基板支承组件具备基台、基台上的基板支承部以及供给部。基台具有第一流路和第二流路。第一流路是用于第一传热介质的流路。第二流路是用于第二传热介质的流路。供给部与第二流路连接。第二流路在第一流路与基板支承部之间延伸。供给部与第二流路连接以向第...

提供使多个处理步骤之间的关系可视化的计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置。计算机程序使计算机执行以下处理：获取将为了处理基板而被执行的多个处理步骤基于规定各处理步骤的内容的多个参数的值的范围来进行分类所得到的多个处理步骤组，在对使用...

本发明的技术问题是形成耐蚀刻性高的碳膜。解决方案是，利用旋涂法在基片上涂敷碳膜原料而在基片上形成含碳膜，对该含碳膜进行加热烧制来形成碳膜，并对该碳膜照射氦离子。

本发明提供基板处理装置以及基板处理方法。使光学检测供向基板供给的流体流通的供给路径中的异物的基板处理装置小型化。基板处理装置包括：供给路径，其供向基板供给的流体流通；以及异物检测单元，所述供给路径的局部构成流路形成部，该异物检测单元利用...

等离子体处理方法包括：步骤（a），向基片支承部提供基片；和步骤（b），在对蚀刻对象膜进行蚀刻之前，在基片的表面形成沉积膜，并去除沉积膜的一部分，步骤（b）反复进行包含第一期间、第二期间和第三期间的循环，在第一期间，向腔室供给具有第一功率...

本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法、存储介质以及计算机程序产品。该基板处理装置具备：第一加载端口(2A、2B)和第二加载端口(2C、2D)，所述第一加载端口(2A、2B)和第二加载端口(2C、2D)以分别载置用于容纳基板的搬送容器...

[技术问题]本发明提供一种高效地提高位于循环系统内的处理液的清洁度的技术。[解决方案]基片处理装置包括：贮存处理液的容器；与容器连接的循环管线；泵，其设置于循环管线，用于驱动处理液以使处理液在由容器和循环管线构成的循环回路内循环；加热器...

本公开的蚀刻方法包括蚀刻工序，在所述蚀刻工序中，向在表面形成有氧化硅膜的基板供给含卤素气体、氨气以及胺气作为蚀刻气体，来对所述氧化硅膜进行蚀刻。

本发明提供一种显影装置、显影方法、计算机程序产品以及计算机可读存储介质。显影装置具备：第一喷嘴，其具备以连续了覆盖基板的宽度的长度的方式在横向上伸长的第一喷出口；移动机构，其在从第一喷出口喷出显影液的期间设为使第一喷嘴在与第一喷出口的伸...

本发明提供一种基片处理装置用过滤器装置、基片处理系统和清洁空气供给方法，其在并排配置有多个基片处理装置且从基片处理装置间共用的过滤器装置向各基片处理装置供给清洁空气的情况下，能够调节基片处理装置间的处理结果的差异。该过滤器装置具有设置于...

本发明提供一种基片处理装置用过滤器装置和清洁空气供给方法，其在并排配置有多个基片处理装置且从基片处理装置间共用的过滤器装置向各基片处理装置供给清洁空气的情况下，能够调节基片处理装置间的处理结果的差异。该过滤器装置具有设置于并排配置的多个...

本公开提供一种成膜方法，能够控制硅膜中的镍浓度。本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：准备在表面具有非晶硅膜的基板；变更所述非晶硅膜的表面状态；以及在进行所述变更的工序后，向所述非晶硅膜供给镍原料气体来使镍向所述非晶硅膜中扩散。

本公开提供一种成膜方法和成膜装置，能够提高硅膜中的镍浓度。本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：准备在表面具有非晶硅膜的基板；以及向所述非晶硅膜同时供给镍原料气体和氢气，来使镍向所述非晶硅膜中扩散。

本公开提供一种成膜装置的运用方法和成膜装置，能够去除沉积于处理容器内的含镍膜。本公开的一个方式的成膜装置的运用方法包括以下工序：工序(a)，向处理容器内供给含硅气体，来将所述处理容器内用非晶硅膜进行覆盖；工序(b)，在所述工序(a)之后...

一种等离子体处理系统，具备：等离子体处理装置；减压搬送装置，其与所述等离子体处理装置连接，并且具有搬送基板的搬送机器人；以及控制装置，其中，所述等离子体处理装置具有：处理容器，其构成为能够减压；基板支承台，其设置于所述处理容器内，具有基...

本公开的蚀刻方法实施以下工序：将第一蚀刻气体、包含氨气和胺气中的至少一方的第二蚀刻气体分别从气体供给源供给到气体供给路径；贮存工序，将所述第一蚀刻气体及所述第二蚀刻气体贮存于在所述气体供给路径设置的贮存部，并使该贮存部的内部升压；以及气...

披露了一种处理衬底的方法，该方法包括：使碳氟化合物、金属卤化物和分子氢(H2)流动到等离子体处理腔室中，该等离子体处理腔室被配置成固持衬底，该衬底包括作为刻蚀目标的包含氧化硅的介电层和在该介电层上的包含多晶硅(poly‑Si)的图案化硬...

本公开的蚀刻方法包括：第一贮存工序，从第一气体供给源向第一气体供给路供给第一蚀刻气体，并将该第一蚀刻气体贮存于在第一气体供给路设置的第一贮存部，使该第一贮存部的内部升压；第二贮存工序，从第二气体供给源向第二气体供给路供给第二蚀刻气体，并...

本发明提供一种基板处理系统，其具备：数据取得部，其取得腔室内的等离子体发光数据；状态预测部，其通过向对等离子体发光数据与表示腔室内的状态的信息之间的关系进行学习得到的已学习模型输入由数据取得部取得的等离子体发光数据，来预测腔室内的状态。

本公开提供一种接合装置和接合方法。接合装置具备用于保持第一基板的第一保持部、用于保持第二基板的第二保持部、用于拍摄被保持于第一保持部的第一基板或被保持于第二保持部的第二基板的摄像部、用于调整被保持于第一保持部的第一基板或被保持于第二保持...