一种实施例方法包括：基于测量来自先前键合晶圆的残余失真来确定上部真空条件、下部真空条件、键合间隙距离以及撞针压力条件。该方法包括：使用上晶圆固持器向上晶圆施加该上部真空条件，该上部真空条件施加到该上晶圆的后侧，并且该上晶圆具有与该后侧相...

披露了一种用于形成半导体器件的方法。该方法包括在布置在衬底上的非晶掩模层的顶部上形成第一金属层。该方法包括形成沿着该非晶掩模层中的开口的竖直侧壁延伸的第二金属层。该方法包括使用该第一金属层和该第二金属层作为第一蚀刻掩模来形成部分地延伸到...

提供一种去除含锗的硅膜的蚀刻残留部来形成期望的蚀刻形状的技术。对形成有硅膜和含锗的硅膜的基板供给含锗的硅用的蚀刻气体来对所述含锗的硅膜进行蚀刻，接着，向所述基板供给包含第一处理气体和第二处理气体的吹扫气体来从所述基板吹扫所述蚀刻气体，并...

一种处理方法，是在表面形成有含氧膜和含氮膜的基板中选择性地蚀刻所述含氧膜的处理方法，所述处理方法包括以下工序：使用包含含氟气体和肼系气体的处理气体选择性地使所述含氧膜相对于所述含氮膜改性，来形成氟硅酸铵层；以及通过对所述基板进行加热来去...

一种用于处理衬底的方法包括在该衬底上形成金属氧化物抗蚀剂，将该金属氧化物抗蚀剂暴露于极紫外光图案，以及使选择性气体从该金属氧化物抗蚀剂上流过。该选择性气体增加了该暴露的金属氧化物抗蚀剂对显影气体的选择性。该方法进一步包括使该显影气体从处...

本发明提供信息处理方法、信息处理系统以及计算机程序。从各装置获取对在多个装置中个别地使用的第一数据应用中间表示转换函数而得到的第一中间表示，从各装置获取对在多个装置中共通地使用的第二数据应用中间表示转换函数而得到的第二中间表示，按使对从...

一种基板处理装置，对第一基板、至少包括激光吸收层的界面层、以及第二基板层叠而形成的重合基板进行处理，在重合基板设定包括第一基板与第二基板的未接合区域的外周区域、以及配置于比外周区域靠径向内侧且第一基板与第二基板的接合区域的内周区域，控制...

本发明的技术问题是在对设备进行作业时适当地对该作业进行辅助。解决该技术问题的技术手段是提供一种辅助装置，其用于在对设备进行作业时对该作业进行辅助，所述辅助装置包括：接收部，其接收从对所述设备进行作业的作业人员所具有的装置发送的关于该设备...

等离子体处理装置用的部件的制造方法包括以下工序：工序(A)，准备芯材，所述芯材的形状与所述电极的最终形状相似且比所述最终形状小；工序(B)，通过成膜装置在所述芯材形成SiC层叠部；以及工序(C)，通过至少去除所述SiC层叠部的一部分来形...

提供一种参数估计系统、参数估计方法、计算机程序以及基板处理装置。一种参数估计系统，是具备基板载置台以及经由冷却层对基板载置台进行调温的冷却基台的基板处理装置中的参数估计系统，参数估计系统具备：获取部，其获取在将基板载置台升温时通过按时间...

本发明披露了用于形成半导体器件的设备和方法。该半导体器件可以包括多个半导体晶片。该多个半导体晶片可以具有设置在其上的电介质键合层。可以处理该电介质键合层以增加与其他半导体晶片的键合能。可以将对键合层施加过处理的晶片键合到另一个晶片。

本公开说明一种基板处理装置和膜厚估计方法，即使在存在干扰的环境下也能够高精度地估计在蚀刻处理过程中时刻地变化的膜厚。基板处理装置具备保持部、供给部、光传感器、以及控制部。控制部构成为执行以下处理：第一处理，对保持于保持部的基板的表面供给...

使基于时间序列的传感器数据预测过程状态时的预测精度提高。一种储备池装置，其中，输入预先确定的过程中测定的时间序列的传感器数据，基于使用输入权重乘法部和连接权重乘法部进行处理而得到的结果，输出储备池特征量，所述输入权重乘法部将由周期函数决...

本披露的各方面提供了一种用于将小芯片形成到半导体结构上的方法。该方法可以包括：提供第一半导体结构，该第一半导体结构具有形成在其第一侧上的第一电路和第一布线结构；以及将第一侧附接至载体衬底。该方法可以进一步包括：在第一半导体结构的第二侧上...

本发明的课题在于提供能够促进处理容器的冷却的均匀化的技术。作为解决手段涉及一种处理装置，其具备：收容基板的处理容器；覆盖上述处理容器的周围，将上述处理容器所收容的上述基板进行加热的炉主体；向上述处理容器与上述炉主体之间的调温空间供给冷却...

提供了一种调节显影图案形状的技术。本公开中的基板处理方法包括：(a)提供具有底膜和所述底膜上的抗蚀剂膜的基板的工序，所述抗蚀剂膜具有第一区域和第二区域；(b)除去所述第二区域的至少一部分，使所述第一区域的侧面的至少一部分露出的工序；(c...

提供一种控制程序、信息处理程序、控制方法、信息处理方法、等离子体处理装置以及信息处理装置。一种控制程序，是通过向等离子体生成源供给源电力并向载置作为处理对象的基板的载置台供给偏置电力来进行等离子体处理的等离子体处理装置的控制程序，控制程...

本发明提供能够从沿着水平方向排列的铅垂姿态的多个基片有选择地接收基片的基片保持构件、基片处理系统和基片输送方法。本发明的一个方式的基片保持构件包括：主体，其具有前端部隔开间隔且根端部相连的第一臂部和第二臂部；第一保持引导件，其固定在第一...

本发明的等离子体处理装置包括腔室、基板支承部、高频电源和偏置电源。基板支承部具有偏置电极，设置在腔室内。高频电源构成为为了在腔室内生成等离子体而产生源高频功率。偏置电源构成为向偏置电极周期性地供给具有波形周期的电偏置。高频电源构成为将波...

辅助等离子体处理装置中的工艺性能的提高。等离子体处理系统具备等离子体处理装置、辅助装置以及控制装置，所述辅助装置具有：第一决定部，其构成为基于与处理前基板的构造有关的第一输入、与处理后基板的要求形状有关的第二输入、与所述等离子体处理装置...