本公开涉及一种接合方法和接合系统，能够简易地估计将基板彼此接合而成的重合基板的接合强度。用于将基板彼此接合的接合方法包括以下工序：在使第一基板的中心部与第二基板的中心部抵接的状态下将所述第一基板与所述第二基板从所述中心部朝向外周部依次接...

本发明涉及基板处理装置和基板移载方法。提供一种能够以窄间距保持基板的技术。本公开的一形态的基板处理装置具有：舟皿，其将基板以水平姿势在上下方向上排列成多层地保持；板状构件，其沿着保持于所述舟皿的所述基板的外周设置；以及驱动部，其变更所述...

本发明涉及处理液供给装置和处理液供给方法。提高向基板处理装置供给处理液时的便利性。一种处理液供给装置，其对具有使用处理液对基板进行处理的液处理模块的基板处理装置供给所述处理液，其中，该处理液供给装置具有：输送区域，其设有输送机构，该输送...

本发明提供提高作业员在基片处理装置的维护作业时的安全性的基片处理装置、维护方法和存储介质。基片处理装置对基片进行处理，包括：壳体，其具有收纳上述基片的处理所使用装置的收纳空间；开闭器，其切换上述收纳空间的打开状态和关闭状态；检测部，其设...

本发明提供一种基板处理装置和搬送位置调整方法。本发明能够抑制基板在处理容器的内部与外部的相对的位置偏移。基板处理装置具备对基板进行处理的处理单元。处理单元具有：处理容器，其收容基板；第一支承部，其在处理容器的内部将基板水平地支承；以及第...

本发明提供能够在包含挡板结构的基片处理装置中降低腔室内的污染的基片处理装置。基片处理装置包括：配置在基片支承部与腔室的侧壁之间的第一环状挡板；与第一环状挡板在纵向上与重叠地配置的第二环状挡板；和配置在腔室外的第一驱动单元，其包括第一致动...

本发明提供一种基板处理系统和基板处理方法。本发明检测使叉往复运动的带的劣化。基板处理系统具备：搬送装置，其具有叉、致动器以及带，所述叉用于支承基板，所述带用于将致动器的运动转换为位移方向上的运动并传递给叉；相对位置检测部，其在叉支承基板...

本发明提供能够自动优化刷洗的条件的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：刷处理部，其对从位于容器送入送出部的容器取出的基片的第二面进行刷处理；基片翻转部，其在由刷处理部处理前以及由刷处理部处理后将基片翻转；基片拍摄部，其针对基片...

本发明的等离子体处理装置的清洁方法包括：在设置于腔室的内部的载置台载置产品基片，对上述产品基片进行等离子体处理的步骤；和将具有比上述产品基片小的直径的第一仿真基片载置在上述载置台，在上述腔室的内部生成等离子体来进行清洁上述载置台的第一干...

本发明提供能够提高基于作业员对操作终端的操作来控制半导体制造装置时的安全性的控制装置、半导体制造系统、控制方法和计算机存储介质。控制具有多个模块的半导体制造装置的控制装置基于用户对显示半导体制造装置的操作画面的操作终端的操作来控制半导体...

本发明涉及基板处理装置。高效地抑制因在板设有缺口而引起的微粒的产生。一实施方式的基板处理装置具备：基板保持部，其具有位于基板的下方的位置的板和设于板的周缘部的多个基板把持构件，板在周缘部具有多个缺口部；旋转驱动部，其使基板保持部旋转；多...

本发明公开的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、一个以上的高频电源和修正电源。一个以上的高频电源构成为能够在腔室内从气体生成等离子体的开启期间中对腔室供给一个以上的高频电功率。修正电源构成为能够在开启期间内的一个以上的第一期间中，对边...

本发明提供能够提高对被供给至基片的处理液的干燥状况的调节的自由度的液处理方法、液处理装置和计算机程序产品。本发明的液处理方法包括：收纳步骤，使杯状体的开口面积为第一面积而将基片收纳在所述杯状体内；处理步骤，向被设置在所述杯状体内的基片保...

本发明的一个方式的液供给系统包括罐体(71)、循环管线(72)、泵(73)、过滤器(76)、背压阀(80)和控制部(18)。罐体(71)贮存处理液(L)。循环管线(72)将从罐体(71)送出的处理液(L)送回罐体(71)。泵(73)形成...

本发明提供一种基片处理系统，其包括等离子体处理装置、与等离子体处理装置连接的减压输送装置、和控制装置，等离子体处理装置包括：能够被减压的处理容器；设置在处理容器内的基片支承台，其包括基片载置面、能够以边缘环包围基片的方式载置边缘环的环载...

本发明提供能够调节机差的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：高频电源；一对等离子体电极；和配置在一对等离子体电极与高频电源之间的匹配器，匹配器具有：高频供电线，能够从高频电源对其供给高频电功率；接地的接地线；与一个等离子体电极连接的...

本公开提供一种成膜方法和基板处理装置，调整膜厚的面内分布。成膜方法是切换向处理容器内的基板供给的气体来在所述基板形成膜的成膜方法，在该成膜方法中，在从第一喷射器向所述处理容器内供给某一气体时，从与所述第一喷射器不同的第二喷射器向所述处理...

本披露内容的方面提供了一种用于远距温度测量的传感器。例如，传感器可以包括：光源，该光源被配置为形成照射束；聚焦光学器件，该聚焦光学器件被配置为将来自光源的照射束引导到半导体样品上的照射光点处，用于在半导体样品中激发出带隙光致发光(PL)...

本发明的基片处理装置除去形成于基片的上表面的膜的周缘部。基片处理装置包括：基片旋转部，其水平地保持上述基片并使其旋转；第一喷嘴，其从被保持在上述基片旋转部的上述基片的上方向上述基片供给阻碍上述膜的除去的第一处理液；第二喷嘴，其从被保持在...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，用于对基板进行处理，所述基板处理装置具有：第一改性装置，其用于针对将第一基板的表面与第二基板的表面进行接合所得到的重合基板，在所述第一基板的内部形成沿面方向从中心部至少朝向该第一基板的作为去除对...