提供一种在蚀刻膜适当地形成凹部的技术。本公开所涉及的等离子体处理方法是在等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法，所述等离子体处理装置具备腔室和设置于所述腔室内的基板支承部，所述等离子体处理方法包括以下工序：工序(a)，是准备工序，在所...

提供一种液供给装置、液供给方法以及存储介质。具备罐、循环线、泵以及供给线。循环线具备设置有泵的主线、以及从主线分支出的第一分支线和第二分支线。第一分支线具备第一加热机构、第一过滤器以及第一排液线，还具备第一分支循环线和第一阀，该第一分支...

一种处理方法，是使用了静电承载件的芯片的处理方法，所述静电承载件具有主体部和绝缘层，所述主体部具有导电性，在所述主体部的厚度方向上具有多个贯通孔，所述绝缘层形成于所述主体部的表面，所述处理方法包括：将多个所述芯片排列配置在所述静电承载件...

本发明提供一种技术，可容易且精度良好地成膜为期望的膜厚。本发明的成膜方法在基板上进行成膜。成膜方法具有，(A)工序，在处理容器的内部使基板旋转，同时，以喷嘴机构部的排出口通过基板的中心的方式，使基板或喷嘴机构部进行相对移动，从排出口向基...

一种半导体装置的制造方法，其具有如下步骤：在基板上形成下部电极；在下部电极上形成由包含4价金属阳离子的氧化物构成的高介电常数膜；在高介电常数膜上形成由包含5价金属阳离子的氧化物构成的氧化物膜；通过使高介电常数膜与氧化物膜反应，形成包含4...

本发明提供一种技术，可容易且精度良好地成膜为期望的膜厚。是在基板上进行成膜的成膜方法，具有(A)工序，在处理容器的内部使基板旋转，同时，以喷嘴机构部的排出口通过基板的中心的方式，使基板或喷嘴机构部进行相对移动，且从喷嘴机构部的排出口向基...

本公开提供一种液供给装置、液供给方法以及存储介质，能够降低循环线内的处理液被污染。本公开的液供给装置具备处理液线、加热机构、过滤器、排液线、第一温度传感器以及控制部。处理液线向对基板进行液处理的液处理部供给处理液。加热机构设置于处理液线...

基片处理系统包括装载口、处理室、测量部和控制部。装载口构成为能够与用于收纳基片的收纳容器连接。处理室构成为能够对基片实施基片处理。测量部设置于在收纳容器与处理室之间输送基片的路径，构成为能够测量基片的面内的光谱分布。控制部构成为，能够基...

本发明的基板接合方法依次实施以下工序，(a)提供包含多个配线部和层叠部的2片基板的工序，所述层叠部具有设于多个配线部间、沿着厚度方向选择比相互不同的基底层和上层，(b)多个配线部和上层形成平坦化的面的工序，(c)留下基底层，除去上层的工...

本发明涉及基板处理装置。抑制随着高生产率化而引起的基板处理装置的大型化。基板处理装置具备：送入送出模块，其具有载置多个构成为能够容纳基板的容器的容器载置部；和处理模块，其与送入送出模块沿宽度方向相邻地设置，并具有多个对基板实施处理的处理...

本发明提高测温用基片的测温效率。本发明提供一种测温用基片的校正方法，上述测温用基片包括多个测温电阻体，与上述多个测温电阻体分别对应地配置有电极，上述测温用基片的校正方法包括：使针状体接触与至少一个上述测温电阻体对应的电极的步骤；将上述测...

在本发明提供的方法的一个示例性实施方式中，该方法是对具备蚀刻对象膜及设置于蚀刻对象膜上且具有开口的掩模的基板进行处理的方法，该方法包含以下工序：(a)使用第1处理气体在与开口对应地形成于蚀刻对象膜上的凹部的侧壁形成包含氮原子及氢原子的第...

本发明的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、等离子体生成部和偏置电源。基片支承部设置在腔室内。等离子体生成部构成为能够在腔室内从气体生成等离子体。偏置电源构成为能够将多个电压脉冲的序列作为电偏置施加于基片支承部。偏置电源构成为通过调节...

本发明提供一种使等离子体处理装置、基片处理系统的构成部件之间的拆装变得容易的技术。本发明提供一种包括腔室的等离子体处理装置。该装置包括：第一部件；第二部件；和固定件，其构成为能够将第一部件和第二部件以沿着轴向可拆装的方式固定在一起，该固...

本发明提供一种效率良好地加热基板的下表面周缘部的基板处理装置。本公开的基板处理装置具备保持部、加热机构以及圆环状的下方杯。保持部保持基板的下表面中央部。加热机构对基板供给加热后的流体。下方杯配置于加热机构的外侧。加热机构具备主体部、热源...

本发明提供能够容易地评价覆膜的边缘形状的显示装置、存储介质和显示方法。显示方法包括：基于对在正面形成有覆膜的基片的上述正面的周缘区域进行拍摄而得到的图像，针对绕上述基片的中心的多个周向位置所包含的每个周向位置，获取表示该周向位置与上述覆...

本发明提供一种基板处理系统以及状态监视方法，该基板处理系统具备：基板处理装置，其对处理基板进行处理；基板搬送机构，其具有保持基板的基板保持部，基板搬送机构构成为能够通过基板保持部来保持基板并相对于基板处理装置搬入和搬出该基板；摄像装置，...

一种方法，其包括在第一衬底上提供第一键合表面，该第一键合表面包括可热固化或可光固化的键合层。该方法包括在第二衬底上提供第二键合表面。该方法包括通过使该第一键合表面与第二键合表面之间进行物理接触来将该第一衬底键合到该第二衬底上。该方法进一...

提供一种基板处理装置的控制方法和基板处理系统。包括以下工序：a)对被处理体局部地进行蚀刻来在所述被处理体形成凹部；b)在形成于所述被处理体的凹部的侧壁形成保护膜；c)对形成有所述凹部和所述保护膜的被处理体进一步进行蚀刻；d)重复所述b)...

本发明提供一种基板处理方法。基板处理方法包括以下工序：(a)在处理腔室内的基板支撑部上提供具有基底膜及设置于该基底膜上且由含金属抗蚀剂形成的抗蚀剂膜的基板，在该工序中，该含金属抗蚀剂具有第1区域及第2区域。基板处理方法还包括以下工序：(...