本发明提供一种成膜方法和成膜装置，能够控制在凹部内嵌入膜时的嵌入特性。本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：准备具有凹部的基板；向所述基板供给氨基硅烷，来在所述凹部的表面形成抑制层；通过将向所述基板非同时地供给硅原料和氮化剂的循环进行...

本发明提供一种成膜方法和成膜装置，能够提高在凹部内嵌入膜时的嵌入特性。本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：准备具有凹部的基板；向所述基板供给氨基硅烷，来在所述凹部的表面形成抑制层；通过将向所述基板非同时地供给硅原料和氮化剂的循环进行...

本发明中公开的等离子体处理方法包括在第1期间，通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内生成等离子体的工序。等离子体处理方法进一步包括在接续第1期间的第2期间，停止供应源自高频电源的高频电力的工序。等离子体处理方法进一步包括...

一种探针装置，其具备支撑检测对象的支撑部，和移动所述支撑部，调整所述支撑部的姿态的驱动部，以及控制部，所述控制部执行：（a）处理，控制所述驱动部，从而将所述检测对象定位于预定位置，（b）处理，基于测量所述检测对象的特性的测量结果，检测所...

本公开提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够提高生产率。基板处理方法包括工序(a)和工序(b)。在工序(a)中，通过第一单体与第二单体的沉积聚合反应，来提供具有埋入有含脲键的聚合物材料的凹部的基板。在工序(b)中，将基板加热到使聚合物...

基板处理方法包括基板保持工序、催化剂提供工序、第一清洗工序、加热工序以及第二清洗工序。在基板保持工序中，保持基板。在催化剂提供工序中，向基板的上表面供给催化剂液来提供催化剂。在第一清洗工序中，在催化剂提供工序之中或催化剂提供工序之后，向...

一种基板处理方法，用于对第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行处理，所述基板处理方法包括：沿着所述第一基板中的作为去除对象的周缘部与中央部的边界，在所述第一基板的内部形成第一周缘改性区域；至少从所述第一周缘改性区域起在径向外侧，在所述...

基片处理装置包括：保持基片并使其旋转的基片旋转部；向基片的周缘部供给处理液的处理液供给部；和控制基片旋转部和处理液供给部的控制部，控制部以调节蚀刻模式控制基片旋转部和处理液供给部，在调节蚀刻模式中，一边使基片旋转，一边从处理液供给部向周...

一种等离子体处理方法，用于对基片进行等离子体处理，包括：按偏置信号的每个控制周期，获取关于对设置于基片支承部的电极供给所述偏置信号时的阻抗匹配状态的参数；和通过下述式(1)来决定第n个控制周期中的所述偏置信号的频率f(n)，f(n)=f...

本发明的检查装置具有：基台，其用于载置基板；升降机构，其使所述基台升降；检查部，其与升降后的所述基板接触来进行该基板的检查；和控制部，其控制所述升降机构。所述控制部具有设定所述升降机构的上升时的参数的功能。在所述参数的设定中，在所述检查...

一种带芯片基板的制造方法，包括：将多个芯片与第一基板的一面通过分子间力进行接合；将与所述第一基板接合后的多个所述芯片同第二基板的与所述第一基板相向的面接合；以及在进行多个所述芯片与所述第一基板的接合之后且多个所述芯片与所述第二基板的接合...

一种方法包括：在衬底之上形成多个第一芯轴，在该多个第一芯轴之上形成外涂料层，以及在该外涂料层内诱导交联反应并且形成交联的外涂料层。该方法进一步包括：将该衬底暴露于辐射以在该多个第一芯轴内产生多个酸分子，使该多个酸分子中的一部分从该多个第...

在半导体制造装置中使用的部件包括第一部件；第二部件；和配置在第一部件与第二部件之间的密封层。第一部件具有多个第一开口，第二部件具有分别与多个第一开口对应的多个第二开口。密封层具有与多个第一开口中的至少两个第一开口各自对应的多个贯通孔。至...

本发明提供一种强力地清洗基板的基板处理装置和基板处理方法。实施方式所涉及的基板处理装置具备保持部、第一清洗体、第一移动机构、第二清洗体、第二移动机构以及控制部。保持部保持基板。第一清洗体通过向被保持于保持部的基板的上表面和下表面中的一个...

本发明提供一种强力地清洗基板的基板处理装置。实施方式所涉及的基板处理装置具备保持部、第一清洗体、第一移动机构、第二清洗体、第二移动机构以及控制部。保持部保持基板。第一清洗体通过向被保持于保持部的基板的上表面和下表面中的一个面喷出流体、或...

本发明的目的在于提供一种技术，可将导电线缆稳定连接，同时能降低成本。一种线缆连接方法，其连接加热部和向所述加热部提供电力的导电线缆，所述加热部设于热处理装置、具有加热器本体和与该加热器本体导通的端子部。线缆连接方法具有如下工序，工序(A...

一种基板处理方法，用于对第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行处理，在所述基板处理方法中，沿着所述第一基板中的中央部与作为去除对象的周缘部之间的边界，在所述第一基板的内部形成第一周缘改性区域，至少在相对于所述第一周缘改性区域而言的径向...

剥离装置将层叠有第一基板和第二基板的重合基板剥离成第一基板和第二基板。剥离装置具备：第一保持部，其保持重合基板的第一基板；第二保持部，其保持重合基板的第二基板；剥离引导部，其进入重合基板的第一基板与第二基板之间来形成开始剥离的剥离开始部...

本发明涉及等离子体处理装置和基板支承部组件。提供用于避免由盖环的损耗引起的工艺变化的技术。一个例示的实施方式的等离子体处理装置具备载置台、聚焦环、盖环、导电性环以及高频电源。聚焦环载置于载置台，具有导电性。导电性环载置于盖环。位于聚焦环...

本发明提供基片支承台、等离子体处理系统和环状部件的安装方法。基片支承台包括：载置基片的基片载置面；环状部件载置面，其载置以包围保持于基片载置面的基片的方式配置的环状部件；三个以上的升降部件，其构成为能够从环状部件载置面伸出，并以可调节从...