【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的示例性实施方式涉及基板处理方法、含金属抗蚀剂形成用组合物、含金属抗蚀剂和基板处理系统。
技术介绍
1、在专利文献1中,公开了在半导体基板上使用极紫外光(extreme ultra violet光,以下记为“euv光”)形成可图案化的薄膜的技术。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1:日本特表2021-523403号公报
技术实现思路
1、本公开提供了一种调节在基板上形成的含金属抗蚀剂膜的组成的技术。
2、在本公开的一个示例性实施方式中,提供了一种基板处理方法,具有:(a)提供具有底膜的基板的工序;和(b)使用具有感光性基团的含金属前体和多官能化合物在所述底膜上形成含金属抗蚀剂膜的工序。
3、专利技术效果
4、根据本公开的一个示例性实施方式,能够提供一种调节在基板上形成的含金属抗蚀剂膜的组成的技术。
【技术保护点】
1.一种基板处理方法,具有:
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其中,
3.根据权利要求2所述的基板处理方法,其中,
4.根据权利要求3所述的基板处理方法,其中,
5.根据权利要求1所述的基板处理方法,其中,
6.根据权利要求2所述的基板处理方法,其中,
7.根据权利要求1所述的基板处理方法,其中,
8.根据权利要求1所述的基板处理方法,其中,
9.根据权利要求8所述的基板处理方法,其中,
10.根据权利要求1所述的基板处理方法,其中,
11.根
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种基板处理方法,具有:
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其中,
3.根据权利要求2所述的基板处理方法,其中,
4.根据权利要求3所述的基板处理方法,其中,
5.根据权利要求1所述的基板处理方法,其中,
6.根据权利要求2所述的基板处理方法,其中,
7.根据权利要求1所述的基板处理方法,其中,
8.根据权利要求1所述的基板处理方法,其中,
9.根据权利要求8所述的基板处理方法,其中,
10.根据权利要求1所述的基板处理方法,其中,
11.根据权利要求1所述的基板处理方法,其中,
12.根据权利要求11所述的基...
【专利技术属性】
技术研发人员:小野健太,中根由太,熊仓翔,西塚哲也,本田昌伸,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:
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