本发明提供一种等离子体处理装置，其在基片上生成等离子体而对基片实施处理。等离子体处理装置包括：处理容器；能够被插入所述处理容器的、将多个基片保持为多层的基片保持件；能够使所述基片保持件在所述处理容器内旋转的旋转轴；向所述处理容器内供给处...

本发明提供能够提高选择比的蚀刻方法。本发明的蚀刻方法在包括腔室的等离子体处理装置中执行，包括：工序（a），在配置于腔室内的基片支承部上准备基片，其中，基片在俯视时包括多个第一区域和位于第一区域之间的至少一个第二区域，基片包括含硅和氮的第...

本文披露了提供氮化硅的选择性蚀刻的改进的工艺和方法的实施例。更具体地，提供了循环的两步干法蚀刻工艺来选择性蚀刻形成在衬底上的氮化硅层，同时保护形成在同一衬底上的氧化层。该循环的两步干法蚀刻工艺将衬底顺序地暴露于：(1)氢等离子体以改性氮...

本发明涉及基片处理装置和基片处理方法，基片处理装置的控制部执行：第1工序，在从开始向处理容器供给处理流体起至处理容器内的压力上升而处理容器内的处理流体成为超临界状态为止的期间的第1期间，经由第1供给管线和第1流体释放部向处理容器供给处理...

本技术涉及分流单元和液处理系统。提供有利于将可能包含气泡的液体以气泡减少了的状态送出的技术。分流单元具备具有引导流路的分流主体部、将液体向引导流路引导的流入部以及使液体从引导流路向外部流出的第1流出部和第2流出部，第1流出部位于比第2流...

一种基板处理方法和基板处理装置，提供能够提高绝缘膜中的氘浓度的技术。本公开的一个方式的基板处理方法包括以下工序：准备在表面具有绝缘膜的基板；将所述基板从第一温度升温至比所述第一温度高的第二温度；以及将所述基板维持为所述第二温度，其中，升...

本发明的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、高频电源和控制部。基片支承部设置在腔室内。高频电源构成为能够供给生成源高频电功率以在腔室内从气体生成等离子体。控制部构成为,对单独供给生成源高频电功率时的生成源高频电功率的生成源频率，能够根...

本发明的基片处理方法包括：对基片的含金属抗蚀剂进行湿法显影的工序(a)；和对含金属抗蚀剂进行干法显影的工序(b)。含金属抗蚀剂包括已曝光的第一区域和没有曝光的第二区域。在工序(a)中，第一区域和第二区域中的一个区域在该一个区域的厚度方向...

本发明的等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；包括下部电极、静电吸盘和边缘环的基片支承体；配置在基片支承体的上方的上部电极；向上部电极或下部电极供给生成源RF电功率的生成源RF电源；向下部电极供给偏置电功率的偏置电源；向边缘环施加负极...

本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法，在具备浸渍处理部和单片处理部的基板处理装置中抑制基板间的处理特性的偏差。基板处理装置具备控制部，该控制部执行一系列的基板处理，该一系列的基板处理包括由浸渍处理部进行的浸渍处理、从浸渍处理部经由待...

本公开提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够提高生产率。基板处理方法包括以下工序：工序(A)，准备基板，所述基板具有多个电极在基板表面配置而成的电极阵列；工序(B)，在所述电极阵列的整体形成发光层、电极层以及密封层；工序(C)，在所述...

本发明的等离子体处理装置在等离子体处理腔室内包括至少一个电功率消耗部件。至少一个电功率消耗部件与受电线圈电连接。受电线圈与送电线圈电磁感应耦合。送电线圈接收来自送电部的电功率。控制部决定与参数值对应的所需电功率水平，控制送电部来输出具有...

本发明涉及显示方法和基板处理系统。成膜装置的控制部在成膜处理结束的时间点创建由基板处理信息构成的处理内容日志，将在创建处理内容日志的时间点所计时的时刻作为第一时刻赋予给处理内容日志，依据第一时间间隔将处理内容日志发送给管理服务器。另外，...

在第一基板与第二基板接合而成的重叠基板中，考虑形成于第一基板的槽口部的未接合区域来适当地去除第一基板的周缘部。一种基板处理方法，用于对第一基板与第二基板接合而成的重叠基板进行处理，其中，所述第一基板具有：槽口，其是将作为去除对象的所述第...

本公开提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够提高生产率。基板处理方法包括以下工序：工序(A)，准备基板，所述基板具有多个电极在基板表面配置而成的电极阵列；工序(B)，在所述电极阵列的整体形成发光层、电极层以及第一密封层；工序(C)，在...

公开的通信系统包括主装置、多个从属装置以及计算装置。向多个从属装置发送的数据帧包含用于多个从属装置的各从属装置的多个数据报。多个数据报的各数据报包含用于多个从属装置中的对应的从属装置的设定数据以及在对应的从属装置中被写入的监控数据。计算...

一种基板处理方法，用于在基板处理装置中从气体供给部向基板处理空间供给气体来对基板进行处理，所述气体供给部具备：多个气体源；流路，其用于使所述气体从多个所述气体源流通至所述基板处理空间；以及阀，其设置于所述流路，用于将所述气体的流通在流通...

本发明可提供一种技术，使探针精度良好地接触被检测体上形成的电极。提供一种检测方法，是具备载置被检测体的载置台和设有用于被检测体的检测的探针的探针卡的检测装置所执行的检测方法，其执行：基于第1偏移值使探针与电极接触的工序，基于针痕区域设定...

本发明提供一种技术，在成膜中可将基板支撑部等上形成的膜稳定地除去。清洁方法具有，(A)工序，从处理容器的内部将实施成膜处理的基板搬出，(B)工序，在(A)工序后，在处理容器的内部清洁支撑基板的基板支撑部和/或该基板支撑部的周边部。(B)...

提供一种能够调节离子鞘层的厚度分布的技术。本公开的等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；配置于所述等离子体处理腔室内的基片支承部；配置于所述等离子体处理腔室的上方的天线；源RF信号生成部，其与所述天线电连接，构成为能够生成源RF信号；...