专利查询
首页
专利评估
登录
注册
东京毅力科创株式会社专利技术
东京毅力科创株式会社共有7373项专利
用于提升扩散阻挡层的键合强度的方法和器件技术
披露了半导体器件和对应的制造方法。该方法包括:在第一衬底上形成第一层;用氮基等离子体处理第一层以形成第一类型的悬挂键;用氧基等离子体处理第一层以将第一类型的悬挂键转化为第二类型的悬挂键;以及用水处理第一层以将第二类型的悬挂键转化为第三类...
蚀刻方法及等离子体处理装置制造方法及图纸
本发明提供一种蚀刻方法,其包括如下工序:(a)将基板提供到腔体内的基板支承部上,基板包含第1区域和第2区域,第1区域包含含有选自由氧化硅及碳组成组中的至少1种的第1材料,第2区域包含与第1材料不同的第2材料;及(b)不向基板支承部供给电...
蚀刻方法及等离子体处理装置制造方法及图纸
本发明的蚀刻方法包括工序(a),所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包含含硅膜及掩模。掩模含有碳。蚀刻方法还包括工序(b),所述工序(b)通过来自在腔室内由处理气体生成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包...
基片处理方法技术
本发明提供一种基片处理方法,在光致抗蚀剂膜之上有选择地形成氮化膜。基片处理方法包括:准备具有基底膜的基片的步骤;在所述基底膜之上形成光致抗蚀剂膜的步骤;对所述光致抗蚀剂膜实施曝光处理和显影处理,在所述光致抗蚀剂膜形成开口的图案的步骤;暴...
用于在基板形成金属硅化物层的方法和装置制造方法及图纸
本发明提供一种用于在基板形成金属硅化物层的方法和装置。在该方法中,向露出了硅层的基板供给金属卤化物的气体来形成金属硅化物层。该方法包括以下工序:将露出了硅层的所述基板加热至490℃以上且600℃以下的范围内的温度;预供给原料气体,所述原...
混合X射线与光学计量及导航制造技术
一种表征被测器件(DUT)的方法包括:利用光学视场(FOV)内的宽带光束照射该DUT;利用与光学FOV重叠的X射线FOV内的X射线束照射该DUT;以及并发地采集该X射线FOV的X射线计量信息(例如,利用比如吸收、相位衬度差、暗场、小角X...
接合装置、接合系统以及接合方法制造方法及图纸
本公开涉及一种接合装置、接合系统以及接合方法,使基板彼此的接合精度提高。第一保持部保持第一基板。第二保持部保持第二基板。移动部使第一保持部和第二保持部中的一方接近另一方。光学系统向第一基板和第二基板照射光,利用反射光或透射光来拍摄设置于...
用于IR激光剥离工艺的释放层制造技术
一种加工衬底的方法,该方法包括:在第一衬底上形成红外(IR)吸收分离层;在该IR吸收分离层上形成一个或多个层;使用直接键合技术在该一个或多个层与第二衬底之间的键合界面处键合该第一衬底和该第二衬底,以形成晶圆堆叠体;将该晶圆堆叠体暴露于红...
基片处理装置的清洗方法制造方法及图纸
本发明提供一种基片处理装置的清洗方法。所述基片处理装置包括:能够收纳多个基片且贮存处理液的处理槽;承接从所述处理槽洒出的所述处理液的承液部;和将由所述承液部承接的液体排出的承液部排出管。在所述清洗方法中,在检测到所述承液部排出管发生堵塞...
基板处理方法和基板处理装置制造方法及图纸
基板处理方法包括以下处理:利用调液部制备包含氢氟酸、硝酸以及磷酸的水溶液;从所述调液部向处理部供给所述水溶液;通过利用所述处理部对基板供给所述水溶液来对所述基板进行蚀刻;以及将供给到所述基板的所述水溶液从所述处理部送回到所述调液部。所述...
蚀刻方法及等离子体处理装置制造方法及图纸
本发明的示例性实施方式所涉及的蚀刻方法包括:(a)通过包含硅的喷淋头的气体导入口向腔体内供给成膜气体、在气体导入口的内壁形成保护膜的工序;及(b)通过形成有保护膜的气体导入口向腔体内供给蚀刻气体、通过由蚀刻气体生成的等离子体对腔体内的基...
基片处理装置制造方法及图纸
本发明的一个例示的实施方式中,提供一种基片处理装置。基片处理装置包括第一腔室和第二腔室。第二腔室具有:流通空间,其形成于构成第二腔室的壁体的内部,使气体沿着壁体的延伸方向流通;供给口,其与流通空间连通,用于供给气体;和排气孔,其与流通空...
热处理装置、热处理方法和存储介质制造方法及图纸
本发明提供一种热处理装置、热处理方法和存储介质。对形成有抗蚀剂的覆膜且该覆膜被实施了曝光处理的基片进行热处理的热处理装置即热处理单元(U8)包括:能够支承并加热基片的加热板(21);覆盖加热板(21)上的处理空间(S)的腔室(41);在...
蚀刻方法及等离子体处理装置制造方法及图纸
本发明提供一种蚀刻方法,其包括如下工序:(a)在腔室内将基板提供至基板支承部上;(b)将基板暴露于包含氟化氢气体的第1处理气体中;及(c)在(b)之后,向基板支承部供给电偏置,并将基板暴露于由第2处理气体生成的等离子体中,第2处理气体包...
等离子体处理装置、电源系统和频率控制方法制造方法及图纸
本发明提供等离子体处理装置、电源系统和频率控制方法。在本发明的等离子体处理装置中,高频电源能够改变电偏置的波形周期内的多个第1时间点的源高频电功率的源频率,对由多个第1时间点分割的波形周期内的多个第1分割时段各自中的源频率进行插补,并确...
使用直流偏置的可调谐图案化表面均匀性制造技术
一种高纵横比蚀刻方法包括:在室中生成等离子体,该室容纳包括图案化表面(比如硬掩模)的衬底;以及通过将包括直流偏置波形的周期性序列耦合到该衬底来通过该图案化表面中的开口蚀刻一个或多个下伏层。每个偏置波形具有范围是从参考电压到峰值电压的电压...
评价方法、评价装置以及计算机程序制造方法及图纸
本发明提供评价方法、评价装置以及计算机程序。由计算机执行处理:获取评价对象的材料的表面图像;从获取到的表面图像提取第一特征量;从存储部读出从具有结构均匀性的多个材料的表面图像提取并预先存储于存储部的多个第二特征量;计算第一特征量与多个第...
液处理装置和液处理方法制造方法及图纸
本发明提供液处理装置和液处理方法。针对向基板供给涂敷液而形成涂敷膜的液处理装置,获得高生产率且省空间。构成如下装置,其具备:第1喷嘴,其在基板之上的各第1喷出位置向该基板喷出第1处理液,以各基板保持部为单位设置;第2喷嘴,其在各基板之上...
信息处理方法、计算机程序以及信息处理装置制造方法及图纸
本发明提供能够期待实现基于相机的拍摄图像的安全的监视等的信息处理方法、计算机程序以及信息处理装置。在本实施方式所涉及的信息处理方法中,获取相机拍摄室内而得到的拍摄图像,基于获取到的上述拍摄图像,检测该拍摄图像中映现的人佩戴的保护器具,基...
基板搬送装置和基板搬送方法制造方法及图纸
本发明提供一种基板搬送装置和基板搬送方法。在所述基板搬送方法中,使用第一搬送体和第二搬送体来搬送所述基板,所述第一搬送体和所述第二搬送体分别会通过磁力从基板搬送区域的底部浮起,并且支承基板并沿横向移动,所述基板搬送方法包括以下工序:搬送...
首页
<<
1
2
3
4
5
6
7
8
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
133943
珠海格力电器股份有限公司
99092
中国石油化工股份有限公司
87105
浙江大学
81097
三星电子株式会社
68153
中兴通讯股份有限公司
67281
国家电网公司
59735
清华大学
56382
腾讯科技深圳有限公司
54182
华南理工大学
51641
最新更新发明人
镇江圣安医药有限公司
15
环球公用事业公司
13
安徽省斛生元生态农业科技有限责任公司
14
维斯塔斯风力系统有限公司
726
谷歌有限责任公司
6942
旭化成株式会社
2188
富士胶片株式会社
12836
株式会社爱信
736
株式会社阿特软
14
未知星系科技深圳有限公司
7