本发明的检查方法对第一基片所具有的检查对象进行检查，包括：步骤（a），准备具有第一电极的上述第一基片；步骤（b），准备具有第二电极、第三电极和接合部的第二基片；步骤（c），通过将上述第一基片与上述第二基片以将上述接合部夹在中间的方式利用...

示例性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括在等离子体处理装置的腔室内准备基板的工序。基板在腔室内配置于基板支承器之上。基板支承器包括下部电极及静电卡盘。静电卡盘设置于下部电极之上。等离子体处理方法还包括为了进行相对于基板的等离子体处理而...

本发明涉及周边曝光装置和周边曝光方法。降低升华物附着于后续的作为处理对象的基板的可能性。本公开的一个形态的周边曝光装置具备：基板保持部，其保持基板并使其旋转；曝光部，其对被所述基板保持部保持着的所述基板的表面的周缘区域照射曝光用的光；以...

基板处理装置具备处理容器、载物台、边缘环、升降机、以及控制部。载物台具有第一载置面和第二载置面。边缘环载置于第二载置面。升降机使边缘环相对于第二载置面升降。控制部在工序a)中，对载置于第一载置面的基板实施等离子体处理。另外，控制部在工序...

基于本公开的一个方式的基板处理方法包括液处理工序、搬送工序以及超临界工序。在液处理工序中，在液处理部中对基板进行液处理，来将基板的上表面润湿。在搬送工序中，从液处理部向超临界处理部搬送上表面被润湿后的基板。在超临界工序中，在超临界处理部...

提供一种在蚀刻中改善掩模选择比的技术。本公开所涉及的蚀刻方法包括：工序(a)，准备包括含硅膜和含硅膜上的掩模的基板，掩模包括开口图案；工序(b)，在掩模上形成含金属膜；以及工序(c)，从包含氟化氢气体的第一处理气体生成等离子体来蚀刻含硅膜。

用于在布置在处理室中的衬底上沉积膜的方法包括重复循环。该循环包括前体步骤和反应物步骤，并且可以包括吹扫步骤。在该循环的至少一部分期间进行还原剂步骤。该前体步骤包括将该衬底暴露于前体气体以在该衬底处由该前体气体形成中间体膜。该前体气体可以...

信息处理装置对与被检查体接触的探针的研磨内容进行设定。信息处理装置具有：区域设定部，设定对探针进行研磨的研磨构件中的研磨区域；模式设定部，设定探针的研磨时的动作模式；以及模拟部，基于所设定的研磨区域以及所设定的动作模式，来计算研磨构件与...

本公开提供一种距离测定装置、距离测定方法、接合装置以及接合方法，即使在静电电容传感器与测定对象物之间没有导通的情况下，也能够进行使用静电电容传感器的距离测定。本公开的距离测定装置具备第一构件和静电电容传感器。第一构件相对于为导体或半导体...

本发明说明能够更高精度地对基片的周缘部进行处理的基片处理装置、基片处理方法和计算机可读取的存储介质。基片处理装置包括：旋转保持部，其保持基片并使其旋转；处理液供给部，其对基片的周缘部供给处理液；加热部，其对包含基片的中心部的区域进行加热...

本公开提供一种基板处理装置和基板处理方法，去除保持部的污染。基板处理装置具备利用处理液处理基板的处理部。所述处理部具有将所述基板保持为水平的保持部。所述保持部包括与所述基板的下表面中央接触的第一保持部。所述处理部具有使所述第一保持部以铅...

一种用于清洗连接到向基片吐出处理液的吐出部的供给流路的方法，包括：步骤(A)，经由供给流路将清洗液供给到吐出部，并从吐出部吐出清洗液；以及步骤(B)，基于异物检测器的检测结果来估计清洗是否已经完成，异物检测器被配置为检测供给到供给流路的...

本发明提供一种剥离装置、剥离系统以及剥离方法。剥离装置具备：第一保持部，其对第一基板与第二基板接合而成的重合基板中的第一板进行吸附保持并使其向离开第二基板的方向移动；第二保持部，其对第二基板进行吸附保持；控制部，其执行使第一基板向离开第...

本发明的蚀刻方法包括：(a)提供基片的步骤，其中，基片包括第一膜和第一膜上的具有开口的第二膜，第一膜包含金属元素和非金属元素；和(b)经由开口对第一膜进行蚀刻的步骤。(b)包括：(i)通过供给高频电功率的脉冲，利用从包含含卤素气体的第一...

一种基板处理系统，对基板进行处理，所述基板处理系统具备：基板保持部，其具有用于保持所述基板的保持面；驱动机构，其使所述基板保持部在水平方向上移动；旋转机构，其使所述基板保持部旋转；激光照射部，其对被保持于所述保持面的所述基板照射激光束，...

所公开的蚀刻方法包括：工序(a)，在腔室内准备基板；工序(b)，在基板上形成沉积物；工序(c)，通过从由处理气体生成的等离子体向沉积物供给离子，对沉积物进行改性；及工序(d)，在工序(c)之后，使用等离子体对电介质膜进行蚀刻。基板包括电...

本发明提供一种剥离装置、剥离系统以及剥离方法。剥离装置具备：切入部，其将锋利构件插入第一基板与第二基板接合而成的重合基板的侧面中的位于剥离的最开始的起点侧的位置的侧面来进行切入；第一保持部，其对第一基板进行吸附保持，包括对第一基板的外周...

本公开涉及一种基板处理装置和成膜方法，能够高精度地在基板进行膜的成膜。基板处理装置包括：处理容器；原料气体供给部，其向处理容器的内部供给原料气体；反应气体供给部，其向处理容器的内部供给与原料气体反应的反应气体；以及脱水气体供给部，其向处...

蚀刻方法包括：工序a，提供基片，基片包括第一膜和在第一膜上具有开口的第二膜，第一膜包含金属元素和非金属元素；工序b，在与开口对应地形成于第一膜的凹部的侧壁上形成保护膜；和工序c，与工序b同时或在工序b之后，利用从包含含卤素气体的处理气体...

本发明提供一种维护装置，其用于辅助进行安装于输送模块的输送机器人的更换，所述维护装置包括台车、壳体、第一升降单元、下部开闭机构、支承单元和第二升降单元。壳体具有上部开口部和下部开口部，配置于台车的上方。第一升降单元安装于台车，构成为能够...