本发明提供基片处理系统和基片处理方法。基片处理系统包括：批处理部，其对包括多块基片的批次一并进行处理；单片处理部，其对批次的基片逐块地进行处理；接口部，其将基片从批处理部交接至单片处理部；和控制部，接口部包括：保持基片的基片保持部；处理...

一种用于对基板进行处理的基板处理方法，包括向基板照射激光束来形成改性层及龟裂，在该基板处理方法中，获取与基板的累积处理张数、用于保护照射激光束的聚光透镜的玻璃罩的污染量、沿玻璃罩的下表面供给的气体风量以及通过进行激光束的照射而延展的龟裂...

本公开涉及一种距离测定方法、距离测定系统以及基板处理装置，适当地测定从基板起到处理容器内的顶面为止的距离。距离测定方法包括加热工序、搬入工序以及测定工序。在加热工序中，对能够收容基板的处理容器进行加热。在搬入工序中，在处理容器被加热后的...

一种用于等离子体加工的装置包括RF功率源以及耦合到该RF功率源的一组谐振结构。这些谐振结构包括第一区域和与该第二区域相邻的第二区域。该第一区域包括第一天线和第一耦合电路，该第一耦合电路处于该RF功率源与该第一区域的耦合之外，其中，该第一...

本发明涉及杯、基板处理装置以及基板处理方法。通过调整用于基板处理装置的杯内的相对于基板的气流，从而实现良好的处理工艺。一种杯，其被使用于向基板供给处理液而对所述基板进行处理的基板处理装置，其中，该杯具有：开口部，其向上方开放以进行所述基...

基板处理装置(1)具备：工件支承部(25)，其构成为能够支承工件(W)；以及多个光源(41、42)，所述多个光源(41、42)照射包含真空紫外光的照射光(L1、L2)。基板处理装置还具备遮光板(54)，仅在该遮光板(54)的开口部分使照...

蚀刻方法包括：工序(a)，提供包括层叠膜的基片，层叠膜包括硅氧化膜和硅氮化膜；工序(b)，在对基片支承部施加第一偏置电压的同时，利用从包含氢氟烃气体的第一处理气体生成的第一等离子体对硅氮化膜进行蚀刻；和工序(c)，在对基片支承部施加第二...

本发明公开的基板支撑器具备支撑体、基台及陶瓷部件。支撑体构成为用于在其上方支撑物体。物体包含基板。支撑体具有电介质部及电极。支撑体提供从电介质部的上表面贯穿至电介质部的下表面的第1贯穿孔。基台提供与第1贯穿孔连通的第2贯穿孔。陶瓷部件具...

本发明公开的等离子体处理装置包括腔室、腔室内的基片支承部、等离子体生成部、偏置电源、边缘环、升降机构、切换器和控制部。偏置电源和/或等离子体生成部的高频电源与基片支承部的基座电耦合。升降机构包括导电环、杆、致动器和连接部件，构成为能够使...

本公开的一个方式的基板处理系统(S)具备处理流体供给装置(70)、基板处理装置(1)、供给线以及温度测定部。处理流体供给装置(70)供给被调整为了给定的温度的处理流体。基板处理装置(1)利用从处理流体供给装置(70)供给的处理流体来处理...

本公开提供了一种提高蚀刻对象膜的蚀刻形状的技术，包括：(a)提供包含蚀刻对象膜和蚀刻对象膜上的掩模的基板的工序，掩模包含限定至少一个开口的侧壁；(b)使用由含有碳和氢的处理气体生成的等离子体，在掩模上选择性形成含有碳的附加掩模的工序；和...

基片处理系统包括：处理模块，其具有处理腔室、基片支承部和升降机；真空运送模块，其与所述处理模块连接，具有运送环的运送机器人；和控制部。所述控制部执行以下的步骤：(A)使所述多个支承销上升来使所述环离开所述基片支承部的支承面的步骤；(B)...

本发明提供一种基板处理装置。抑制微粒的产生，同时限制由处理空间的内压导致的盖体的移动。实施方式的基板处理装置是在高压环境下对基板进行处理的基板处理装置，其具备压力容器、盖体、以及锁定机构。压力容器在上部具有开口。盖体封堵开口。锁定机构限...

本发明提供碳系膜的成膜方法和成膜装置，在有选择地在沟槽、孔等图案的顶部形成碳系膜时，抑制碳系膜的悬突的产生，并且提高生产率。在成膜装置中，使晶片(W)的温度至少高于200℃，将仅由乙炔气体、氩气和氢气构成的成膜气体中的氢气的添加率设定为...

本发明公开的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、边缘环、升降机构、等离子体生成部和偏置电源。基片支承部配置于腔室内。升降机构构成为能够使边缘环相对于基片支承部上下移动。基片支承部包括与偏置电源和/或等离子体生成部的高频电源电耦合的基座...

本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置，以高选择性蚀刻含Si和O的膜。选择性地蚀刻含Si和O的材料的蚀刻方法包括以下工序：将具有含Si和O的材料的基板设置于腔室内；重复先开始的供给碱性气体的第一期间和接着开始的供给含氟气体的第二期间，使第二期...

本发明提供一种提高冷却性的基板处理装置。基板处理装置具备：处理容器；载置台，其设于所述处理容器内，具有第1接触面，构成为能够旋转；冷冻装置，其具有第2接触面，构成为能够升降；旋转装置，其使所述载置台旋转；以及升降装置，其使所述冷冻装置升...

本发明涉及等离子体处理装置和控制方法。等离子体处理装置包括腔室、基片支承部和上部电极。基片支承部配置在腔室内。上部电极具有多个气体孔，设置在基片支承部的上方。在ON期间，从高频电源向高频电极供给生成源高频电功率，从第一偏置电源向基片支承...

本发明提供一种升降销待机位置示教方法、基板处理装置以及升降销的位置校正方法，能够稳定地对升降销的待机位置进行示教。在该示教方法中，将重物以堵塞在载置台的载置面具有开口的销孔的开口的方式载置于载置面，在使升降销上升的期间计算留存脉冲，该留...

本发明提供能够期待有效利用从对象装置获得的数据的信息处理方法、计算机程序以及信息处理装置。本实施方式的信息处理方法由信息处理装置进行下述处理：获取与对象装置相关的时间序列的观测数据，通过基于获取到的观测数据的动态模式分解来计算模型的第一...