本发明提供降低通过等离子体处理形成的膜的粗糙度的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、气体供给部、第一电源、第二电源和控制部，控制部执行等离子体处理，该等离子体处理反复进行依次包括第一期间、第二期间、...

本发明提供缩小交接基片时的位置偏移的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置包括：基片输送单元，其具有保持基片的保持部和使上述保持部在规定方向上移位的电机；输送控制部，其控制上述基片输送单元，以利用上述电机使保持部移位至向旋转...

本发明提供排气网、等离子体处理装置以及等离子体处理方法。抑制排气口附近的压力损失和异常放电。排气网具备多个周向分隔壁和多个放射状分隔壁。周向分隔壁分别在周向上配置有多个板状部，该板状部具有相对的第1面和第2面且由电导体形成，各个板状部的...

本发明涉及条件设定辅助方法和装置、以及存储介质，能够掌握伴随显影处理而向基片面内供给的显影液的供给量的分布。条件设定辅助方法包括：获取表示显影处理的条件的处理信息的步骤，显影处理包括一边使喷嘴沿基片的表面移动，一边从喷嘴对基片的表面供给...

本公开提供一种剥离装置和剥离方法，能够在重合基板的剥离中抑制基板破损。剥离装置对第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行剥离。剥离装置具备：保持部，其保持所述重合基板，并且能够使该重合基板沿周向旋转；剥离引导部，其具有刀片，通过从被保持...

提供一种适当地使用脉冲化直流信号进行等离子体处理的技术。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；基板支撑部，配置在等离子体处理腔室内，基板支撑部包括导电性基台、配置在导电性基台上的静电吸盘、配置在静电吸盘内的吸盘电极和在静电吸盘内配置在...

本公开提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够对在表面露出了第一膜和第二膜的基板中选择性地对第一膜进行蚀刻，所述第一膜为氧化硅膜，所述第一膜与所述第二膜为种类互不相同的含硅膜。在对在表面露出了作为种类互不相同的含硅膜的第一膜和第二膜的基...

本发明提供能够获得通过形状模拟得到的预测形状的置信度的计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置。计算机程序使计算机执行下述处理：获取对使用模型预测出的预测形状赋予特征的第一形状特征量，其中，该模型进行针对具有规定形状的基板进行按照由规定...

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。能够减少基板处理装置的动作且缩短基板处理所花费的时间。基板处理装置具备：保持部，保持基板；液供给部，对由保持部保持的状态下的基板的主表面按顺序供给第1处理液和不同于第1处理液的第2处理液；摩擦体，在...

公开的异常检测方法包括使在等离子体处理装置的腔室内进行的等离子体处理的至少一个处理条件周期性地变化的工序。异常检测方法还包括以下工序：在使至少一个处理条件变化的周期的重复即序列内的各周期中取得各相位下的腔室内的等离子体的至少一个状态值。...

本发明提供防止向容器中补充含有颗粒等污染物质的处理液的基片处理装置和处理液补充方法。基片处理装置包括：使用处理液对基片进行液处理的处理单元；贮存被供给到处理单元之前的处理液的容器；从处理液供给源向上述容器供给处理液的补充管线；开闭上述补...

在一个例示性实施方式中，蚀刻方法包括如下工序：(a)提供具备含碳膜及含碳膜上的掩模的基板；及(b)通过从包含含氧气体及含硫气体的处理气体生成的等离子体对含碳膜进行蚀刻，在(b)中，对支承基板的基板支承部供给偏压功率的脉冲，脉冲周期性地重...

本发明提供基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。一种方法，用于在将第一基板与第二基板接合而成的重合基板中将形成于所述第二基板的表面的器件层转印于所述第一基板，在所述方法中，从所述第二基板的背面侧对形成于该第二基板与所述器件层之间的...

本发明提供基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。一种方法，用于在将第一基板与第二基板接合而成的重合基板中将形成于所述第二基板的表面的器件层转印于所述第一基板，在所述方法中，从所述第二基板的背面侧对形成于该第二基板与所述器件层之间的...

本发明提供能够高精度地管理容器主体内的处理用液体的液位的液体贮存装置、半导体制造系统和液体的补充方法。液体贮存装置包括：容器主体，其用于在内部贮存处理用液体；设置在容器主体的内部的液位传感器，其用于检测所贮存的处理用液体的液位；补充部，...

等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；基片支承部，其配置在所述等离子体处理腔室内；环状挡板，其以包围所述基片支承部的方式配置，具有多个开口；第一环状板，其在所述环状挡板的下方，内端固定配置在所述基片支承部的侧壁；可动结构体，其配置在所...

提供一种在基板形成气隙构造的基板处理方法和基板处理系统。基板处理方法包括以下工序：准备具有凹部的基板，所述凹部具有突出；在所述基板形成牺牲层；在所述牺牲层上形成耐蚀刻性比所述牺牲层的耐蚀刻性高的密封层；以及对形成了所述牺牲层及所述密封层...

提供一种能够在抑制光致抗蚀剂膜的减少的同时降低光致抗蚀剂膜的图案缺陷的技术。本发明的等离子体处理方法是在等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法，该等离子体处理装置具有等离子体处理腔室和配置在所述等离子体处理腔室内的基片支承部。该等离子...

本发明的对基片进行处理的基片处理装置具有多个复合模块，上述复合模块是将具有基片的输送空间的一个输送腔室和具有基片的处理空间的处理腔室形成为一体而成的，相邻的上述输送腔室彼此连接，而多个上述复合模块被连结在一起。连接了的多个上述输送腔室的...

提供了一种抑制掩模开口阻塞的技术。提供了一种蚀刻方法。该方法包括：(a)在腔室内的基板支撑部上提供具有含碳膜和含碳膜上的掩模的基板的工序；和(b)使用由第一处理气体生成的等离子体蚀刻含碳膜的工序，第一处理气体包括卤化磷气体、含氧气体和含...