本发明提供能够较佳地进行静电吸附的等离子体处理装置以及基板吸附方法。等离子体处理装置具备：等离子体处理室；静电吸盘，其配置在所述等离子体处理室内，所述静电吸盘包括具有基板支承面以及环支承面的介电构件、和在所述介电构件内配置于所述环支承面...

提供了一种能够调节在半导体装置的制造中形成的凹部的位置和/或尺寸的技术。本公开所涉及的半导体装置的制造方法包括：(a)提供配置有第一层叠膜、介电膜和第一掩模膜的基板的工序，第一层叠膜配置在基板上的第一区域，介电膜以覆盖第一层叠膜的方式配...

在一示例性实施方式中，基板处理方法包括：(a)在腔室内的基板支撑部上提供基板的工序，其中，基板具备蚀刻对象膜和蚀刻对象膜上的含金属抗蚀剂，含金属抗蚀剂具有通过EUV光曝光的第1区域和未通过EUV光曝光的第2区域；及(b)通过使用显影气体...

基座配置在等离子体处理腔室内，在基座的内部形成有传热介质的流路。温度调节部能够使传热介质在流路中循环，并且能够调节传热介质的温度。静电卡盘配置在基座的上表面，包括基片载置部和包围基片的边缘环载置部。第一静电电极层配置在基片载置部内。第二...

所公开的基板处理方法包括将基板载置于基板处理装置的基板支承部的静电卡盘上的工序。静电卡盘具有基板支承面。基板包含背面及预先形成于该背面的有机层。基板以有机层与基板支承面接触的方式载置于静电卡盘上。基板处理方法还包括通过基于静电卡盘的静电...

本发明的隔热构造(50)具有第1及第2隔热片(51A、51B)，包覆被安装在配管(100)的加热器(10)的外侧，并且在与加热器(10)之间形成空气层(B)。第1及第2隔热片(51A、51B)的位置通过固定部(54a、54b)固定在加热...

本披露内容的方面提供了一种用于键合两个晶片的键合装置。例如，键合装置可以包括第一键合卡盘和第二键合卡盘。第一键合卡盘可以具有用于将第一晶片安装在其上的第一键合头。第二键合卡盘可以具有用于将第二晶片安装在其上的多个第二键合头。第二键合头可...

在一个例示的实施方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、上部电极、第一绝缘部件和屏蔽部件。腔室电接地，且提供等离子体的处理空间。上部电极是在等离子体处理空间的上方以封闭腔室的开口的方式设置的顶部的一部分。...

静电卡盘包括卡盘主体部，该卡盘主体部具有上表面、至少1个第一气体供给路径和至少1个第二气体供给路径，在所述上表面形成有多个突起、第一环状槽、包围所述第一环状槽的第二环状槽、和配置在所述第一环状槽与所述第二环状槽之间且比所述第一环状槽和所...

在本发明的等离子体处理装置中，高频电源能够改变电偏置的波形周期内的多个第1时间点的源高频电功率的源频率，对由多个第1时间点分割的波形周期内的多个第1分割时段各自中的源频率进行插补，并确定最能够抑制源高频电功率的反射程度的源频率的第1时间...

等离子体处理装置包括：腔室；供给第一、第二偏置信号的第一、第二偏置电源；在腔室内支承基片和边缘环的基片支承器；调节机构；和电路径。基片支承器具有：分别支承基片、边缘环的第一、第二区域；第一、第二区域内的第一、第二偏置电极；和第二区域内的...

本发明提供一种保护膜形成方法、保护膜形成装置以及基板处理系统，能够在表面具有多层图案化层的基板的周缘部适当地形成保护膜。保护膜形成方法包括：工序(A)，一边使基板旋转，一边从位于基板的表面侧的表面侧涂布部向基板的表面供给用于形成保护膜的...

本发明提供适当地冷却能够旋转的载置台的基板处理装置。一种基板处理装置，其具备：处理容器；载置台，其设于所述处理容器内，在与载置基板的载置面相反的一侧具有第1接触面；制冷装置，其具有第2接触面，对所述载置台进行冷却；旋转装置，其使所述载置...

本公开的一个方式的接合装置(41)具有第一保持部(140)、第二保持部(141)以及撞销(190)。第一保持部(140)从第一基板(W1)的上方吸附保持该第一基板(W1)。第二保持部(141)配置于比第一保持部(140)靠下方的位置，从...

基板处理装置和基板处理方法。装置具备：基板保持部，将具有第一面和第二面的基板以水平姿势保持；旋转驱动部，使基板保持部和保持于基板保持部的基板绕铅垂轴线旋转；第一流体供给部，向保持于基板保持部的基板的第一面供给流体；第二流体供给部，向保持...

本发明提供基板输送模块和基板输送模块的制造方法。提供以下的技术：在对基板的表面进行处理的半导体制造装置的基板输送模块中，抑制从用于利用磁悬浮使在真空气氛下输送基板的输送体移动的砖放出污染物质。构成进行基板的处理的半导体制造装置且用于在作...

本发明涉及输送系统和半导体制造方法。在利用磁力使移动体在地板上的真空气氛中移动而输送基板时，提高地板的强度，且防止与移动体的位置检测相关的不良情况的产生。输送系统用于半导体制造装置，在装置中，具备磁体的移动体利用磁力以自地板悬浮的状态移...

本公开提供一种基板处理装置和检查方法，即使在具有多个分割区域的情况下也能够简单地检查密封构造的性能。基板处理装置包括处理容器、喷淋板以及导体板。喷淋板与导体板一起被划分为多个分割区域，多个分割区域中的各分割区域在导体板与喷淋板之间具备边...

本发明提供探测器和探针卡的预热方法，能够将探针卡和吸盘顶部之间的间隔保持为固定地进行探针卡的预热。探测器包括多个检查室，多个检查室的每个检查室包括探针卡、吸盘顶部和温度调整部。探针卡具有多个探头。吸盘顶部能够载置晶圆。温度调整部对吸盘顶...

本发明提供探针卡和探测器，能够将探针卡和吸盘顶部之间的间隔保持为固定地进行探针卡的预热。探测器包括多个检查室，多个检查室的每个检查室包括探针卡、吸盘顶部和温度调整部。探针卡具有多个探头。吸盘顶部能够载置晶圆。温度调整部对吸盘顶部进行温度...