提供一种提高温度控制的制度和响应性的温度控制装置、基板处理装置以及温度控制方法。一种温度控制装置，通过使流体在调温部中循环来控制所述调温部的温度，所述温度控制装置具备：第一温度调整部，其将所述流体调整为第一温度；第二温度调整部，其将被调...

基板处理方法包括：准备基板，在所述基板的表面有氮化钛膜和氧化锆膜露出；以及通过对所述基板的所述表面供给含有氟化氢和有机溶剂的蚀刻液，在所述氮化钛膜和所述氧化锆膜中选择性地蚀刻所述氧化锆膜。

对衬底的表面进行改性，其中该衬底包括不同材料的至少两个不同的层或膜。然后将改性层选择性地转化为这些层中的一个上的保护层，同时蚀刻另一个层。

提供一种能够提高静电吸盘所保持的基片的温度均匀性的技术，静电吸盘包括：载置基片的电介质部件；和配置在电介质部件内的静电电极，电介质部件包括：具有供气体流出的气体流出部的第一上表面；和配置在第一上表面的外侧，具有比第一上表面高的高度的环状...

本发明提供一种搬送基板的装置、以及搬送基板的装置中的供电方法。搬送基板的装置具备：平铺块部，其构成搬送基板的区域的移动面，设置有通过来自供电部的供电而在移动面形成磁场的多个第一线圈；以及基板搬送模块，其具备多个磁体，在多个磁体与磁场之间...

本发明提供能够调节向处理容器内供给的气体的基片处理装置。所提供的基片处理装置包括：处理容器主体，其能够收纳保持基片的基片保持件；配管，其从上述处理容器主体分支，在上述处理容器主体的侧壁在水平方向上延伸；温度调节机构，其具有包围上述配管的...

本发明提供基板载置装置、基板处理装置以及位置调整方法。能够与温度变化无关地维持载置台的载置面与最大程度下降的状态的各升降销之间的位置关系。一种基板载置装置，其具备：载置台，其具有载置基板的载置面和在上下方向上贯通并在所述载置面开口的多个...

一种等离子体处理方法，包括以下工序：工序(A)，对导入到处理腔室内的基板进行等离子体处理；工序(B)，计算由于所述工序(A)而沉积于所述基板的反应产物的厚度；工序(C)，基于在所述工序(B)中所计算出的反应产物的厚度，来设定用于去除由于...

一种处理基板的方法包含接收基板，基板包含光致抗蚀剂膜，光致抗蚀剂膜包含曝光以及未曝光部分；在处理腔室中用显影气体蚀刻部分光致抗蚀剂膜的未曝光部分，以留下未曝光部分的残留部分；以及用吹扫气体将显影气体吹扫出处理腔室。在吹扫出显影气体之后，...

氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。氮化硅膜的成膜方法在收纳于处理腔室内的基板上成膜为氮化硅膜，成膜方法具备：工序(a)，在不供给高频电力的状态下向处理腔室内供给包含卤化硅气体的气体；工序(b)，(a)工序后，停止包含卤化硅气体的气体的供给，...

本公开提供一种臭氧浓缩器、基板处理装置以及臭氧供给方法，能够在供给臭氧气体时执行稳定的流量控制。本公开的一个方式所涉及的臭氧浓缩器具有：泵，其设置于供臭氧气体流通的供给流路；流量控制器，其设置于所述泵的下游的所述供给流路；以及压力控制器...

本发明提供改善蚀刻形状的技术。提供一种蚀刻方法，其包括下述工序：提供包括第一膜和第一膜上的第二膜的基板工序，且第一膜包含硅，第二膜包含至少1个开口；以及，由处理气体生成等离子体并对第一膜进行蚀刻的工序，且处理气体包含氟化氢气体、第一含卤...

提供一种对具有不同的开口尺寸的区域进行蚀刻的技术。提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法是在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法，该蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，在腔室内的基板支承部上准备具有含硅膜和掩模...

等离子体处理装置具有：腔室；包括RF电极的基片支承部；第一RF电源，其与腔室耦合，能够生成第一脉冲RF信号；第二RF电源，其与RF电极耦合，能够生成第二脉冲RF信号；Vpp检测器，其在第二RF电源与RF电极之间检测偏置Vpp值；和控制部...

本发明提供一种气体供给系统、气体控制系统、等离子体处理装置以及气体控制方法。气体供给系统具有：多个气体供给流路，其能够独立地供给气体；流量控制器，其配置于气体供给流路；一次侧阀，其配置于流量控制器的上游侧；一次侧气体排气流路，其在流量控...

本发明提供在等离子体处理中能够控制基片的边缘部分处的离子的入射角，并且能够抑制在控制了离子入射角时等离子体处理结果发生变动的技术。等离子体处理装置包括：腔室；配置于腔室内的基片支承部，基片支承部具有导电性基座、静电吸盘、边缘环、基片偏置...

本发明提供一种提高基片的温度的面内均匀性的静电吸盘和基片处理装置。静电吸盘包括：具有基片支承面的电介质层，上述基片支承面具有多个点状突起和包围上述多个点状突起的环状突起，上述环状突起具有内周壁和外周壁，上述内周壁在俯视时沿第一圆遍及整周...

本公开的蚀刻方法是对形成于基板的硅锗膜进行蚀刻的方法，所述蚀刻方法包括以下工序：第一工序，向所述基板供给第一时间的第一蚀刻气体，所述第一蚀刻气体是含氟气体；以及第二工序，在所述第一工序后，向所述基板供给比所述第一时间短的第二时间的第二蚀...

使搬送至少两个基板时的生产率提高。提供一种基板搬送系统，具备：搬送单元，其具有将至少两个基板以在水平方向上排列的方式一并保持的保持构件，搬送单元从搬送源向搬送目的地搬送被保持的该各基板；多个载置台，多个载置台设置于搬送目的地，在该搬送目...

一种基板处理装置，其是处理基板的基板处理装置，其具备：输送模块，其在内部输送所述基板；输送臂，其配置在所述输送模块的内部，具备至少一个保持所述基板的保持臂；以及处理模块，其与所述输送模块连接，具备在内部处理所述基板的处理腔室，所述处理腔...