等离子体处理装置具有腔室、载置台、多个电极、电源、开关部和控制部。腔室构成为能够在内部生成等离子体。载置台配置在腔室内，由电介质形成，构成为能够载置基片，并且构成为能够在基片的周围载置环组件。多个电极设置在载置台的内部的与环组件相对的部...

本发明的上部顶板是配置在腔室的上部的上部顶板，包括：基座；配置在基座的下表面侧的上部电极；和导热介质，其设置在基座的下表面与上部电极的上表面之间，填充在由密封件包围的传热空间中，基座在与传热空间邻接的下表面形成有与传热空间连通的缓冲空间...

提供了测量腔室的电特性的技术。提供了等离子体处理装置。等离子体处理装置具备：腔室；射频电源；测量机器，周期性地或连续地确定腔室与射频电源之间的节点处的射频反射特性；存储部，保存静态特性；和控制部，执行等离子体点火判定序列，等离子体点火判...

本公开涉及一种抗蚀剂膜成膜方法、抗蚀剂膜成膜装置以及存储介质，在通过气体处理在基板形成抗蚀剂膜时提高处理效率。本公开的抗蚀剂膜成膜方法包括以下工序：成膜工序，将包括保存基板的处理容器内的处理空间的调整区域设为第二气氛，向所述第二气氛的所...

本公开提供一种基板处理系统、基板处理方法以及存储介质。本公开的基板处理系统具备：一个处理容器和其它处理容器，所述一个处理容器和所述其它处理容器分别形成保存基板的一个处理空间和其它处理空间；气氛调整机构，其将包括所述一个处理空间和所述其它...

本发明提供一种异常放电检测方法和控制装置，基于被实施了处理的图像来检测微小的异常放电。控制装置(40)基于拍摄处理容器(11)的内部所得到的运动图像获取用灰度表示出了属于用于检测微小的异常放电的时序评价对象范围的帧的图像的灰度图像，并对...

本发明提供一种提高基片处理装置的配方的性能评价容易度的技术。本发明的信息处理装置对按照配方进行成膜处理的基片处理装置的所述配方进行性能评价，所述信息处理装置包括：预测部，其预测按照配方进行成膜处理的基片处理装置的成膜结果；配方性能评价部...

公开的等离子体处理装置具备腔室、基板支承器、高频电源、偏置电源及控制部。偏置电源构成为周期性地将脉冲状的负极性的直流电压施加到基板支承器。控制部构成为控制高频电源。控制部为了降低来自高频电源的负载的反射波的功率电平，控制高频电源，以使在...

本发明提供能够期待将使用了大型模型的模拟等处理高速化的信息处理方法、计算机程序以及信息处理装置。本实施方式的信息处理方法是信息处理装置进行使用了大型模型的模拟的信息处理方法，该大型模型包含多个小型模型而构成，其中，上述信息处理装置进行下...

本公开提供一种基板处理装置和状态判定方法，能够判定基板载置台的状态。基板处理装置具备：基板载置台，其具有静电保持盘，对静电保持盘的电极施加电压来使静电保持盘对基板进行静电吸附；升降销，其能够相对于所述基板载置台的基板载置面突出和退回；驱...

一种处理衬底的方法，该方法包括：在包含硅的衬底上形成包含金属和氧的光致抗蚀剂层；使用极紫外（EUV）光刻工艺图案化该光致抗蚀剂层，在该图案化之后暴露该衬底的一部分；以及进行原子层蚀刻（ALE）工艺以相对于该图案化光致抗蚀剂层选择性地蚀刻...

一种等离子体蚀刻装置，具备：腔室；气体供给部，其向所述腔室供给气体；以及控制部，其中，所述气体供给部具备：气体箱，其供给所述气体；气体扩散室，来自所述气体箱的所述气体在所述气体扩散室的内部扩散，所述气体扩散室将所述气体导入到所述腔室；以...

本发明提供一种液处理装置，其包括罐、循环通路、泵、多个液处理部和多个供给通路，循环通路具有设有泵的主通路部分和从主通路部分分支的第一分支通路部分和第二分支通路部分，从罐流出的处理液在通过主通路部分后流入各分支通路部分，并通过各分支通路部...

本公开提供一种相邻膜、成膜方法以及成膜装置，使氧化物半导体的特性稳定。一种相邻膜，是在高密度等离子体处理装置中进行在基板上沉积包含硅原子的膜的沉积处理并在所述沉积处理后进行后处理而形成的氧化物半导体的相邻膜，所述沉积处理包括利用第一处理...

本发明提供一种能够抑制基片处理系统的运转率降低的技术。本公开的一个方式的基片处理系统包括：对多张基片一并进行处理的批量处理部；对基片逐张进行处理的单片处理部；接口部，其从所述批量处理部向所述单片处理部交接所述基片；和控制电路，其中，所述...

本发明涉及载体保管装置、基板处理装置以及载体输送方法。提供一种能够增加载体的保管数量的技术。本公开的一形态的载体保管装置对容纳多张基板的载体进行保管，其具有输送机构、设于比输送机构靠Y轴的负侧的第1保管搁板组、设于比输送机构靠Y轴的正侧...

本公开涉及一种升降销的位置探测方法和基板处理装置，容易地实施升降销的待机位置的示教。升降销配置于在载置基板的载置台的载置面开口的销孔，升降销在上下方向上延伸，具有细轴部、以及设置于比细轴部靠上方且直径比细轴部的直径大的粗轴部，在从粗轴部...

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。使基板处理装置得到较高的生产率并减小占地面积。该装置包括：第1单位模块，其包括第1基板输送区域、分别设为面向第1基板输送区域的左右的一侧、另一侧的第1处理组件、第2处理组件、分别设于第1基板输送区域...

本发明提供能够在等离子体处理中恰当地控制基片的边缘区域的倾斜角度、并抑制基片与边缘环之间的放电的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括：腔室；设置在腔室内部的载置台，其具有电极、设置在电极上的静电卡盘、和以包围被载置在...

本发明提供不进行大气开放而高精度地计测处理容器内的状态的计测装置、计测方法和真空处理装置。计测装置包括：壳体，其形成有具有与真空处理装置的第二出入口对应的尺寸的开口部，能够在第二出入口气密地安装开口部，其中，真空处理装置在处理容器设置有...