本发明提供一种碳系膜的成膜方法和成膜装置。在选择性地向沟槽、孔等图案的顶部形成碳系膜时，抑制碳系膜的悬伸的产生，并且提高生产率。在成膜装置中，在腔室的内部从仅由乙炔气体和氩气构成的成膜气体产生等离子体，来选择性地向被夹在形成于晶圆的氧化...

在一个例示性实施方式中，基板处理方法包括如下工序：(a)提供具备含硅膜及含硅膜上的含金属膜的基板，含金属膜具有至少1个开口；(b)通过从包含含氟气体的第1处理气体生成的等离子体对含硅膜进行蚀刻；及(c)通过供给与第1处理气体不同的第2处...

一种处理液供给装置、处理液供给方法和存储介质。一种处理液供给装置，向对基板喷出处理液的喷出部供给处理液，具备：供给管路，其与喷出部连接；隔膜泵，其设置于供给管路，向喷出部加压输送处理液；以及控制部，控制部进行控制以执行：通常动作，包括喷...

本发明提供基片输送方法、基片处理方法、基片输送装置和程序，其抑制在输送在周缘部形成有不同形状的缺口的圆形的各基片时发生不良情况。基片处理方法包括：第一检测步骤，在基片输送装置的保持部位于相对于移动体的第一位置的状态下，利用传感器分别检测...

等离子体处理方法包括以下工序：工序(a)，使用在腔室内从包含含碳气体的第一处理气体生成的第一等离子体，来在腔室的内壁以及在腔室内用于支承第一基板的基板支承面形成第一膜；工序(b)，在形成有第一膜的基板支承面上载置第一基板；以及工序(c)...

本公开提供一种处理液供给系统、处理液供给方法以及存储介质。处理液供给系统具备：处理液供给部，其向处理槽供给处理液，处理槽用于进行基板的浸渍并对该基板进行处理；循环路径，其用于使处理液从处理槽流出并返回处理槽；泵和流量计，泵和流量计设置于...

本发明提供一种防止或抑制在边缘环的下部的异常放电的发生的基板处理装置以及静电卡盘。基板处理装置具备：等离子体处理腔室；基座，配置在所述等离子体处理腔室内；静电卡盘，配置在所述基座的上部，具有基板支承面以及环支承面；和边缘环，配置于所述环...

等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；基座，其配置于所述等离子体处理腔室内；和静电卡盘，其配置于所述基座的上表面，具有支承基片和环组件中的至少一者的支承面，其中，所述静电卡盘包括至少1个导电性部件，在所述静电卡盘形成有从所述支承面贯通...

本文提供了用于将加工液体保持在半导体衬底的表面上的改进的液池工艺和方法。更具体地，本文提供了用于在半导体衬底静止或以相对较低的旋转速度旋转时将液池保持在半导体衬底的中心区域内的改进的方法。在所披露的实施例中，液池被薄膜保持在半导体衬底的...

本发明提供能够改善六方晶氮化硼膜与基片的基底区域的密合性的氮化硼膜的成膜方法和成膜装置。本发明的氮化硼膜的成膜方法包括工序（a），在基片的基底区域上形成非晶氮化硼的第一膜。工序（a）包括工序（a1），向基片供给含有环硼氮烷化合物的第一处...

本公开提供一种处理液供给系统、处理液供给方法以及存储介质，能够探测处理液供给路径中的供给异常。本公开的一个方式的处理液供给系统具备处理液供给路径、泵、压力计和流量计、以及控制部。处理液供给路径用于向对基板进行处理的基板处理部供给处理液。...

本公开提供一种流体供给系统、基板处理装置以及流体供给方法，有利于检测多个开闭阀的各开闭阀中的流体的泄漏。泄漏判定部关于多个开闭阀的各开闭阀，在以通过阀体将流入路径与流出路径之间切断的方式将开闭阀关闭并且使流入路径充满被加压后的流体来使流...

一种检测装置，其具备支撑与接触探针接触的基板的第1台面，设于所述第1台面的相邻位置、支撑可研磨所述接触探针的研磨部件的第2台面、收纳所述基板的基板用收纳部、收纳所述研磨部件的研磨部件用收纳部，以及具有搬运臂的搬运装置，所述搬运臂在所述第...

本发明提供一种接合装置、接合系统以及接合方法。将第一基板与第二基板进行接合的接合装置具有：第一保持部，其保持所述第一基板；第二保持部，其保持所述第二基板，所述第二保持部与所述第一保持部相向地配置；第一位移计，其测定所述第一基板的厚度；第...

本发明公开的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、至少一个天线和气体供给部。腔室包含电介质窗。电介质窗配置在基片支承部与天线之间。RF生成部构成为生成第一高频电功率和第二高频电功率。第一高频电功率具有第一频率。第二高频电功率具有第二频率...

在一个例示性的实施方式中，提供支承体。支承体支承基片。支承体包括电介质区域、第一层和第二层。电介质区域具有基片载置面。第一层具有至少一个第一加热器，设置于电介质区域内。第二层具有至少一个第二加热器，设置于电介质区域内。至少一个第二加热器...

等离子体处理装置包括：收纳基片的腔室，其包括构成腔室的上部的、在内部形成有多个气体流路的电介质窗；气体供给部，其与多个气体流路连接，构成为能够向腔室内供给处理气体；天线组件，其配置在腔室的上方，设定有中央区域、包围中央区域的第1周围区域...

本发明的检查系统具备：半导体基板，其形成有第一检査电路和第二检査电路；测量部，其测量所述第一检査电路以及所述第二检査电路各自中的预先决定的特性；以及推定部，其基于由所述测量部对所述第一检査电路进行测量而得到的第一测量结果、和由所述测量部...

本发明提供一种基片处理装置，其能够执行基片输送流程、第一环输送流程和第二环输送流程，在基片输送流程中，在基片用升降销与环用升降销分离的状态下使基片用升降销在纵向上移动，利用基片用升降销抬起基片，在第一环输送流程中，在基片用升降销与环用升...

本发明提供利用臭氧水高效地处理基片的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置包括处理容器、臭氧水供给部、臭氧水排出部和加压部。处理容器提供能够收纳基片且在基片的处理时密闭的处理空间。臭氧水供给部向处理空间供给臭氧水。臭氧水排出...