本发明提供一种能够进行与下层膜的外缘的状态一致的周边曝光的基片处理方法。本发明的一个方面的基片处理方法包括：基于对在表面形成有第一覆膜的基片的所述表面中的周缘区域进行拍摄而得到的拍摄图像，生成表示绕所述基片的中心的周向位置（Xθ）与所述...

一种配管清洗方法，其对第1处理液供给装置和第2处理液供给装置各自的配管进行清洗，其中，所述第1处理液供给装置构成为，将来自第1处理液供给源的处理液经由设有第1过滤器的第1配管供给到向基板喷出处理液的第1喷嘴，所述第2处理液供给装置构成为...

本发明提供用于优化物理系统的信息处理方法、计算机程序以及信息处理装置。在本实施方式的信息处理方法中，由信息处理装置进行下述处理：将系统模型预先存储在存储部中，上述系统模型是将对物理系统所包含的多个物理构成要素分别模型化而得的多个构成要素...

本发明的部件更换系统包括：等离子体处理装置，其包括配置于等离子体处理模块内的消耗部件；可移式部件保管单元，其包括能够收纳消耗部件的壳体，壳体包括底面盖；和移动式更换装置。移动式更换装置包括：构成为能够与底面盖卡合的上表面盖；构成为能够将...

本发明提供一种集群工具，其具有等离子体处理装置、移动式更换装置和控制部，等离子体处理装置具有等离子体处理模块、真空运送模块和位置检测传感器，该等离子体处理模块具有支承构件、消耗环和升降销，移动式更换装置具有保管消耗环的环保管部和运送消耗...

一种厚度测定部的位置设定方法，所述厚度测定部用于在对基板进行磨削的磨削装置中使用测定光来测定基板的厚度，所述厚度测定部的位置设定方法包括：利用基板保持部来保持校准基板；一边使所述厚度测定部接近或远离所述校准基板，一边从所述厚度测定部向所...

本发明的处理系统包括大气输送模块、输送装置和清洁装置。大气输送模块能够在大气下输送基片。输送装置具有末端执行器，该末端执行器包括能够在其上载置基片的至少一个支承部件。输送装置设置在大气输送模块内，能够输送基片。清洁装置能够对至少一个支承...

等离子体处理装置包括：外侧腔室，外侧腔室包括外侧侧壁，外侧侧壁包括第一外侧透明窗；基板支撑部，配置在外侧腔室的内部空间内；能够更换的内侧腔室，配置在外侧腔室的内部空间内，能够更换的内侧腔室包括：上部板，在基板支撑部的上方沿水平方向延伸；...

本发明提供一种用于实现基于在基板处理时获取的反射光光谱的结构参数的预测的学习模型的生成方法、信息处理方法、计算机程序以及信息处理装置。在本实施方式所涉及的学习模型的生成方法中，信息处理装置进行下述处理：获取由使基板的状态变化的基板处理引...

本发明的基片处理装置包括基片旋转部、杯体、排气管和处理液喷嘴。基片旋转部保持基片并使其旋转。杯体呈环状地包围由基片旋转部保持的基片的周围。排气管与杯体连接，来自杯体的排气在其中流动。处理液喷嘴至少能够在水平方向上移动，向保持于基片旋转部...

本公开的一个方式的基板处理装置具备：处理腔室(20)；基板保持部(33)，其配置在处理腔室(20)内，将基板保持为水平；雾防护件(70)，其从杯体(60)的外侧包围所述杯体(60)，所述杯体(60)用于对从保持于基板保持部(33)的基板...

本发明提供一种抑制蚀刻的形状异常的技术。本发明提供一种蚀刻方法。该方法包括：（a）准备基片的工序，基片包括具有凹部的蚀刻对象膜和具有使凹部露出的开口且配置在蚀刻对象膜上的掩模；（b）使用由包含含金属气体的第1处理气体形成的第1等离子体，...

提供一种使多个制程中包含的多个处理步骤之间的关系明确的计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置。计算机程序使计算机执行以下处理：获取关于分别包含为了处理基板而按顺序被执行的多个处理步骤的多个制程的、分别包含各处理步骤的内容及基于各处理步...

本发明提供真空处理装置的控制方法。改善由处理容器的变形引起的载置台的位置和倾斜度的偏离。真空处理装置具有：处理容器，其能够将其内部维持为真空气氛；载置台，其设于处理容器内，用于载置基板；支承构件，其贯穿处理容器的底部的孔而自下方支承载置...

提供了一种方法。该方法包括通过多个阶段蚀刻衬底以在衬底中形成凹槽。该多个阶段中的第一阶段基于第一蚀刻剂自由基形成作为凹槽的初始部分的衬里的抑制剂层。该多个阶段中的第二阶段基于离子暴露凹槽的初始部分。该多个阶段中的第三阶段基于第二蚀刻剂自...

本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法，在对基板进行成膜时，得到高的吞吐量，并且得到基板间的高的处理的均匀性。本公开的基板处理装置具备：多个处理部，所述多个处理部分别收纳基板，并使所收纳的所述基板分别旋转；涂布膜形成部，其在所述处理部...

本公开的一个方式的测定方法包括与第一测定部(100)碰撞的工序、测定电位差的工序以及估计碰撞能量的工序。在与第一测定部(100)碰撞的工序中，使从喷嘴(30)喷射出的流体与具有热电偶(102)的第一测定部(100)碰撞。在测定电位差的工...

本发明涉及蚀刻装置和蚀刻方法。腔室在内部设置有能够载置基片的载置台。在腔室内交替地实施对载置于载置台的基片进行成膜的第一步骤和对基片进行蚀刻的第二步骤来蚀刻基片时，电源对载置台周期性地施加脉冲状的电压，该脉冲状的电压是在第一步骤和第二步...

本公开提供一种成膜装置和清洁方法，能够去除沉积于排气装置的内部的反应产物。本公开的一个方式的成膜装置进行包含硅和氧的膜的成膜，该成膜装置具备：处理容器，在该处理容器内部对所述膜进行成膜；供给流路，其用于向所述处理容器的内部供给清洁气体；...

本技术提供能够从沿着水平方向排列的铅垂姿态的多个基片有选择地接收基片的基片保持构件和基片处理系统。本技术的一个方式的基片保持构件包括：主体，其具有前端部隔开间隔且根端部相连的第一臂部和第二臂部；第一保持引导件，其固定在第一臂部的前端部，...