本发明提供调节抗蚀剂膜的曝光灵敏度的技术。提供一种基片处理方法。该方法是基片处理方法，包括：工序（a），提供具有基底膜的基片；工序（b），在基底膜上形成第一膜，其中，第一膜由包含EUV吸收截面积比基底膜高的元素的材料构成；和工序（c），...

在本披露中提供了在金属互连部之间形成气隙的改进的工艺流程和方法的实施例。更具体地，本披露提供了改进的工艺流程和方法，这些工艺流程和方法利用湿法蚀刻工艺来在形成于图案化衬底上的金属互连部之间形成凹陷部。与常规气隙集成方法不同，本文所描述的...

一种处理衬底的方法，该方法包括：使蚀刻气体、O<subgt;2</subgt;和吸附质前体流动进入等离子体处理室中，该等离子体处理室被配置成固定包括含硅介电层和图案化掩模层的该衬底，该蚀刻气体包含氢和氟；在使该蚀刻气体、O&...

本发明提供能够期待辅助从对象装置得到的监视数据的解析的信息处理方法、计算机程序以及信息处理装置。在本实施方式所涉及的信息处理方法中，信息处理装置获取包含与对象装置进行的各个处理的状态相关的多个项目的监视数据，生成对上述监视数据的维度数进...

提供了在显影图案中抑制残渣的技术。提供了基板处理方法。该方法包括：(a)在腔室内的基板支撑部上提供具有底膜和形成在底膜上的含金属抗蚀剂膜的基板的工序，含金属抗蚀剂膜具有被曝光的第一区域和未曝光的第二区域；和(b)向腔室供给处理气体，对基...

基板处理装置具备：基板保持部，其保持基板；驱动机构，其驱动对保持于所述基板保持部的所述基板进行加工的工具；壳体，其容纳所述基板保持部和所述工具；以及喷雾器，其向所述壳体的内部呈雾状喷出液体。

本发明提供调节抗蚀剂膜的曝光灵敏度的技术。提供一种基片处理方法。该方法包括：工序（a），提供具有基底膜的基片（ST1）；和工序（b），在基底膜上形成含金属抗蚀剂膜（ST2）。工序（b）包括：工序（b1），在基底膜上形成含有金属的第一抗蚀...

本申请所公开的蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内从处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含含磷气体、...

提供一种抑制随时间变化的电极板、电极组件和等离子体处理装置。平行平板型等离子体处理装置用的电极板，其包括主体部，所述主体部具有第一面、与所述第一面相反侧的第二面和多个内侧面，所述多个内侧面规定以从所述第一面到所述第二面的方式贯通所述主体...

运送臂的异常管理方法包括：获取对象数据的获取步骤，该对象数据是基于与运送臂的运送动作有关的特征量计算出的异常尺度的变迁数据；确定步骤，对在获取步骤中获取到的对象数据与过去获取并事先保存的作为发生了异常的多个变迁数据的参照用数据进行比较，...

本公开说明一种基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备处理槽、获取实际体积的获取部、超纯水供给部、药液供给部、以及控制部。控制部执行以下处理：第一处理，基于规定了与实际体积相应的超纯水和药液的供给流量的供给数据、以及由获取部获取到的...

提供一种在等离子体处理装置用的部件中降低电阻并且抑制颗粒的产生的技术。等离子体处理装置用的部件包括导电性基材、多个导电性突起和含Si涂层，其中，多个导电性突起从导电性基材的表面突出并且经由导电性基材相互电连接，含Si涂层以多个导电性突起...

基座配置在等离子体处理腔室内。静电卡盘配置在基座的上部。第一加热器电极层配置在静电卡盘内。第二加热器电极层配置在静电卡盘内的在俯视时与第一加热器电极层不同的位置。第一温度传感器测量第一加热器电极层的温度。第二温度传感器测量第二加热器电极...

本发明所公开的温度调节系统包括第一区段、第二区段和连接部。第一区段包含第一温度调节回路和将第一温度调节回路收纳于其中的第一壳体，第一温度调节回路包含构成为能够与第一温度调节介质进行热交换的第一热交换器。第二区段包含第一循环系统中的第一容...

本发明涉及液处理装置和监视方法。根据情况而以适合的方式监视多个喷嘴的状态。液处理装置具备：多个载物台，其分别载置基板；多个喷嘴，其共用于该多个载物台，用于向所述基板供给处理液；照相机，其共用于该多个喷嘴，用于监视该多个喷嘴的状态；以及拍...

本公开的一个方式的基板处理装具有：处理容器；基板保持部，其配置于所述处理容器的内部，用于保持基板；气体喷嘴，其向所述处理容器的内部喷射气体；调整机构，其调整所述气体喷嘴与保持于所述基板保持部的所述基板之间的距离；以及控制部，其中，所述控...

本发明提供能够高精度地将基片输送到所希望的载置位置的基片输送装置、基片输送方法和存储介质。基片输送装置包括：第一基片保持部，其具有用于吸引并保持基片的第一吸引孔；吸引力变更部，其用于针对上述第一吸引孔的吸引力，切换为对上述基片作用第一吸...

本发明提供基板处理装置。还提供载置台和等离子体处理装置，其使配置于载置台内的收容空间的基板的动作的稳定性提高。载置台包括：基台，其在内部具有收容空间；电介质层，其设于所述基台的第1面，具有载置基板的载置面，该电介质层在内部具有多个加热器...

一种真空搬送装置和真空搬送装置的控制方法，该真空搬送装置配置于工艺腔室与加载互锁室之间，用于在工艺腔室与加载互锁室之间搬送基板，所述真空搬送装置具备容器、搬送装置、排气装置、露点计以及控制装置。容器经由闸阀来与工艺腔室及加载互锁室分别连...

基板处理方法是基板处理装置中的基板处理方法，包括以下工序：工序a)，向配置有载置台的处理容器供给特定条件的工艺气体，该载置用于载置具有被蚀刻膜和以及被蚀刻膜上的掩模的被处理体；工序b)，通过在第一等离子体生成条件下生成的工艺气体的第一等...