提供一种重合基板，该重合基板由第一基板与第二基板接合而成，在所述第一基板的表面至少形成有器件层和第一接合膜，在所述第二基板的表面至少形成有第二接合膜，在比所述第一基板中的进行周缘去除的起点靠径向外侧的该第一基板的表面形成有密合力降低区域...

在成膜装置中，在保存基板且内部被设为真空气氛的处理容器的上部设置有包括喷淋头和上方侧构件的成膜气体供给部，所述喷淋头具备多个喷出孔，所述上方侧构件形成与各喷出孔连通的成膜气体的扩散空间。成膜气体供给部具备：环状的第一密封构件，其与喷淋头...

本发明提供能够期待精度良好地从拍摄基板而得的图像去除噪声的学习模型的生成方法、信息处理方法、计算机程序以及信息处理装置。在本实施方式的学习模型的生成方法中，信息处理装置进行下述处理：获取按照时间序列拍摄的对象基板的多个图像；生成将从获取...

本发明提供成膜装置和具有含硅膜的部件的制造方法。抑制氧化地进行成膜。排气部将腔室内减压到预定的真空度。保持部配置于腔室内，保持成膜对象构件。供给部向成膜对象构件的表面供给含有硅的成膜材料。热源能够在预定的真空度中进行加热，将供给来的成膜...

本发明能够降低温度控制系统的耗能。柔性配管(13)包括金属制的波纹管(130)和内管(131)。内管(131)配置于波纹管(130)的内侧，流体在其上流动的内侧的表面是光滑的。流体在其上流动的内管(131)的内侧的面可以比编织体的表面光...

本发明提供基板处理装置、基板处理方法以及化学过滤器。对含金属抗蚀剂膜进行稳定的图案形成。本公开的基板处理装置用于通过对形成于基板的含金属抗蚀剂膜进行曝光并显影而进行的图案形成，其中，在向所述基板处理装置内供给气体的流路设有化学过滤器，该...

本发明提供计算机程序、信息处理装置以及信息处理方法。使计算机执行下述处理：从监视对象的观测系统获取与多种观测变量对应的观测数据；基于获取到的观测数据，导出观测系统中的观测变量的因果结构；基于所导出的因果结构，提取成为一个观测变量的变动原...

在某些实施例中，一种方法包括通过旋涂沉积而在基板上形成第一和第二含碳材料的交替层的层堆叠。该第一含碳材料的这些层包括试剂产生成分，用于响应于活化触发而生成溶解度改变试剂。该方法包括执行活化触发，响应于该活化触发，该溶解度改变试剂从该第一...

工作台载置基板并使该基板升降。工作台具有用于载置所述基板的基台、以及使所述基台升降的升降机构。所述升降机构具有通过驱动电动机的旋转驱动来调整所述基台的升降位置的第一调整部、以及通过压力介质的供给以及排出来调整所述基台的升降位置的第二调整部。

本发明提供计算机程序、信息处理装置以及信息处理方法。使计算机执行下述处理：从监视对象的观测系统获取与多种观测变量对应的观测数据；基于获取到的观测数据，探索观测变量间的因果关系；以及通过根据应该应用于观测变量间的制约条件来修正因果关系，从...

本发明的基片处理装置对能够以收纳于盒中的方式输送的基片实施处理，包括：在内部输送上述基片的至少一个输送区块；对上述基片实施处理的基片处理模块；和盒输送机构，其构成为能够在设定于上述基片处理装置的外侧面的交接位置与对于上述基片处理装置的内...

本发明提供能够抑制异物(例如颗粒等)附着在基片上的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：能够保持基片的保持部；供给部，其包括能够向被保持部保持的基片的表面供给处理液的喷嘴；液体接收部，其包括向上方开放以使得能够接收从喷嘴模拟释放...

一种用于制造半导体封装件的方法。该方法包括：提供包括多个金属化层的第一半导体晶粒；用阻挡层完全覆盖金属化层中的最顶部金属化层；依次用停止层和激光剥离层完全覆盖阻挡层；通过至少激光剥离层将第一半导体晶粒的第一侧附接到第一晶片；将第一半导体...

本发明提供载置台和基板处理装置。对基板的最外周的温度进行控制。提供一种载置台，该载置台具有位于基板的外侧的第1面和载置基板的第2面，其中，该载置台与所述第1面对应地形成第1流路。

本发明的基板输送方法依次实施如下工序：(A)通过输送机器人来保持基板，将基板搬入到对位模块中，基于输送机器人通过对位模块的工作台，将基板载置于对位模块的工作台的工序；(B)通过对位模块来测量基板的偏心量，基于所测量出的基板的偏心量来推定...

本公开涉及一种半导体装置的制造方法和制造系统，减少气隙内的残渣。半导体装置的制造方法包括工序a)、工序b)以及工序c)。在工序a)中，向形成于基板的凹部内嵌入牺牲材料。在工序b)中，通过密封膜来覆盖嵌入有牺牲材料的凹部。在工序c)中，在...

本发明的干式显影方法包括：(a)在腔室内的基板支撑部上提供基板的工序，其中，基板具备基底膜和基底膜上的含金属抗蚀剂，含金属抗蚀剂具有经曝光的第1区域和未曝光的第2区域；(b)通过向腔室内供给包含含氟气体的第1处理气体，在第2区域的表面形...

本发明提供一种基板处理装置及其制造方法。针对从喷嘴单元喷出的处理液具有充分的耐蚀性，且可靠地防止所喷出的处理液的带电。基板处理装置具有喷嘴单元。喷嘴单元具备配管和设置到配管的顶端的喷头，配管具有第1层、第2层以及具有导电性的第3层。喷头...

本发明提供能够抑制对具有包含Cu的导电层和绝缘层的基片进行接合时的不良的基片处理方法、等离子体处理装置和基片处理系统。基片处理方法包括：将具有包含Cu的导电层和绝缘层的基片暴露于第一处理气体的等离子体，使所述基片的表面活化的步骤；将所述...

本发明提供一种抑制对硅膜的蚀刻中产生形状异常的技术。蚀刻方法包括：步骤（a），将基片提供到配置于腔室内的基片支承部上，其中，基片具有硅膜或含硅导电膜以及硅膜或含硅导电膜上的掩模；和步骤（b），向腔室内供给包含含溴气体、氟化磷气体和含氧气...