本发明提供一种检查装置，其用于对检查对象器件进行检查，所述检查对象器件是背面照射型的拍摄器件，形成在检查对象体上，光能够从所述拍摄器件的作为设置有配线层的一侧的相反侧的面的背面入射至所述拍摄器件，所述检查装置包括载置台，其用于以与所述拍...

本发明的基片处理装置包括处理槽、吐出口组、溢流槽、循环流路、送液部、第一气体供给部、第二气体供给部、第一调节部、第二调节部和控制部。处理槽使具有金属膜的基片浸渍于处理液来进行蚀刻处理。吐出口组向处理槽的内部吐出处理液。送液部将贮存于溢流...

本发明提供一种提高对环状部件进行静电吸附的吸附力的面内均匀性的基板处理装置。该基板处理装置包括基板支承部，所述基板支承部包括静电卡盘，所述静电卡盘具有支承环状部件的支承面，其中，所述支承面具有使传热气体扩散到所述环状部件与所述支承面之间...

在本发明所公开的等离子体处理装置中，基板支承部包含基座及设置于该基座上的介电体部。介电体部包含支承基板的第1区域及支承边缘环的第2区域。第1偏压电极及第2偏压电极分别设置于第1区域及第2区域内。第1区域中的基板的载置位置与第1偏压电极之...

本发明提供一种检查装置，其用于对检查对象器件进行检查，所述检查对象器件是背面照射型的拍摄器件，形成于检查对象体，光能够从所述拍摄器件的作为设置有配线层的一侧的相反侧的面的背面入射至该拍摄器件，该检查装置包括载置台，该载置台以与所述拍摄器...

一种基板保持器具，从搬送臂接受并保持基板，所述基板保持器具具有：载置部，其以在铅直方向上升降自如的方式构成，所述载置部载置基板；测定部，其测定所述载置部的重量、压力以及位移中的至少任一方；以及控制部，其基于所述测定部的测定结果来预测所述...

一种处理衬底的方法，其包括：将衬底装载到等离子体蚀刻腔室中，该衬底包括图案化硬掩模层和下层，该等离子体蚀刻腔室包括：腔室部件，其具有包含难熔金属的表面；和第一电极；使工艺气体流入等离子体蚀刻腔室中；在使工艺气体流动的同时，向等离子体蚀刻...

本发明提供兼顾倾斜控制性和基片周向的等离子体密度的均匀性的基片支承器和等离子体处理装置。基片支承器具有支承基片的基片支承面和支承边缘环的环支承面，上述基片支承器包括静电吸盘，上述静电吸盘具有第一偏置电极和第二偏置电极，上述第一偏置电极的...

提供一种基板处理装置。基板处理装置具备腔室、基台、静电保持盘、控制电路以及探测电路。静电保持盘配置在基台上。静电保持盘包括电介质构件、至少一个加热器电极层以及至少一个电阻层。电介质构件具有基板支承面。至少一个加热器电极层由第一材料形成。...

一种加工衬底的方法，该方法包括：将衬底装载到等离子体加工室中，该衬底具有包含氧化物的表面，该氧化物包含碱土金属；使包含CCl<subgt;4</subgt;的工艺气体流入等离子体加工室中；在该等离子体加工室中，通过向该等离子...

本发明提供一种流量调整方法和基板处理装置，能够抑制多个液处理部之间的处理结果的偏差。流量调整方法是基板处理装置中的流量调整方法，基板处理装置具备向基板供给硫酸与过氧化氢的混合液来进行液处理的多个液处理部，流量调整方法包括以下工序：在从多...

提供了在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法。该方法包括：(a)在腔室内的基板支撑部上准备具有蚀刻对象膜和设置在蚀刻对象膜上的含金属膜的基板的工序，含金属膜具有被曝光的第一区域和未曝光的第二区域；(b)使用由包括含氟气体或...

目的在于提供一种能够获取基板处理装置中的功能构件与基板之间的距离信息的技术。一种信息收集系统，获取与具有保持基板的基板保持部以及位于基板的背面侧的环状构件(26)的基板处理装置有关的信息，信息收集系统具有：圆板状的主体部(7)，其具有能...

一种用于等离子体处理的设备，该设备包括第一谐振结构和第二谐振结构。该第一谐振结构通过第一匹配电路耦合到第一RF发生器。该第二谐振结构围绕该第一谐振结构。该第二谐振结构通过第二匹配电路耦合到第二RF发生器。

本发明的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、高频电源和偏置电源系统。基片支承部包括能够在其上载置基片的中央区域，设置于腔室内。高频电源产生生成源高频电功率。偏置电源系统将第一和第二电偏置能量分别供给到第一电极和第二电极。第一电极至少设...

一种基板处理装置，其中，该基板处理装置具有：腔室，其构成为能够减压且收纳基板；以及外壳，其包围向所述腔室供给的处理气体的供给源和连接该供给源与所述腔室的连接管。

本发明提供模型生成方法、计算机程序以及信息处理装置。由计算机执行如下的处理：获取用于构建工艺配方的多个变量组、表示执行工艺配方的特定步骤之前的被处理体的状态的状态数据、以及表示被处理体的目标状态的目标数据；从多个变量组选择一个变量组，对...

本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。一示例性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括在等离子体处理装置的腔室内的等离子体生成过程中的第一期间，向设置于腔室内的基板支撑器的下部电极施加第一直流电压的工序。等离子体处理方法还包括在...

一种加热处理装置，对形成有涂布膜的基板进行加热，所述加热处理装置具备：处理容器，在所述处理容器形成收容基板的处理空间；热板，其具有载置被收容于所述处理空间的基板的载置面和对基板进行加热的加热部；调整机构，其调整基板相对于所述热板的高度；...

在示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置中，脉冲状的负极性的直流电压被周期性地施加到下部电极。规定脉冲状的负极性的直流电压施加到下部电极的周期的频率低于为了生成等离子体而被供给的高频电力的频率。高频电力在周期内的第1部分期间内供给。周期...