基板处理装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置及其制造方法。针对从喷嘴单元喷出的处理液具有充分的耐蚀性，且可靠地防止所喷出的处理液的带电。基板处理装置具有喷嘴单元。喷嘴单元具备配管和设置到配管的顶端的喷头，配管具有第1层、第2层以及具有导电性的第3层。喷头由具有导电性的耐蚀性树脂形成。第3层从外方覆盖第1层和第2层，并且从外方覆盖喷头的一部分。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种基板处理装置及其制造方法。

技术介绍

1、在半导体器件的制造工序中，以在基板上形成的抗蚀剂为掩模而进行蚀刻、离子注入等处理。之后，从基板上去除不要的抗蚀剂。

2、作为抗蚀剂的去除方法，公知有通过向基板供给作为硫酸和过氧化氢水的混合液的spm(sulfuricacid hydrogen peroxide mixture)等处理液而去除抗蚀剂的spm处理。为了提高抗蚀剂的去除能力而以加热成高温的状态从喷嘴单元向基板供给spm(参照例如专利文献1)。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2013-207080号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、不过，在以往以来使用了处理液的基板处理中，处理液带电，在将带电的处理液向基板上供给之际，有时由于处理液与基板之间的电位差而产生放电。考虑到若如此在处理液与基板之间产生放电，则基板上的膜、电路图案会被破坏。

3、本公开是考虑这样的点而做成的，提供一种针对从喷本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基板处理装置，其具有：基板保持机构，其保持被处理基板；和喷嘴单元，其向保持到所述基板保持机构的所述被处理基板喷出处理液，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求2～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，</p>

8.根据...

【技术特征摘要】

1.一种基板处理装置，其具有：基板保持机构，其保持被处理基板；和喷嘴单元，其向保持到所述基板保持机构的所述被处理基板喷出处理液，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求2～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求1～7中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

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【专利技术属性】
技术研发人员：桥本佑介，东岛治郎，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：