基片处理方法和基片处理系统技术方案

本发明专利技术提供调节抗蚀剂膜的曝光灵敏度的技术。提供一种基片处理方法。该方法包括：工序（a），提供具有基底膜的基片（ST1）；和工序（b），在基底膜上形成含金属抗蚀剂膜（ST2）。工序（b）包括：工序（b1），在基底膜上形成含有金属的第一抗蚀剂膜（ST21）；和工序（b2），在第一抗蚀剂膜上形成以与第一抗蚀剂膜不同的组成比含有金属的第二抗蚀剂膜（ST22）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术的示例性实施方式涉及基片处理方法和基片处理系统。

技术介绍

1、专利文献1公开了一种技术，用于在半导体基片上形成能够使用极紫外光（extreme ultra violet光，以下称为“euv光”）进行图案化的薄膜。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特表2021-523403号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的技术问题

2、本专利技术提供一种调节抗蚀剂膜的曝光灵敏度的技术。

3、解决问题的技术手段

4、在本专利技术的一个示例性实施方式中，提供一种基片处理方法，包括：工序（a），提供具有基底膜的基片；和工序（b），在所述基底膜上形成含金属抗蚀剂膜，其中，所述工序（b）包括：工序（b1），在所述基底膜上形成含有金属的第一抗蚀剂膜；和工序（b2），在所述第一抗蚀剂膜上形成以与所述第一抗蚀剂膜不同的组成比含有所述金属的第二抗蚀剂膜。

5、专利技术效果

6、根据本专利技术的一个示例性实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于，

3.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于，

4.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于，

5.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于，

6.如权利要求5所述的基片处理方法，其特征在于，

7.如权利要求5所述的基片处理方法，其特征在于，

8.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于，

9.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于，

10.如权利要求8或9所述的基片处理方法，其...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于，

3.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于，

4.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于，

5.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于，

6.如权利要求5所述的基片处理方法，其特征在于，

7.如权利要求5所述的基片处理方法，其特征在于，

8.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于，

9.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于，

10.如权利要求8或9所述的基片处理方法，其特征在于，

11.如权利要求8或9所述的基片处理方法，其特征在于，

12.如权利要求8或9所述的基片处理方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊仓翔，小野健太，中根由太，西冢哲也，本田昌伸，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：