等离子体处理装置和基片支承部制造方法及图纸

技术编号:46097069 阅读:14 留言:0更新日期:2025-08-12 18:16
等离子体处理装置包括:等离子体处理腔室;基座,其配置于所述等离子体处理腔室内;和静电卡盘,其配置于所述基座的上表面,具有支承基片和环组件中的至少一者的支承面,其中,所述静电卡盘包括至少1个导电性部件,在所述静电卡盘形成有从所述支承面贯通至所述支承面的背面的直径为0.2mm以下的至少1个传热气体供给孔,至少1个所述导电性部件配置于所述传热气体供给孔的至少一部分的周围。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及等离子体处理装置和基片支承部


技术介绍

1、专利文献1公开了一种等离子体处理装置,包括:载置台,其具有形成有第一通孔的板状部件和形成有与第一通孔连通的第二通孔的基座;和埋设部件,其配置于第一通孔和第二通孔的内部。专利文献2公开了一种载置台,包括:晶圆载置部,其形成有第一贯通孔;基座,其形成有与所述第一贯通孔连通的第二贯通孔;和套筒,其设置于所述第二贯通孔的内部。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:日本特开2019-149422号公报

5、专利文献2:日本特开2021-28958号公报


技术实现思路

1、专利技术要解决的技术问题

2、本公开的技术用于防止或抑制传热气体流路中的异常放电。

3、解决问题的技术手段

4、本公开的一个方式提供一种等离子体处理装置,包括:等离子体处理腔室;基座,其配置于所述等离子体处理腔室内;和静电卡盘,其配置于所述基座的上表面,具有支承基片和环组件中的至少一者的支承面,其中,所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置,其特征在于:

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置,其特征在于:

5.如权利要求4所述的等离子体处理装置,其特征在于:

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置,其特征在于:

7.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:

8.如权利要求7所述的等离子体处理装置,其特征在于:

9.如权利要求8所述的等离子体处理装置,其特征在于:</p>

10.如...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置,其特征在于:

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置,其特征在于:

5.如权利要求4所述的等离子体处理装置,其特征在于:

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置,其特征在于:

7.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:

8.如权利要求7所述的等离子体处理装置,其特征在于:

9.如权利要求8所述的等离子体处理装置,其特征在于:

10.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:

11.如权利要求10所述的等离子体处理装置,其特征在于:

12.如权利要求11所述的等离子体处理装置,其特征在于:

13.如权利要求10~12中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:

14.如权利要求10~12中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:

15.如权利要求1~9中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:

16.如权利要求1~9中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:

17.如权利要求1~12中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:

18.如权利要求17所述的等离子体处理装置,其特征在于:

19.如权利要求1~12中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:田村一佐藤隆彦高山将步村野翔
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社
类型:发明
国别省市:

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