蚀刻方法包含：（a）将基板搬入至等离子体处理装置的腔室内的工序，基板具有含硅膜和设置于含硅膜上的掩模，含硅膜包含选自由氮、磷及硼构成的组中的至少1种元素；和（b）将基板暴露于由包含氟化氢气体的处理气体生成的等离子体中的工序，（b）包含：...

本发明能提高基于机器人的维护作业时的作业人员的安全性。维护作业系统是基板处理工厂中的维护作业系统，具备设有基板处理系统的装置空间，以及位于所述装置空间的上方或下方，涉及所述基板处理系统的维护作业的作业体进行行驶的行驶空间，该系统具有所述...

本发明的基片处理系统包括基片处理装置、维护装置和控制装置，上述基片处理装置包括基片处理模块和真空输送模块，上述真空输送模块包括：具有第一开口部和第二开口部的真空输送腔室，上述真空输送腔室能够经由上述第一开口部与上述基片处理模块连接；和第...

公开的上部组件包括顶板、基座部件以及至少一个致动器。顶板配置在基板处理装置的腔室内的处理空间上。基座部件配置在顶板上。至少一个致动器构成为，将顶板吊起，将该顶板相对于基座部件施力。

本发明的一个方式所涉及的流体供给系统是向处理形成有液膜的基板的处理容器内供给处理流体的流体供给系统，其具有：循环流路，与流体供给源连接，使所述处理流体进行循环；供给流路，将所述循环流路与所述处理容器相连接，从所述循环流路向所述处理容器内...

一种基板处理方法，用于对基板进行处理，所述基板处理方法包括：基于对基板的第一表面和第二表面进行蚀刻之前的基板的第一厚度，使用最优化方法以使蚀刻后的所述第一表面的表面形状成为目标形状的方式来决定第一最优蚀刻条件，并且使用最优化方法以使蚀刻...

本发明的等离子体处理装置包含：处理容器，其在内部具有生成等离子体的等离子体处理空间；基片支承部，其在所述处理容器的内部支承基片。所述处理容器和/或所述基片支承部通过将多个构件组装而构成，从而具有将所述多个构件彼此连结的多个边界。所述多个...

本发明的基片处理装置包括：承载器区块；处理区块，其相对于上述承载器区块设置于左右的一侧，包括彼此层叠的多个处理模块、和由上述多个处理模块共用的输送基片的第一输送机构；涂敷膜形成模块，其构成上述多个处理模块中的一个处理模块；等离子体处理区...

保持盘清洗装置对旋转的保持盘的、吸附基板的上表面进行清洗。所述保持盘清洗装置具备擦拭所述保持盘的上表面的刷、擦拭所述保持盘的上表面的石料、以及使所述刷和所述石料移动的移动机构。所述刷具有比所述保持盘的上表面的半径长的直线状的刷台和从所述...

本发明提供等离子体处理装置，其包括：腔室；包括下部电极的基片支承部；RF生成部，其生成脉冲化RF信号以在腔室内生成等离子体，脉冲化RF信号在各周期内的第一期间具有第一电功率水平，在各周期内的第二期间具有比第一电功率水平小的第二电功率水平...

接合装置将多个裸芯片接合于基板。所述接合装置具备：承载件保持部，其保持安装有多个所述裸芯片的承载件；基板保持部，其保持所述基板；搬送部，其从由所述承载件保持部保持的所述承载件接受所述裸芯片并进行搬送；以及安装部，其从所述搬送部接受所述裸...

控制装置包括获取部和判断部。获取部能够基于第一图像推算模型和第二图像推算模型与检查对象基片的处理前的拍摄图像，获取与处理后的第一区域的像素组对应的第一推算像素值、以及与处理后的第二区域的像素组对应的第二推算像素值。第一图像推算模型与处理...

本发明提供能够提高选择比的蚀刻技术。本发明的蚀刻方法是在包括腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法，其包括：步骤（a），在配置在腔室内的基片支承部上准备基片，基片包括包含硅和氮的第一膜、以及包含硅和氧的第二膜；步骤（b），向腔室内供给包...

在所公开的基板处理装置的零件的组装系统中，机器人将零件搬送到基板处理装置内的指定位置。图像传感器获取半导体制造装置的基板支承部的上表面及零件的图像。测定部通过根据该图像求出零件内的至少两个测定点各点与基板支承部的上表面内的至少两个基准点...

提供能够提高处理容器内的气流的均匀性的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具有处理容器、在处理容器内的保持位置以水平姿势保持基板的保持部和从处理容器的侧方向处理容器的内部供给处理流体的流体供给部，在基板保持于保持部的状态下，包括基板...

本发明的基片处理系统包括：真空输送模块；主接口单元，其具有与上述真空输送模块连接的第一面、位于上述第一面的相反侧的第二面、上表面和下表面；和基片处理模块，上述基片处理模块包括：具有上表面和下表面的可更换中间腔室单元；能够以可拆装的方式与...

本发明的液体中等离子体处理装置包括处理空间和能够向处理空间供给液体中等离子体的活性种供给部。活性种供给部包括：生成空间，能够向该生成空间导入液体；喷淋板，其能够将在生成空间中生成的液体中等离子体中包含的活性种导入到处理空间中，具有沿着处...

提供一种改善光致抗蚀剂膜的图案的基片处理方法和基片处理装置。一种基片处理方法，其包括：准备具有光致抗蚀剂膜的基片的步骤，所述光致抗蚀剂膜包含含有第一金属元素的金属氧化物；对所述基片实施曝光处理和显影处理，在所述光致抗蚀剂膜形成开口的图案...

一种半导体装置的制造方法，包括以下处理：准备第一基板与第二基板经由导热控制膜、剥离促进膜以及激光吸收膜接合而成的重合基板；对所述激光吸收膜照射激光；以及将所述第一基板与所述第二基板分离，其中，所述导热控制膜、所述剥离促进膜以及所述激光吸...

在氮化硼膜的成膜方法中，进行期望次数的序列，该序列包括：对配置于腔室内的基板供给包含分子中具有BN键的化合物的原料气体和等离子体；以及继而对基板不供给原料气体而仅供给等离子体，此时，通过调整成膜条件，形成六方氮化硼膜和无定形氮化硼膜中的...