一种处理系统，对第一基板和第二基板接合而成的重合基板进行处理，该处理系统包括：激光照射装置，其对所述重合基板进行处理；以及搬送装置，其搬送所述重合基板，其中，所述激光照射装置包括探测机构，所述探测机构在与所述搬送装置之间进行所述重合基板...

本公开提供一种成膜方法、保护膜以及基板处理装置，抑制微粒的产生。一种成膜方法，是在等离子体处理装置中在处理室内的构件的表面形成保护膜的成膜方法，其中，向所述处理室内供给包含第一含硅气体和第一含氧气体的处理气体，并向上部电极供给用于生成等...

本发明高效地对腔室内的配件进行清洁。一种由等离子体处理装置执行的等离子体处理方法，该等离子体处理装置具备：腔室；基板支承部，配置在所述腔室的内部；上部电极，与所述基板支承部的基板支承面对置；电磁铁，配置在所述腔室的上部；等离子体源，构成...

一种用于在具备多个基板保持部和磨削磨具的磨削装置中对保持于所述基板保持部的基板进行磨削的方法，包括：通过所述磨削磨具对第N个基板(N≥1)进行磨削；通过所述磨削磨具对第N+1个基板进行磨削；以及调整所述磨削磨具的基准位置，其中，在调整所...

成膜方法包括下述步骤(A)~(C)。步骤(A)，准备基板，该基板在表面的不同区域具有第一膜以及由与所述第一膜的材料不同的材料形成的第二膜。步骤(B)，相对于所述第一膜的表面选择性地在所述第二膜的表面形成用于阻碍对象膜的形成的成膜阻碍膜。...

一种用于对衬底进行等离子体加工的方法，其中，该方法包括在等离子体室中生成等离子体，该衬底在加工期间固持在该等离子体室内，其中，生成该等离子体包括：使放电气体流过该等离子体室；将射频（RF）源信号耦合到第一RF电极，其中，该耦合使该放电气...

本发明提供处理装置和处理系统。对消耗部件进行搬运的部件搬运装置包括部件收纳部、容器、机械臂和移动机构。部件收纳部收纳使用前的消耗部件和使用后的消耗部件。容器具有与处理装置连接的开口部和开闭开口部的闸门，收纳部件收纳部。机械臂设置在容器内...

等离子体处理方法包括工序a1)、工序a2)以及工序a3)。在工序a1)中，在腔室内将第一气体和第二气体等离子体化，由此利用具有导电性的膜对腔室内的部件的表面进行涂覆。在工序a2)中，向腔室内搬入基板。在工序a3)中，在利用具有导电性的膜...

提供一种用于控制第二层的原料向第一层的吸附的吸附控制方法，所述吸附控制方法包括以下步骤：在腔室内的载置台准备具有所述第一层的基板；向所述腔室内供给所述第二层的原料，并将所述第一层的表面暴露在所述原料中；以及通过控制对所述第一层的表面的缺...

提供可得到稳定蚀刻形状的基板处理方法、基板处理装置和硬掩模。一种基板处理方法，包括：准备具有含硅膜的基板的工序，以及通过溅射，在所述含硅膜上形成含钨、硅和氮的非晶膜即硬掩模的工序。

提供一种能够提高泄漏到气体箱内的处理气体的检测精度的气体检测装置、气体供给系统以及基板处理装置。本公开的一技术方案的气体检测装置检测泄漏到气体箱内的处理气体，其中，该气体检测装置具有：抽吸部，其具有多个抽吸孔，该多个抽吸孔在与对所述气体...

本发明的课题在于提供一种能够高精度地识别原料的余量的技术。气体供给机构供给使原料气化得到的原料气体。气体供给机构包括：内侧容器，其收容所述原料；外侧容器，其具有能够相对位移地收容所述内侧容器的空间，并且使从所述内侧容器的所述原料产生的所...

本公开提供一种处理装置和处理方法，能够使热历程的减少与处理气体的反应性的提高两立。本公开的一个方式的处理装置具备：处理容器，在该处理容器形成有用于对多张基板进行处理的处理空间；等离子体生成部，在该等离子体生成部形成有与所述处理空间连通并...

本发明提供一种成膜装置及其保养方法。缩短停机时间。成膜装置具备：长方体形状的处理室，其收纳基板；载物台加热器，其配置于处理室的内部；气体供给部，其向处理室的内部供给成膜用的原料气体；以及圆筒形状的套筒，其配置于处理室的内部，套筒以两端的...

本发明的等离子体处理装置即使供给脉冲化的DC信号也抑制基座电位的变动。等离子体处理装置包括腔室、供给脉冲化的偏置DC信号的偏置电源、在腔室内支承基片和边缘环的基片支承器、以及电路径。基片支承器具有：由电介质形成的静电吸盘，其包括保持基片...

本发明提供显影用流体供给装置、显影装置和显影用流体供给方法，供给适于含金属抗蚀剂的显影的、包含弱酸的气体和雾中的至少任一者的显影用流体。显影用流体供给装置具有：与显影部连接的供给路径，该显影部能够利用包含弱酸的气体和雾中的至少任一者的显...

本发明提供能够容易高精度地检测导电性配管的导电性的劣化的基片处理装置和导电性配管劣化程度判断方法。基片处理装置包括：基片保持部；喷嘴部；对喷嘴部供给处理液的导电性配管；将导电性配管与基准电位连接的接地线；设置在基片保持部的周围的液接收部...

本公开提供一种形成钼的金属膜的方法及装置，能够形成电阻率小的钼的金属膜。在基板形成钼的金属膜时，实施以下工序：对基板形成钨的金属基底膜；以及对金属基底膜形成所述金属膜。通过对钨的金属基底膜形成钼的金属膜，钼的晶粒尺寸变大，能够形成电阻率...

一种温度调节系统，对等离子体处理腔室内的部件进行冷却，其包括罐、冷却机构、流出流路、流入流路以及泵。罐构成为贮存在常温常压下为气体的温度调节介质。冷却机构构成为使罐内贮存的温度调节介质液化。流出流路构成为与罐的流出口连接，使温度调节介质...

本发明提供一种成膜装置，其稳定地同时供给多种工艺气体。一种成膜装置，在可将第1原料气体、第2原料气体、反应气体供给至处理容器的成膜装置中，具备：可将所述第1原料气体和所述第2原料气体同时供给至所述处理容器的气体供给时机调整机构，以及控制...