成膜方法和成膜装置制造方法及图纸

本公开提供一种成膜方法和成膜装置，能够提高硅膜中的镍浓度。本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：准备在表面具有非晶硅膜的基板；以及向所述非晶硅膜同时供给镍原料气体和氢气，来使镍向所述非晶硅膜中扩散。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种成膜方法和成膜装置。

技术介绍

1、已知有一种通过在使镍粒子吸附于非晶硅膜的表面后进行退火来将非晶硅膜改性为多晶硅膜的技术(例如，参照专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2011-60908号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、本公开提供一种能够提高硅膜中的镍浓度的技术。

3、用于解决问题的方案

4、本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：准备在表面具有非晶硅膜的基板；以及向所述非晶硅膜同时供给镍原料气体和氢气，来使镍向所述非晶硅膜中扩散。

5、专利技术的效果

6、根据本公开，能够提高硅膜中的镍浓度。

【技术保护点】

1.一种成膜方法，包括以下工序：

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

3.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的成膜方法，其中，

5.根据权利要求4所述的成膜方法，其中，

6.根据权利要求5所述的成膜方法，其中，

7.根据权利要求1～3中的任一项所述的成膜方法，其中，

8.根据权利要求1～3中的任一项所述的成膜方法，其中，

9.根据权利要求3所述的成膜方法，其中，

10.根据权利要求1～3中的任一项所述的成膜方法，其中，

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【技术特征摘要】

1.一种成膜方法，包括以下工序：

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

3.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的成膜方法，其中，

5.根据权利要求4所述的成膜方法，其中，

6.根据权利要求5所述的成膜方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边要介，竹泽由裕，宫原达也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：