提供一种能够提高等离子体处理中的基板的面内均匀性的技术。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；基板支撑部；基板吸盘电极；至少一个环形吸盘电极；基板偏压电极；环形偏压电极；第一电压脉冲生成器；第二电压脉冲生成器；和开关，构成为切换第一连...

本发明提供基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。一种方法，用于在将第一基板与第二基板接合而成的重合基板中将形成于所述第二基板的表面的器件层转印于所述第一基板，在所述方法中，从所述第二基板的背面侧对形成于该第二基板与所述器件层之间的...

本发明提供基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。一种方法，用于在将第一基板与第二基板接合而成的重合基板中将形成于所述第二基板的表面的器件层转印于所述第一基板，在所述方法中，从所述第二基板的背面侧对形成于该第二基板与所述器件层之间的...

本公开提供一种处理液收容容器、基板处理装置以及基板处理方法。处理液收容容器具备容器主体和处理液吸引部，其中，处理液吸引部具有：取出基台，其在俯视时取出基台具有比主体侧开口大的面积，在与主体侧开口对应的位置具有处理液的取出口；弹性构件，其...

本发明提供降低第1金属膜与第2金属膜的电阻，并且提高第1绝缘膜与第2金属膜的紧贴性的成膜方法和成膜装置。成膜方法依次包括：准备在表面的不同的区域具有第1金属膜和第1绝缘膜的基片的步骤；相对于上述第1绝缘膜的表面，有选择地在上述第1金属膜...

披露了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括在第一衬底上形成堆叠。激光剥离层介于该堆叠与该第一衬底之间。该方法包括在该堆叠的第一侧上形成多个第一互连结构。该方法包括将第二衬底在该第一侧上附接到该堆叠，其中该多个第一互连结构介于该堆叠与...

本发明提供一种剥离方法和剥离系统，用于从第一基板与第二基板借助粘接层接合而成的重合体高效地剥离该第二基板。在所述剥离方法中，从第一基板与第二基板借助粘接层接合而成的重合体剥离所述第二基板，所述第二基板使光透过，所述粘接层通过吸收所述光而...

本发明提供计算机程序、信息处理方法、以及信息处理装置。使计算机执行下述处理：获取与基板处理相关的数据；使用第一学习模型，提取获取到的数据的特征量，该第一学习模型是以根据数据的输入而输出数据的特征量的方式进行了学习的模型；将提取出的特征量...

本发明提供一种条件决定辅助装置和条件决定辅助方法，其能够使操作员容易地决定可否执行清洗基片处理装置内的流路的恢复处理的条件。条件决定辅助部(111)辅助用户决定可否执行恢复处理的条件，其中所述恢复处理是清洗基片处理装置内的流动处理液的流...

一种磨削基板的磨削装置，具有：基板保持部，在所述基板保持部的保持面上保持所述基板；磨削部，其通过磨削面对被保持于所述基板保持部的所述基板进行磨削；倾斜调整部，其调整所述保持面与所述磨削面的相对的倾斜；以及信息显示部，其用于输入和显示与所...

本发明定量地测量基片的吸附力。提供一种基片处理装置，包括：基片支承部，其包括具有静电电极和基片支承面的静电卡盘，能够将基片静电吸附于基片支承面；输送臂，其用于向腔室内输送基片；传感器，其配置于输送臂，能够测量从传感器到基片的距离和从传感...

在所公开的等离子体处理装置中，电源控制部，在电偏置的第i个波形周期内的第n个相位期间中源高频电力的反射程度大的情况下，将对源频率f[i，n]加上偏移值Δf[n]而得到的频率用作之后的波形周期内的第n个相位期间用的源频率。电源控制部，在到...

本发明提供能够提高使用了超临界状态的处理流体的干燥处理后的晶圆的清洁度的基板处理装置及其控制方法。基板处理装置具有：处理容器，具有能够收纳被液体湿润了表面的状态的基板的处理空间；处理流体供给部，具有供给管线，该供给管线向处理空间中朝向液...

本发明提供一边适当地进行温度控制一边对基片进行检查的检查系统和温度控制方法。一种检查系统，一边通过温度调节机构进行温度控制一边对基片进行检查，包括：保持所述基片的基片保持部；向所述基片的电极部供给检查电力的检测部；和控制部，其中，所述检...

本发明提供能够在形状模拟中确定用于使基板的形状接近理想形状的贡献度高的参数的计算机程序、分析方法以及分析装置。计算机程序使计算机执行下述处理：对于使用多个参数来模拟基板处理的第一模型，调整参数，以使得通过模拟而得到的基板处理后的基板的形...

本发明提供用于探测水分的等离子体处理方法和等离子体处理装置。所述等离子体处理包括以下工序：将等离子体处理执行预先设定的次数并获取第一发光强度，基于所获取到的第一发光强度来设定用于判定处理室内包含的含水量的阈值；以及基于预先设定的次数之后...

蚀刻方法包括蚀刻工序，在该蚀刻工序中，向在表面形成有硅层的基板供给含卤素的气体和胺气来对所述硅层进行蚀刻。

等离子体处理装置具备腔室、基板支承部、天线、RF生成部和控制部。RF生成部构成为产生RF信号。控制部构成为，控制RF生成部，在第一期间中，为了在腔室内使等离子体点火，将RF信号的第一频率成分的功率电平设定为比RF信号的第二频率成分的功率...

本发明涉及基板处理装置、基板处理方法以及电感耦合天线。提高处理容器的内部的等离子体分布的均匀性。基板处理装置具备：板状的窗构件，其将处理容器的内部划分为上部的天线室和下部的处理室；和电感耦合天线，其在天线室的内部配置为隔着窗构件而与载置...

例示性的实施方式所涉及的测定器具备：基底基板，其具有圆板状；多个第一传感器，所述多个第一传感器沿着基底基板的周缘设置；电路基板，其固定在基底基板上；以及盖，其以覆盖电路基板的上方的方式固定于电路基板或基底基板。多个第一传感器用于测定与配...