【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的示例性实施方式涉及基板处理方法和基板处理装置。
技术介绍
1、在专利文献1中，公开了在半导体基板上使用euv光形成可图案化的薄膜的技术。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特表2021-523403号公报
技术实现思路
1、本公开提供了一种调节显影图案形状的技术。
2、在本公开的一个示例性实施方式中，提供了一种基板处理方法，包括：(a)提供具有底膜和所述底膜上的抗蚀剂膜的基板的工序，所述抗蚀剂膜具有第一区域和第二区域；(b)除去所述第二区域的至少一部分，使所述第一区域的侧面的至少一部分露出的工序；(c)在所述第一区域的至少上面形成沉积膜的工序；和(d)除去所述沉积膜的至少一部分和所述第二区域的至少一部分的工序。
3、专利技术效果
4、根据本公开的一个示例性实施方式，能够提供一种用于调节显影图案形状的技术。
【技术保护点】
1.一种基板处理方法，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，
4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，
5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，
6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其中，
9.根据权利要求7所述的基板处理方法，其中，
10.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中，
12.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
13.根据权利要求12所述的基板处理方法，其中，
14.根据权利要求13所述的基板处理方法，其中，
15.根据权利要求13所述的基板处理方法，其中，
16.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
17.根据权利要求16所述的基板处理方法，其中，
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