本发明提供能够对处理配方所包含的各个处理步骤调查处理的状态的计算机程序、分析方法以及分析装置。计算机程序使计算机执行下述处理：获取由设置于处理装置的传感器测定出的多个测定值构成的时间序列数据，其中，上述处理装置按照一个或者多个处理步骤对...

本发明提供一种成膜方法，其在基板上形成的凹部上形成氮化钛膜，所述成膜方法包括，(a)在处理容器内准备所述基板的工序，(b)向所述处理容器内供给包括含金属气体的成膜气体，形成所述氮化钛膜的工序，以及(c)向所述处理容器内供给包括含金属气体...

一种基板处理系统，其具有：真空输送模块，其具有第1侧面、与第1侧面相反的一侧的第2侧面、以及具有开口的底面，从开口到第1侧面的距离比从开口到第2侧面的距离大；第1侧面侧的多个第1基板处理模块；第2侧面侧的多个第2基板处理模块；下部空间，...

本发明提供一种基板处理装置。在具有多个处理单元的基板处理装置中减少向各处理单元供给的清洁的空气的温度、湿度的单元间差异。一种基板处理装置，其具有多个处理基板的处理单元，其中，该基板处理装置具有向所述处理单元供给空气的多个管道，在各所述管...

提供一种能够使处理步骤对基板的处理结果带来的效果可视化的计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置。计算机程序使计算机执行下述信息处理：获取由用于处理基板的多个处理步骤构成的第一配方、以及一部分处理步骤与上述第一配方不同的第二配方；通过模...

本公开提供一种成膜方法和成膜装置，能够控制硅膜的结晶性。本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：在基板上形成晶种层；向所述基板供给含硅气体，来在所述晶种层上形成包含硅的体层；以及对所述基板进行热处理，来使所述体层结晶，其中，形成所述体层...

本发明提供阀装置、基板处理装置以及基板处理方法。在具备用于进行被处理体的处理的处理容器的处理装置中，利用设于阀装置的检测部检测处理容器内的状态。在设于具备用于进行被处理体的处理的处理容器的处理装置的阀装置中，具备：阀芯，其具备阀芯主体和...

本发明提供能够减少所占空间的收纳装置、基片处理系统和消耗部件的输送方法。收纳装置包括载置台、传感器、旋转部、收纳部和升降部。载置台载置消耗部件。传感器检测消耗部件的方向。旋转部基于由传感器检测出的消耗部件的方向，使消耗部件向规定的方向旋...

在公开的等离子体处理装置中，在第1期间供给用于生成等离子体的高频电力，在第2期间设定为高频电力的功率电平减少的功率电平。在第2期间，偏置电力施加到基板支承器的下部电极。偏置电力在由第2频率限定的各周期内使基板的电位变动。在第2期间，直流...

本发明提供基片处理装置和位置检测方法，能够高精度地识别旋转台的载置部的位置。基片处理装置包括：处理容器；可旋转地设置在处理容器的内部的、具有用于载置基片的载置部的旋转台；固定在处理容器的、能够对旋转台的一部分进行拍摄的拍摄装置；和处理拍...

本发明提供对以高可靠性执行制造设施中的基片处理装置的维护有效的系统。基片处理装置(1)包括：对基片进行处理的处理装置(50)；读取器(111)，其以光学方式读取包含经编码的维护信息的码；解码部(112)，其将读取器(111)读取到的码解...

本发明提供一种基板处理装置。本公开提供一种能够提高气体向基板间的供给效率的技术。本公开的一个方案的基板处理装置具备反应管、向所述反应管的内部导入气体的气体导入部、排出导入到所述反应管的内部的气体的气体排出部、以及在内部收纳所述反应管、所...

本发明提供一种基板处理装置。本公开提供一种能够容易地设置一体地构成的反应管和真空配管的技术。本公开的一个方案的基板处理装置具备：反应管；真空配管，其与所述反应管一体地构成；壳体，其在内部收纳所述反应管和所述真空配管；排气管，其设置于所述...

本发明的目的在于抑制曝光后的基片间的运送状态的偏差，抑制显影后图案的偏差。本发明的基片处理方法使用基片处理装置，该基片处理装置包括分别载置曝光后的基片的第一后级模块(TRS6)、第二后级模块(SCPL3)、加热模块(1A)和显影模块(2...

成膜方法包括：准备在表面的不同的区域具有含有硼的第一膜、以及第二膜的基板；对所述基板的表面供给用于去除有机化合物的清洗气体；相对于被去除所述有机化合物后的所述第一膜，选择性地在所述第二膜上形成第三膜；以及从紧挨着去除所述有机化合物后起到...

本发明提供基板处理装置。提供能够提高处理的面间均匀性的技术。本发明的一形态的基板处理装置具备：反应管，其具有在铅垂方向上延伸的第1管轴；真空配管，其以在水平方向上相对于所述反应管分开的方式设置，具有与所述第1管轴平行的第2管轴；排气管道...

本发明提供基片处理装置和基片处理方法，降低基片被从用于使基片移动的驱动机构产生的颗粒污染的可能性。该装置包括：处理容器，其在内部具有被减压至比大气压低的压力的处理空间，具有用于对处理空间送入送出基片的开口；基片保持旋转机构，其能够将基片...

本发明的基板处理方法包括在腔室内的基板支撑部上提供基板的工序。基板具有包括经曝光的第1区域及未经曝光的第2区域的含金属膜。基板处理方法还包括将基板暴露于BCl3气体及HBr气体中，相对于第1区域选择性地去除第2区域，从而在含金属膜上形成...

本发明提供一边适当地进行温度控制一边对基片进行检查的检查系统和温度控制方法。检查系统一边进行温度控制一边对基片进行检查，包括：保持上述基片的基片保持部；向上述基片的电极部供给检查电功率的检测部；检测上述基片保持部的温度并调节上述基片保持...

本发明提供一种基板处理装置。本公开提供一种能够提高基板面内的温度均匀性的技术。本公开的一个方案的基板处理装置具备：反应管；气体导入部，其向所述反应管的内部导入气体；气体排出部，其排出导入到所述反应管的内部的气体；第1加热器，其对所述反应...