本公开提供一种流体供给系统、基板处理方法以及记录介质。流体供给系统具备：流体供给部，其供给处理流体；以及控制部，其控制流体供给部，其中，流体供给部具有：用于向处理容器内供给处理流体的第一供给流路和第二供给流路；第一加热机构，其设置于第一...

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。能够利用一个基板处理装置执行针对俯视时的大小不同的两种基板(第1基板和小于第1基板的第2基板)的处理，并且能够在使两张第2基板升降时各自独立地执行针对各第2基板的升降。基板处理装置具备：载置台，其具...

在本发明的等离子体处理装置中，偏置电源向基片支承部供给具有波形周期的电偏置。高频电源将频率调节周期内的生成源高频电功率的生成源频率的时间序列设定为第一特定相位处的最大频率、第二特定相位处的最小频率、和包括第一特定相位和第二特定相位的至少...

本发明提供一种基板处理方法、基板处理装置、计算机可读的存储介质以及计算机程序产品。该基板处理方法用于对形成于基板表面的含有金属的抗蚀膜进行热处理，具有：第一热处理工序，对基板供给第一气体；以及第二热处理工序，在第一工序之后供给第二气体，...

根据实施例，披露了一种用于等离子体加工的共振结构的辐射结构。该辐射结构包括一组第一臂和一组第二臂。每个第一臂具有第一电感并且耦合至共振结构的相应的第一电容器和相应的第二电容器，以形成在第一共振频率下操作的对应的第一共振电路。每个第二臂具...

本发明涉及基板处理系统。提供能够使基板处理系统小型化的技术。基板处理系统具有：送入送出部，其用于送入送出收纳多片所述基板的盒；批量处理部，其成批地处理包含多片基板的批次；单片处理部，其逐片处理所述批次的所述基板；以及接口部，其在所述批量...

本发明提供一种能够在处理方案中断后进行追加成膜的基片处理装置的控制方法。一种基片处理装置的控制方法，所述基片处理装置能够按照处理方案对基片实施成膜处理，所述基片处理装置的控制方法的特征在于，包括：当在所述处理方案的中途发生了中断时，与发...

所公开的等离子体处理装置包括腔室、基板支撑部、高频电源及偏置电源。基板支撑部设置于腔室内。高频电源构成为在包括源高频电力的上升时的第1部分期间和紧随该第1部分期间的第2部分期间内供给源高频电力。偏置电源构成为在第1部分期间内向基板支撑部...

本发明提供能够抑制形成于基板的表面的图案的倒塌的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置执行：向收纳有在表面附着有液体的基板的处理容器内供给处理流体而使处理容器内的压力上升到比处理流体的临界压力高的处理压力的工序；一边将处理容器内的压力...

一种基板处理方法，用于对基板进行处理，所述基板处理方法包括：对所述基板的第一面和所述基板的第二面进行磨削；在第一液处理装置中对所述第一面进行液处理；以及在对所述第一面进行液处理之后，在第二液处理装置中对所述第二面进行液处理，其中，在所述...

本发明提供能够提高吞吐量的基片处理系统和基片处理方法。基片处理系统包括：送入送出部，其送入送出的收纳多个基片的盒；批处理部；单片处理部；将基片从送入送出部交接到批处理部和单片处理部的基片移载部；和将基片从批处理部交接到单片处理部的基片待...

本公开提供一种基板处理装置和基板处理方法，抑制磷酸水溶液的磷酸浓度的变动。基板处理装置具备：基板处理部，其使基板浸在磷酸水溶液中；以及控制部，其控制所述基板处理部。所述基板处理部具备：处理槽，其具有内槽和外槽，所述内槽用于贮存所述磷酸水...

本发明提供一种基片处理系统中的输送方法。本发明的基片处理系统中的输送方法包括托盘送入步骤、测量步骤、调节步骤、基片载置步骤和托盘送出步骤。在托盘送入步骤中，将能够载置半导体基片和边缘环的托盘送入设置有载置台的载置室。在测量步骤中，测量载...

提供一种基板处理方法。该方法具有：(a)提供具有底膜的基板的工序；和(b)使用具有感光性基团的含金属前体和多官能化合物在底膜上形成含金属抗蚀剂膜的工序。

本公开提供一种氮化硼膜的成膜方法和成膜装置，能够形成具有良好的密合性及平坦性且具有良好的膜质的六方晶氮化硼膜。在氮化硼膜的成膜方法中，将包括对配置于腔室内的基板供给包含环硼氮烷系化合物的原料气体和等离子体的工序以及接着对基板不供给所述原...

根据实施例，披露了一种用于热板设备的设备。热板设备包括壳体结构、合金和加热元件。壳体结构包括围绕空腔的外壳。合金设置在空腔内。合金具有熔融温度范围。加热元件被配置成在熔融温度范围之间的设定温度下将合金从固态转变为液态。

基片检查方法使用拍摄作为检查对象的基片而得到的检查图像来进行基片的检查，包括：根据多个正常图像和多个正常差分图像生成颜色空间中的多个成分图像，基于关于多个成分图像中所含的各像素的成分值的分散的分散信息，生成关于多个正常图像的每一个的预处...

本公开的一个侧面所涉及的温度测量装置具备：SAW传感器，其能够从外部接受输入信号的供给并输出与周围的温度相应的测量信号；以及第一天线，其与SAW传感器电连接。SAW传感器构成为在规定的空间中第一天线与第二天线相向的状态下经由第一天线和第...

本发明说明不使用等离子体而能够以比较高的蚀刻速率对形成于基片的周缘部的硬度比较高的膜进行蚀刻的基片处理装置。基片处理装置包括：周缘加热部，其构成为能够对基片的周缘部进行加热；照射部，其以位于基片的上表面的上方的方式配置，构成为能够朝向基...

本发明的课题在于提供一种能够与处理流体的状态无关地使处理流体的温度接近设定温度的技术。为此，本发明的一个方式所涉及的基板处理装置具备：处理容器，收容基板；供给流路，向所述处理容器内供给处理流体；加热机构，对在所述供给流路中流通的所述处理...