本发明的等离子体处理装置包括等离子体处理腔室、基片支承部、接地框、蓄电部、整流平滑部、供电输出连接器和受电线圈。接地框被接地，与等离子体处理腔室一起包围基片支承部。蓄电部和整流平滑部配置在由接地框包围的空间内。整流平滑部包括供电输入连接...

本发明的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、高频电源、偏置电源和控制部。控制部能够控制高频电源和偏置电源。控制部能够进行控制以使得执行：工序(a)，供给源高频电功率以在腔室内生成等离子体；和工序(b)，向基片支承部供给电偏置。控制部能...

本发明的等离子体处理装置包括馈电线圈、受电线圈和至少一个驱动系统。馈电线圈设置在等离子体处理腔室的外部。受电线圈与蓄电部电连接，能够通过电磁感应耦合从馈电线圈接收电功率。至少一个驱动系统能够使馈电线圈和受电线圈中的至少一者移动来改变馈电...

在示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置中，高频电源产生为了生成等离子体而被供给的高频电力。偏置电源向基板支承器的下部电极供给偏置电力。偏置电力在该周期内使基板的电位变动。高频电力在基板的电位相对较高的周期内的第1期间内的至少一部分期间...

本发明的一个方式的基片处理装置包括基片保持部(31)、拍摄装置(60)和控制部(18)。基片保持部(31)保持所处理的基片并使其旋转。拍摄装置(60)拍摄被保持在基片保持部(31)的基片。控制部(18)控制各部。控制部(18)具有执行部...

本发明提供一种成膜装置，其具有，处理容器，在所述处理容器内设置为可升降的台面，与所述台面相面对、具有多个气孔的喷淋头，成膜时使所述台面上升，在所述喷淋头和所述台面之间形成处理空间的升降机构，测定所述喷淋头与所述台面间的间隙的测定部。

提供了用于湿法和干法处理半导体晶圆的改进的处理系统和方法。提供了用于在处理空间内处理半导体晶圆的封闭腔室以及用于将处理流体引导出处理空间的排放系统。封闭腔室包括顶板和底板，该顶板和该底板将处理流体物理地限制在相对小的封闭的处理空间内。这...

本公开说明一种能够在检测处理液在基板的表面上的覆盖状态的同时评价基板的表面状态、基板处理装置的状态是否良好的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置执行以下处理：控制旋转保持部来使基板旋转；控制供给部来对旋转中的基板的表面供给处理液；基...

本发明提供控制方法和等离子体处理装置。一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状...

提供一种基板处理方法和基板处理系统，将金属氧化物抗蚀剂膜作为掩模蚀刻基底膜时，改善基底膜上形成的图案的线边缘粗糙度。一种基板处理方法，包括：在具有基底膜的基板上形成金属氧化物抗蚀剂膜的工序，在所述金属氧化物抗蚀剂膜上形成图案的工序，将形...

本发明提供控制方法和等离子体处理装置。一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状...

本发明提供能够在高温的工艺中使用的基片载置台、基片处理装置和基片处理方法。基片载置台设置于对基片实施处理的处理容器的内部，用于载置基片，基片载置台包括：包括基材的静电吸盘，其中，基材在载置基片的载置面设有内置有吸附电极的电介质层；加热板...

本发明提供控制方法和等离子体处理装置。一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状...

本发明的一个方式的基片处理装置包括基片保持部(31)、光传感器(60)和控制部(18)。基片保持部(31)保持所处理的基片并使其旋转。光传感器(60)向被基片保持部(31)保持且旋转的基片照射光并接收反射光。控制部(18)控制各部。另外...

本发明涉及一种基板处理方法和基板处理装置。提供能够调整蚀刻量的面内分布的技术。本公开的一个方式所涉及的基板处理方法包括以下工序：工序(a)，准备在表面具有氧化硅膜的基板；工序(b)，向所述基板的所述表面供给包含氟化氢气体且不包含碱性气体...

本公开涉及一种接合方法和接合系统，能够抑制接合强度的下降。接合方法包括：准备具有第一面的第一半导体基板和具有第二面的第二半导体基板；使第一半导体基板的第一面和第二半导体基板的第二面亲水化；在进行亲水化之后，将第一半导体基板的第一面与第二...

本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。一种基板处理方法，对基板进行处理，在所述基板中，在所述基板的表面上配置有多个第一电极层以及包围所述第一电极层且相比于该第一电极层向上方突出的绝缘层，在各个所述第一电极层上形成有发光层，以覆盖所述...

本发明提供能够抑制多个液处理部之间的处理结果的偏差的基片处理装置中的流量调节方法和基片处理装置。流量调节方法包括释放步骤、测量步骤、生成步骤和调节步骤。释放步骤中，在第一液处理部和第二液处理部中以多个释放条件释放混合液。测量步骤中，使用...

本发明的基片处理系统包括等离子体处理装置、与上述等离子体处理装置连接的减压输送装置、和控制装置，上述等离子体处理装置包括：构成为能够减压的处理容器；和基片支承台，其设置在上述处理容器内，包括基片载置面、以包围上述基片载置面的方式载置边缘...

基片处理装置用处理液去除基片的去除对象。基片处理装置包括：用于保持基片的保持部；向由保持部保持的基片供给处理液的液供给部；与由保持部保持的基片非接触地配置的电极，该电极与从液供给部供给的处理液接触；向电极施加电压的电源；和控制液供给部和...