本发明提供减少离子通量的分布的不均的技术。提供一种等离子体处理方法，其在具有腔室和配置于上述腔室内的基片支承部的等离子体处理装置中，在上述腔室内生成等离子体来对基片执行等离子体处理。等离子体处理方法包括：(a)预先保存第一分布数据的步骤...

本技术涉及基板处理装置。高效地抑制因在板设有缺口而引起的微粒的产生。一实施方式的基板处理装置具备：基板保持部，其具有位于基板的下方的位置的板和设于板的周缘部的多个基板把持构件，板在周缘部具有多个缺口部；旋转驱动部，其使基板保持部旋转；多...

本公开说明能够高效地进行干式的光刻处理的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置的一个例子具备：干式光刻装置，其构成为主要利用气体对基板进行光刻处理；以及连接部，其构成为将曝光机与干式光刻装置连接，该曝光机构成为对基板进行曝光。连接部包...

本发明涉及铜层的蚀刻方法和基板处理装置。抑制在铜层形成期望的形状时的形状控制性的降低，并且也抑制铜层的蚀刻速率的降低。当蚀刻在配置于基板处理装置(10)的处理腔室(11)的内部的基板(G)的表面形成的薄膜的铜层(41)时，在一次反应中，...

本发明提供能抑制利用混合流体进行清洗处理时产生溅液的技术。基片处理装置包括：以基片能够旋转的方式对其进行保持的旋转保持部，将清洗液与气体的混合流体释放到基片上；液体供给喷嘴，能在基片的上方与清洗喷嘴一体地移动；和控制各部的控制部。清洗喷...

本发明提供基片处理方法和基片处理装置，能够提高基片面内的处理结果的分布的调节的自由度。基片处理方法在具有处理容器和加热部的基片处理装置中执行，能够将基片送入和送出所述处理容器，所述加热部能够对所述处理容器内进行加热，所述基片处理方法包括...

本发明提供能够在促进装置的小型化的同时稳定地供给水蒸气的气化装置、水蒸气处理系统和水蒸气处理方法。气化装置用于生成水蒸气。气化装置包括：第一筒状部，其具有沿铅垂方向延伸的中心轴线；和在内部具有贮水空间的两个第二筒状部，其在与所述中心轴线...

本发明提供抑制基片的残留吸附的静电吸盘和基片处理装置。静电吸盘包括电介质和设置在所述电介质的内部的电极，所述电介质具有：第一主面；接触支承部，其比所述第一主面突出，与基片背面接触来支承所述基片；和槽部，其以在所述第一主面与所述接触支承部...

本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置的控制部基于处理前膜厚轮廓数据与处理后目标膜厚轮廓数据的差分来调节针阀的开度，向除基板以外的喷出目的地实施从喷嘴的药液的喷出，在该喷出结束后，使第一原料液和第二原料液以与针阀的开度相...

本公开提供一种成膜方法和成膜装置，在金属膜上形成包含硅原子和氮原子的膜时能够抑制金属膜的电阻率的上升。基于本公开的一个方式的成膜方法是在表面具有金属膜的基板的所述表面形成包含硅原子和氮原子的膜的方法，所述成膜方法包括以下工序：在将所述基...

一种等离子体处理方法，是使用了等离子体处理装置的等离子体处理方法，所述等离子体处理方法包括以下工序：获取包含第一初始电力值、初始电力施加时间以及输出抑制比的参数；获取包含作为第二初始电力值的制程设定电力值的处理制程；以及从所述第一初始电...

本发明的等离子体处理系统包括第一等离子体处理装置和第二等离子体处理装置。第一等离子体处理装置和第二等离子体处理装置各自包括等离子体处理腔室、基片支承部、电功率消耗部件、接地框、蓄电部、受电线圈、和整流平滑部。接地框与等离子体处理腔室一起...

本公开提供一种基板处理装置和基板处理方法，限制基板的位置偏移。基板处理装置具备：第一吸附部，其对基板的下表面的第一区域进行吸附；第二吸附部，其对所述基板的下表面的第二区域进行吸附；以及摩擦体，其在所述第二吸附部吸附了所述基板的状态下对所...

基板处理装置具备：基板吸附部，其对基板进行吸附；供给部，其向所述基板吸附部的内部供给流体；吸引部，其从所述基板吸附部的内部吸引流体；第一搬送部，其从与所述基板吸附部相反的一侧保持所述基板；以及控制部，其控制所述供给部、所述吸引部以及所述...

本发明提供修正在多个等离子体处理装置间产生的装置间差的技术。调节方法包括：在具有第一腔室和配置于第一腔室内的第一基片支承部的第一等离子体处理装置中，获取基准分布数据的步骤，基准分布数据是关于在第一腔室内生成的等离子体与配置于第一基片支承...

在本发明的等离子体处理装置中，在第1处理期间和第2处理期间，分别应用包括向腔室内供给第1处理气体的第1处理条件、和包括向腔室内供给第2处理气体的第2处理条件。在第1处理期间和第2处理期间各自中，供给源高频电功率以生成等离子体，并向基片支...

基板处理方法包括：液膜形成工序，向被实施了利用处理液进行的液处理工序之后的基板的表面供给用于保护基板的表面的图案的保护液，来形成覆盖基板的表面的保护液的液膜；基板搬入工序，在液膜形成工序之后，将基板以形成有保护液的液膜的状态向处理容器内...

实施方式所涉及的基板处理装置(1)具备冲洗槽(62)、处理槽(61)、获取部(10a)、浓度调整部(140)以及浓度控制部(10b)。冲洗槽(62)是贮存包含水分的冲洗液的槽，冲洗槽(62)通过使具有无机膜的多个基板(W)浸渍于所贮存的...

本发明的等离子体处理装置包括馈电线圈、受电线圈、至少一个金属壳体和至少一个铁氧体部件。馈电线圈设置在等离子体处理腔室的外部。受电线圈与蓄电部电连接，能够通过电磁感应耦合从馈电线圈接收电功率。至少一个金属壳体能够提供屏蔽空间，并在屏蔽空间...

本发明的等离子体处理装置包括等离子体处理腔室、基片支承部、电极或天线、高频电源、电功率消耗部件和受电线圈。基片支承部配置在等离子体处理腔室内。电极或天线以等离子体处理腔室内的空间位于该电极或该天线与基片支承部之间的方式配置。高频电源能够...