本发明涉及分流单元和液处理系统。提供有利于将可能包含气泡的液体以气泡减少了的状态送出的技术。分流单元具备具有引导流路的分流主体部、将液体向引导流路引导的流入部以及使液体从引导流路向外部流出的第1流出部和第2流出部，第1流出部位于比第2流...

在公开的等离子体处理装置中，控制部带来循环的重复。循环包括以下工序：从高频电源供给源高频电力的脉冲以在腔室内从气体生成等离子体；以及从偏置电源向基板支承部供给电偏置的脉冲。电偏置的脉冲包括以1MHz以下的偏置频率周期性地产生的直流电压脉...

本发明提供一种载置台和等离子体处理装置，该载置台包括用于支承基片和边缘环的静电吸盘和支承所述静电吸盘的基座，所述静电吸盘具有：第1区域，其具有第1上表面，能够支承所述第1上表面之上所载置的基片；第2区域，其具有第2上表面，并设置成与所述...

本发明提供对于含金属抗蚀剂膜，形成良好的图案的基片处理方法、基片处理装置和存储介质。基片处理方法用于通过对形成于基片的抗蚀剂膜进行曝光并显影来进行图案化，包括以下步骤：在将含金属的上述抗蚀剂膜形成于上述基片之前，进行调整该基片中用于形成...

本发明提供气体处理装置。气体处理装置构成为具备：相向部，其与真空容器内的基板的载置部相向，并且具备多个第一气体喷出口；处理气体的第一扩散空间，其在相向部的上方以与各第一气体喷出口连通的方式设置；多个第二气体喷出口，其是在从第一扩散空间的...

一种半导体器件，包括在块体半导体材料上面的背面电源轨、在背面电源轨上面的第一键合介质层、在第一键合介质层上面的第一晶体管层级、在第一晶体管层级上面的第二键合介质层、以及在第二键合介质层上面的第二晶体管层级。第一晶体管层级包括第一沟道结构...

本技术涉及配管加工装置。在对构成基板处理装置的配管进行加工时抑制配管的带电。一种配管加工装置，其对构成基板处理装置的配管进行加工，其特征在于，该配管加工装置具备：加工器具，其通过与所述配管接触而对该配管进行加工；以及除电部，其对加工过程...

本发明提供调整构件、基板处理装置以及调整方法。提供容易地进行两个结构构件之间的间隔调整的方案。一种调整构件，其对两个结构构件之间的间隔进行调整，其中，该调整构件具有环状的主体，该主体具有第1中心，所述主体具有：内周面，其具有在周向上排列...

本发明提供状态判断方法、基片处理装置和程序，能够高精度地判断基片脱离时的基片的晃动状态。基片处理装置中的状态判断方法包括：拍摄动态图像的步骤，动态图像包含从基片因静电吸附而被保持的第一状态，至基片的静电吸附被解除、在除静电处理后基片利用...

本公开说明一种基板搬送装置和基板搬送方法。基板搬送装置具备搬送臂。搬送臂包括：基部；至少一个臂部，至少一个臂部以从基部延伸的方式连接于基部，并且以包围基板的外周的方式延伸；多个吸附部，多个吸附部设置于至少一个臂部，并且多个吸附部分别包括...

例示性实施方式所涉及的基板载置台具备基座及设置于基座上的静电卡盘。静电卡盘具备层叠部、中间层及包覆层。层叠部设置于基座上。中间层设置于层叠部上。包覆层设置于中间层上。层叠部具备第1层、电极层及第2层。第1层设置于基座上。电极层设置于第1...

本发明提供能够对基片的正面和背面这两者进行疏水化处理的疏水化处理装置、疏水化处理方法和计算机存储介质。对基片进行疏水化处理的疏水化处理装置包括：处理容器，其收纳上述基片，形成处理空间；第一供给口，其从上述处理容器内的上述基片的上方对该基...

本发明提供温度控制方法和基片处理装置，以比加热部的控制极限值精细的精度进行温度控制。温度控制方法由包括处理容器和加热部的基片处理装置执行，可将基片送入和送出处理容器，加热部可对处理容器内进行加热，方法包括：a步骤，设定对于目标温度的温度...

本发明提供一种能够期待估计半导体制造装置的动作状态等的信息处理方法、计算机程序以及信息处理装置。本实施方式所涉及的信息处理方法包括以下处理：在使设置有多个传感器的第一半导体制造装置运转了时，获取所述第一半导体制造装置的运转数据和所述传感...

例示性实施方式所涉及的基板载置台具备基座及设置于基座上的静电卡盘。静电卡盘具备层叠部、中间层及包覆层。层叠部设置于基座上。中间层设置于层叠部上。包覆层设置于中间层上。层叠部具备第1层、电极层及第2层。第1层设置于基座上。电极层设置于第1...

一种等离子体系统包括等离子体装置，该等离子体装置包括：等离子体室；基座，该基座被配置为在该室中固持衬底；以及射频(RF)电极，该RF电极被配置为在该室中激发等离子体；电磁(EM)电路块，该EM电路块耦合到该RF电极，该EM电路块包括：函...

基板处理装置具备：保持部，在所述保持部的用于吸附基板的吸附面具有圆状的中央区域、以及配置于比中央区域靠外侧的位置的圆环状的外侧区域；吸附压力产生部，其使中央区域、设定于外侧区域的周向上的一个部位的外侧第一区以及设定于外侧区域的周向上的与...

一种基片处理装置，其用于对基片进行处理，所述基片处理装置包括：保持旋转部，其能够保持所述基片并使所述基片旋转；供给部，其包括至少一个气体喷嘴和至少一个冲洗喷嘴，所述至少一个气体喷嘴能够对被供给了显影液后的基片供给不活泼气体，所述至少一个...

实施以下工序：第一工序，向形成有侧壁由硅膜形成且底壁由含锗膜形成的凹部的基板供给包含含卤素气体和碱性气体的处理气体，以使所述硅膜的表面改性来生成反应生成物；第二工序，去除所述反应生成物来扩大所述凹部的宽度；将由所述第一工序和所述第二工序...

本发明提供基板保持机构、成膜装置及成膜方法。该基板保持机构能够在利用等离子CVD或等离子ALD成膜导电性膜时静电吸附被处理基板，该成膜装置使用了该基板保持机构。基板保持机构包括：载物台，其由电介质构成，用于支承被处理基板；吸附电极，其设...