片相对于所述基板的接合位置；第1...

提供一种对边缘环进行定位的基板处理装置。基板处理装置具备：静电吸盘，具有基板支撑面和环支撑面，所述环支撑面上具有供升降销插入的第1贯穿孔；边缘环，由所述环支撑面支撑；及筒状部件，插入所述静电吸盘的所述第1贯穿孔，并具有第2贯穿孔，其中，...

本发明提供能够有望实现基于相机的拍摄图像的安全的监视等的信息处理方法、计算机程序以及信息处理装置。在本实施方式所涉及的信息处理方法中，信息处理装置获取相机拍摄室内而得到的拍摄图像，并基于获取到的上述拍摄图像，检测上述室内的地板的开口。另...

所公开的蚀刻方法包括：（a）将具有基底膜、基底膜上的含硅膜及含硅膜上的掩模的基板提供到腔体内的工序；（b）使用由包含氟化氢气体及含钨气体的第1处理气体生成的第1等离子体对含硅膜进行蚀刻而形成凹部的工序；及（c）在（b）工序之后，使用由包...

本披露内容的各方面提供了一种晶圆键合系统，该晶圆键合系统例如可以包括：晶圆键合工具，该晶圆键合工具被配置成根据第一晶圆键合配方将第一晶圆和第二晶圆彼此键合以产生第一键合后晶圆；计量工具，该计量工具与晶圆键合工具集成；以及工具控制器，该工...

本发明提供检测等离子体的状态的等离子体处理装置和等离子体状态检测方法。等离子体处理装置包括：具有内部空间的处理容器；设置在上述处理容器的上述内部空间内的基片支承部；对上述处理容器的上述内部空间内供给处理气体的气体供给部；在上述处理容器的...

本发明提供基片支承器和等离子体处理装置。本发明的基片支承器包括电介质部和至少一个电极。至少一个电极设置于电介质部之中，用于对载置于电介质部上的物体供给偏置电功率。本发明能够对搭载于基片支承器上的物体高效地供给偏置电功率。

本发明的一个方式的基板处理装置具有：容纳基板的处理容器，向所述处理容器内供给处理流体的供给源，连接所述供给源和所述处理容器的流体供给路径，设于所述流体供给路径，调节所述处理流体的温度的温度调节部，调节所述处理容器内的压力的压力调节部，设...

实施例等离子体加工设备包括：等离子体产生源；在等离子体室中的喷嘴，该喷嘴能够将等离子体从等离子体产生源引导到要加工的晶片，等离子体在喷嘴的出口处呈现等离子体束的形式；气体护罩，该气体护罩设置在等离子体室中并且在晶片上方，气体护罩包括在气...

提供一种信息处理方法、基板处理系统以及记录介质，能够在保持安全性的同时进行使用了终端装置的基板处理装置的维护的控制。在具备多个模块的基板处理装置分散设置的多个接口中的一个接口连接了终端装置的情况下，与连接了所述终端装置的接口相应地，将所...

本发明提供一种能够降低工艺性能的偏差的技术。本发明的一个方式的基片处理方法包括：对多张基片一并进行处理的批量处理的步骤；在所述批量处理之后进行逐张处理多张所述基片的单片处理的步骤；确定进行了所述批量处理后的所述基片的外周上设置的缺口部的...

本技术提供基板处理装置和化学过滤器。对含金属抗蚀剂膜进行稳定的图案形成。本公开的基板处理装置用于通过对形成于基板的含金属抗蚀剂膜进行曝光并显影而进行的图案形成，其中，在向所述基板处理装置内供给气体的流路设有化学过滤器，该化学过滤器包括朝...

本发明提供等离子体处理装置、控制方法和控制程序。一种等离子体处理装置，其能够对被载置在载置台上的基片实施等离子体处理，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：环状部件，其配置在基片的周围；调节部，其能够对环状部件上的鞘层厚度进行调节；测量...

本发明提供一种显影方法，使用包含弱酸气体和弱酸雾中的至少任一者的显影用流体，进行良好的基片显影。显影方法包括对形成有抗蚀剂的覆膜且实施了曝光处理的基片进行显影的显影工序，在所述显影工序中，将从显影用液体生成的、包含弱酸气体和弱酸雾中的至...

本发明提供一种解析装置，其解析多个基板处理装置各自的状态，所述解析装置具有：预处理部，其将检测多个所述基板处理装置各自的状态的传感器组的每个传感器的日志数据分割为片段，对每个所述传感器、将每个片段的日志数据存储于数据存储部，和解析部，其...

本发明提供一种基板处理装置和异常探测方法，能够高精度地探测与漏液有关的异常。基板处理装置具备腔室、喷嘴、测定部、流路开闭部以及控制部。腔室能够收容基板。喷嘴设置于腔室内，朝向基板供给处理液。测定部向基板投射光，并测定来自基板的反射光的强...

本发明提供一种使用包含弱酸的气体和雾中的至少任一者的显影用流体来进行良好的基片显影的显影装置和显影方法。显影装置对形成有抗蚀剂膜且被实施了曝光处理的基片进行显影，其中，包括：显影用流体生成部，其从显影用液体生成包含弱酸的气体和雾中的至少...

本发明提供能够维持生产率并且检查传送带的状态的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：对基片实施规定处理的处理单元；输送单元，其具有保持基片的保持部及包括传送带并且通过使该传送带移动来使保持部在第1方向上移位的驱动部；能够获取与因...

一种载置台，其具有：板状部件，其具有能够载置基片的载置面和与所述载置面相反的一侧的背面，且形成有贯穿所述载置面和所述背面的贯通孔；和埋入部件，其配置在所述贯通孔的内部，所述埋入部件沿着该埋入部件的轴向包括：第一部件，其具有正的热膨胀率；...