本公开提供一种程序产品、信息处理方法、信息处理装置以及计算机可读取的记录介质，能够期待对与基板处理中的药液或清洗液等液体的喷出有关的状态进行判定。本实施方式所涉及的计算机程序使计算机执行以下处理：获取对向作为处理对象的基板喷出液体的基板...

一种基板处理方法，用于对基板进行处理，所述基板处理方法包括以下处理：向基板中的蚀刻对象的表面供给蚀刻液来对该表面进行蚀刻；进行用于将蚀刻后的所述蚀刻液回收以进行再利用的处理，来生成再利用蚀刻液；以及决定使用所述再利用蚀刻液对蚀刻对象的表...

适当地掌握在液处理中基片的表面上的处理液的反应的进展状况。基片处理装置包括保持部、喷嘴、摄像部和控制电路。保持部以基片能够旋转的方式保持基片。喷嘴向保持部所保持的基片的表面排出处理液。摄像部对保持部所保持的基片的表面进行拍摄。控制电路执...

可变电容器具有保持部、第1电极和第2电极。保持部构成为能够保持离子液体。第1电极在保持部设置至少一个，构成为施加正负中的任一方的直流电压。第2电极在向第1电极施加直流电压时在保持部的离子液体中形成双电层的部分设置至少两个，构成为能够介由...

本发明涉及一种成膜装置和成膜方法，能够以大流量稳定地供给由低蒸气压原料产生的原料气体。本公开的一个方式的成膜装置通过载气来向处理容器输送由低蒸气压原料产生的原料气体，来在基板上形成膜，所述成膜装置具备：原料容器，其用于收容所述低蒸气压原...

本发明提供一种对基片进行检查的基片检查装置，包括：取得部，其基于图像估计模型和经基片处理装置处理前的检查对象基片的拍摄图像，取得经所述基片处理装置处理后的所述检查对象基片的估计图像，其中，所述图像估计模型是使用多个基片各自的经所述基片处...

一种基板处理装置，其对基板进行处理，其具有：第1处理模块组，其具备1个以上的第1处理模块；第1输送模块，其与所述第1处理模块连接；第2处理模块组，其具备1个以上的第2处理模块；以及第2输送模块，其与所述第2处理模块连接，所述第1输送模块...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。提供一种能够抑制在对基板处理部进行了清洗处理之后液处理的性能恶化的技术。本公开的一形态的基板处理装置具备基板处理部、排液部以及控制部。基板处理部从处理液供给部向所载置的基板供给处理液而进行液处理...

本发明的一个方式的基片处理装置（14）包括：保持基片的基片保持部（30）；对基片的正面（Wa）供给处理液的正面供给部（40）；对基片的背面（Wb）供给处理液的背面供给部（50）；和控制各部的控制部（15）。另外，控制部（15）执行以下处...

本发明提供一种基板保持装置和接合系统。本发明提供一种能够稳定地保持产生了翘曲的基板的技术。本公开的一技术方案的基板保持装置具备主体部、流路以及抽吸孔。主体部具有与圆板状的基板相对的圆状的吸附面。流路形成在从吸附面的中心区域延伸至吸附面的...

提供一种计算机程序、信息处理装置以及信息处理方法，能够考虑装置固有的热阻、在工艺制程的每个步骤中不同的热通量来决定对于制冷剂的设定温度的补偿值。用于使计算机执行如下处理：关于具备基板载置台和利用从冷却装置供给的制冷剂来冷却基板载置台的冷...

提供了控制在区域选择性沉积（ASD）工艺中使用的自组装单层（SAM）的形成并且因此在ASD工艺中防止缺陷的方法的各种实施例。在所披露的实施例中，SAM结构经由旋涂工艺形成，该旋涂工艺包括：(a) 旋转涂布步骤，该旋转涂布步骤用于用含有S...

一种监视方法，用于对在地板部配置有能够拆卸的格栅的洁净室内进行监视，所述监视方法包含探测的工序，在所述探测的工序中，基于由摄像模块拍摄到的所述洁净室的图像来探测所述格栅被拆卸了的开口部，所述探测的工序包含以下工序：(A)工序，从探测对象...

基板处理方法包括以下处理：准备基板，所述基板具有第一主面以及朝向与所述第一主面的朝向相反的第二主面，并且在所述第一主面具有起伏；以及进行所述基板的所述第一主面的激光加工。基板处理方法包括以下处理：在所述激光加工之前获取所述第一主面的起伏...

本发明的组合设备具有等离子体处理装置和移动式更换装置，等离子体处理装置具有：具有第一面和第二面的等离子体处理模块；和在第一面与等离子体处理模块连接的真空运送模块，等离子体处理模块具有支承部件和消耗环，移动式更换装置具有：环保管部；环更换...

一种等离子体处理装置，其具备测定发光强度的分光计，基于由上述分光计计测的计测结果，控制蚀刻的终点检测的控制部，上述控制部在将包含硅和氧的第1层与包含硅和氮的第2层交替层叠的层叠膜利用等离子体蚀刻时，执行以下步骤：(a)由上述分光计取得上...

本公开提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够控制氮化膜的蚀刻量。本公开的一个方式的基板处理方法包括：工序(a)，准备在表面具有氮化膜的基板；工序(b)，将所述基板暴露在从包含氢气和氧气的第一处理气体生成的等离子体中；工序(c)，向所述...

本公开提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，能够减少用于清洗排液用配管内的溶剂的使用量。本公开的一个方面所涉及的基板处理装置对基板实施规定的处理。该基板处理装置具备：保持部，其用于在使用处理液对基板实施液处理时保持基板；杯部，...

基板处理方法包括：准备基板，所述基板具有第一主面以及朝向与所述第一主面的朝向相反的第二主面，并且在所述第一主面具有起伏；以及进行所述基板的所述第一主面的激光加工。基板处理方法包括：在所述激光加工之前获取所述第一主面的起伏的映射数据；基于...

本发明提供成膜装置、成膜方法以及基板支承构件。在对基板进行成膜处理时，防止起因于处理后的膜残留而导致对后续的基板进行的处理产生不良情况。成膜装置具备：处理容器；第1气体供给部，为了对载置在载物台的基板进行成膜而向处理容器内供给成膜气体；...